基本信息:
- 专利标题： 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서
- 专利标题（英）：Metal-nitride thermistor material, manufacturing method therefor, and film-type thermistor sensor
- 专利标题（中）：金属氮化物热敏材料及其制造方法和薄膜式热敏电阻传感器
- 申请号：KR1020157016339 申请日：2013-12-03
- 公开(公告)号：KR1020150097538A 公开(公告)日：2015-08-26
- 发明人： 후지타도시아키 , 다나카히로시 , 나가토모노리아키
- 申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-*, Otemachi *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-*, Otemachi *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： JPJP-P-2012-279149 2012-12-21
- 国际申请： PCT/JP2013/082905 2013-12-03
- 国际公布： WO2014097910 2014-06-26
- 主分类号： H01C7/00
- IPC分类号： H01C7/00 ; C23C14/06 ; C23C14/34
摘要：
필름 등에 비소성으로 직접 성막할 수 있고, 높은 내열성을 가져 신뢰성이 높은 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서를 제공한다. 서미스터에 사용되는 금속 질화물 재료로서, 일반식 : (Ti
1-v Cr
v )
x Al
y (N
1-w O
w )
z (0.0 ＜ v ＜ 1.0, 0.70 ≤ y/(x ＋ y) ≤ 0.95, 0.45 ≤ z ≤ 0.55, 0 ＜ w ≤ 0.35, x ＋ y ＋ z = 1) 로 나타내는 금속 질화물로 이루어지고, 그 결정 구조가, 육방정계의 우르츠광형의 단상이다.
摘要（英）：
1-v Cr
v )
x Al
y (N
1-w O
w )
z (0.0 ＜ v ＜ 1.0, 0.70 ≤ y/(x ＋ y) ≤ 0.95, 0.45 ≤ z ≤ 0.55, 0 ＜ w ≤ 0.35, x ＋ y ＋ z = 1) 로 나타내는 금속 질화물로 이루어지고, 그 결정 구조가, 육방정계의 우르츠광형의 단상이다.
It can be directly formed by unfired film and the like, and provides a metal for importing a high heat resistance with high reliability thermistor nitride material and its manufacturing method, and the film-type thermistor sensor. As the metal nitride material used for a thermistor represented by the general
formula: (Ti 1-v Cr v ) x Al y (N 1-w O w) z (0.0 <v <1.0, 0.70 ≤ y / (x + y) ≤ 0.95 , 0.45 ≤ z ≤ 0.55, 0 <w ≤ 0.35, made of a metal nitride represented by x + y + z = 1), a single phase of Ur tsu Beam of its crystal structure, the hexagonal system.