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1. 发明公开

KR1020160142574A 반도체 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치 审中-实审
标题翻译：半导体封装和具有该封装的电子器件
公开(公告)号：KR1020160142574A
公开(公告)日：2016-12-13
申请号：KR1020150078472
申请日：2015-06-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 나대훈 , 김현진 , 임정돈
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48
CPC分类号： G11C8/12 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C5/063 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C29/022 , G11C29/48 , G11C2029/4402 , H01L23/50 , H01L23/5256 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L2224/48137 , H01L2224/48177 , H01L2225/06506 , H01L2924/00014 , H01L2924/1438 , H01L2224/45099
摘要： 반도체패키지는외부단자, 인터페이스칩, 및반도체칩을포함한다. 인터페이스칩은외부단자와본딩(bonding)되는외부인터페이스패드, 복수의내부인터페이스패드들, 및외부인터페이스패드와복수의내부인터페이스패드들사이에연결되는인터페이스회로를포함한다. 반도체칩은복수의내부인터페이스패드들중의하나에선택적으로본딩되는신호패드를포함한다. 인터페이스회로는, 복수의내부인터페이스패드들중에서신호패드와본딩되는선택패드와외부인터페이스패드사이의연결을활성화시키고, 복수의내부인터페이스패드들중에서신호패드와본딩되지않은비선택패드들과외부인터페이스패드사이의연결을비활성화시킨다.
摘要翻译：半导体封装包括外部电极，接口芯片和半导体芯片。接口芯片包括接合到外部电极的外部接口焊盘，多个内部接口焊盘以及耦合在外部接口焊盘和多个内部接口焊盘之间的接口电路。半导体芯片包括选择性地结合到多个内部接口焊盘之一的信号焊盘。接口电路激活所选择的焊盘之间的连接，所述焊盘对应于在多个内部接口焊盘之间被结合到信号焊盘的焊盘和外部接口焊盘，并且去激活未选择的焊盘之间的连接，焊盘对应于焊盘未被接合到多个内部接口焊盘中的信号焊盘和外部接口焊盘。

2. 发明公开

KR1020160086561A 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 审中-实审
标题翻译：包括其的存储器件和存储器系统
公开(公告)号：KR1020160086561A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：KR1020150004020
申请日：2015-01-12
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 권상혁 , 손영훈 , 안정호
IPC分类号： G11C29/52 , G11C29/18 , G11C29/44 , G11C29/48 , G11C29/36
CPC分类号： G11C29/76 , G06F11/0766 , G06F11/1016 , G06F11/2094 , G06F12/0246 , G06F12/0802 , G06F17/3033 , G06F2212/1032 , G09C1/00 , G11C2029/4402 , H04L9/0643 , H04L2209/12 , G11C29/52 , G11C29/18 , G11C29/36 , G11C29/44 , G11C29/48
摘要： 메모리장치는블룸(bloom) 필터부, 캐시메모리부, 메모리셀 어레이부및 선택부를포함한다. 블룸필터부는액세스어드레스가불량셀들에해당하는불량어드레스들중 하나일가능성을판단하여판단결과신호를출력한다. 캐시메모리부는불량어드레스들및 불량어드레스들에상응하는데이터를저장하고, 판단결과신호에따라액세스어드레스가불량어드레스들중의하나와일치하는지여부를판단하여비교결과신호를제공하고, 액세스어드레스가불량어드레스들중의하나와일치하는경우, 상기일치하는불량어드레스에상응하는데이터를리페어데이터로서출력한다. 메모리셀 어레이부는액세스어드레스에상응하는데이터를독출데이터로서출력한다. 선택부는판단결과신호및 비교결과신호에따라독출데이터및 리페어데이터중 하나를선택한다. 본발명에따른블룸필터기반의캐시메모리를이용하여메모리장치를구현하는경우, 메모리장치에포함되는불필요한리페어셀들의면적을효율적으로줄일수 있다.
摘要翻译：一种存储装置，包括一个开关滤波器单元，一个现金存储器单元，一个存储单元阵列单元和一个选择单元。布鲁克滤波器单元确定访问地址是与故障单元相对应的缺陷地址之一的可能性，并输出确定结果信号。现金存储单元存储与缺陷地址对应的缺陷地址和数据，根据确定结果信号确定访问地址是否与缺陷地址之一一致，以提供比较结果信号，并输出与重合缺陷地址相对应的数据作为访问地址与其中一个缺陷地址一致的修复数据。存储单元阵列单元将与访问地址对应的数据作为读取数据输出。选择单元根据确定结果信号和比较结果信号来选择读取数据和修复数据中的一个。根据本发明，当通过使用基于绽放滤波器的现金存储器来实现存储器件时，可以有效地减少包含在存储器件中的不必要的修复单元的区域。

3. 发明公开

KR1020160076213A 반도체 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：半导体存储器
公开(公告)号：KR1020160076213A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：KR1020140186125
申请日：2014-12-22
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이동욱
IPC分类号： G11C29/32 , G11C29/04 , G11C29/10 , G11C29/48 , G11C29/00 , G11C7/10
CPC分类号： G11C29/38 , G11C29/40 , G11C29/32 , G11C7/10 , G11C29/003 , G11C29/04 , G11C29/10 , G11C29/48
摘要： 복수개의채널선택신호에응답하여복수개의채널데이터를서로비교하여제 1 비교신호를생성하거나, 상기복수개의채널데이터중 하나를상기제 1 비교신호로서출력하는제 1 비교부, 상기복수개의채널선택신호및 채널감지신호에따라상기복수개의채널데이터를비교하여제 2 비교신호를생성하는제 2 비교부, 상기복수개의채널선택신호중 하나의채널선택신호만인에이블되면상기채널감지신호를인에이블시키는채널선택감지부, 및상기제 1 및제 2 비교신호중 하나의비교신호라도인에이블되면테스트결과신호를인에이블시키는조합출력부를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体存储器件，其通常存储数据，并且能够进行关于已经存储的数据是否正常输出的测试。半导体存储器件包括：第一比较单元，响应于多个通道选择信号，将多条通道数据彼此进行比较以产生第一比较信号，或者将多条通道数据中的一条作为第一个比较信号; 第二比较单元，其基于所述信道选择信号和信道检测信号来比较所述多个信道数据以生成第二比较信号; 频道选择检测单元，其能够在频道选择信号中仅一个频道选择信号被使能时使能频道检测信号; 以及组合输出单元，其在第一和第二比较信号中的至少一个被启用时能够进行测试结果信号。

4. 发明公开

KR1020160062651A 전원 패드를 구비하는 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：带电源的记忆装置
公开(公告)号：KR1020160062651A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：KR1020140177601
申请日：2014-12-10
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김윤철
IPC分类号： G11C5/14 , G11C29/00
CPC分类号： H01L24/06 , G11C29/12005 , G11C29/1201 , G11C29/48 , H01L22/32 , H01L23/60 , H01L2224/0392 , H01L2224/06131 , H01L2224/06134 , H01L2224/06515 , H01L2924/1304 , H01L2924/13091 , H01L2924/1434 , G11C5/148 , G11C5/141 , G11C5/142 , G11C5/147 , G11C29/006 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 메모리장치는패드, 내부회로, 전원연결부및 제 1 스위칭부를포함한다. 상기제 1 스위칭부는패키지제어신호에기초하여상기패드를전원연결부와선택적으로연결한다.
摘要翻译：本发明提供一种存储装置，包括：焊盘，内部电路，电源连接单元和第一开关单元。第一开关单元基于封装控制信号选择性地将焊盘连接到电源连接单元。根据本发明的实施例，通过增加向存储器件提供电力的焊盘的数量，可以将恒定和稳定的功率提供给存储器件。

5. 发明公开

KR1020150105056A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020150105056A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140027239
申请日：2014-03-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박선흠 , 박강욱 , 신헌종 , 유선일 , 윤종밀 , 장형순
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G11C5/06 , G11C5/02 , G11C5/025 , G11C8/14 , G11C29/1201 , G11C29/48 , G11C2029/5602
摘要： 테스트 회로 어레이를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다. 반도체 장치는 테스트 회로 어레이 영역과, 상기 테스트 회로 어레이 영역 둘레의 패드 영역을 포함하는 반도체 기판, 상기 테스트 회로 어레이 영역의 상기 반도체 기판 상에 서로 수직하는 제 1 방향 및 제 2 방향을 따라 배열된 트랜지스터들, 상기 제 1 방향으로 연장되며, 상기 트랜지스터들의 소스 전극들과 전기적으로 연결되는 소스 라인들, 및 상기 제 1 방향으로 연장되며, 상기 트랜지스터들의 드레인 전극들과 전기적으로 연결되는 드레인 라인들을 포함하되, 상기 소스 라인들 및 상기 드레인 라인들 각각은, 제 1 폭을 가지며 상기 테스트 회로 어레이 영역에 배치되는 배선부와 상기 제 1 폭보다 큰 제 2 폭을 가지며 상기 패드 영역에 배치되는 패드부를 포함하되, 서로 인접한 상기 패드부들은 상기 테스트 회로 어레이 영역으로부터의 거리가 � ��로 다른 위치들에 배치되는 반도체 장치.
摘要翻译：本发明涉及包括测试电路阵列的半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底，其包括测试电路阵列区域和测试电路阵列区域周围的焊盘区域; 在与第一方向垂直的第一方向和第二方向上配置在测试电路阵列区域的半导体衬底上的晶体管; 源极线，其在第一方向上延伸，并且电连接到晶体管的源极; 以及在第一方向上延伸并与晶体管的漏极电连接的漏极线。源极线和漏极线各自包括具有第一宽度的布线部，并且布置在测试电路阵列区域上; 以及具有比第一宽度宽的第二宽度的焊盘部，并且布置在焊盘区域上。相邻的焊盘部分被布置在与测试电路阵列区域不同的位置。

6. 发明公开

KR1020130126337A 반도체 장치의 테스트 장비, 반도체 장치의 테스트 시스템 및 반도체 장치의 테스트 방법 无效
标题翻译：半导体器件的测试装置，半导体器件的测试系统和测试半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020130126337A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020120050388
申请日：2012-05-11
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 곽석준
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/28 , H01L21/66 , G11C29/00
CPC分类号： G01R31/2601 , G01R1/06794 , G01R31/04 , G11C29/1201 , G11C29/48 , G11C2029/5006
摘要： The present technology is for more accurately detecting the connection between multiple connection parts and multiple interface pads. A test device of a semiconductor device including interface pads according to the present invention comprises multiple connection parts to be connected to the interface pads; a channel connected to the connection parts; a voltage generation part generating a test voltage to be applied to the channel; and a current detection part detecting a current flowing through the channel in response to the test voltage. [Reference numerals] (110) Voltage generation part;(120) Current detection part;(130) Result analysis part
摘要翻译：本技术用于更准确地检测多个连接部分和多个接口焊盘之间的连接。包括根据本发明的接口焊盘的半导体器件的测试装置包括要连接到接口焊盘的多个连接部分; 连接到连接部分的通道; 产生要施加到所述通道的测试电压的电压产生部件; 以及电流检测部，其响应于所述测试电压来检测流过所述通道的电流。（110）电压产生部;（120）电流检测部;（130）结果分析部

7. 发明授权

KR101298032B1 반도체 디바이스 및 그 테스트 방법 失效
标题翻译：半导体器件及其测试方法
公开(公告)号：KR101298032B1
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020100098466
申请日：2010-10-08
申请人： 피에스4 뤽스코 에스.에이.알.엘.
发明人： 니시오카나오히사
IPC分类号： G11C29/00 , G11C11/4078 , G11C5/02
CPC分类号： G11C29/48 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C29/1201 , H01L2224/16145 , H01L2924/01019 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/15311
摘要： 반도체 디바이스는, 기판 및 메모리 셀 어레이를 각각 포함하는, 계층화된 방식으로 배열된 복수의 메모리 칩, 및 복수의 메모리 칩을 관통하면서 제공된 복수의 전류 경로를 포함한다. 메모리 칩 각각은 메모리 칩 중 대응하는 메모리 칩으로부터 테스트 데이터를 판독하고 그 테스트 데이터에 응답하여 레이어 테스트 결과 신호를 메모리 칩 각각에 대한 상이한 전류 경로에 출력하는 테스트 회로를 포함한다.

8. 发明公开

KR1020130050776A 반도체 장치와 반도체 장치를 포함하는 반도체 시스템 및 그 동작방법 无效
标题翻译：具有半导体器件的半导体器件和半导体系统及其相同的方法操作
公开(公告)号：KR1020130050776A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：KR1020110116017
申请日：2011-11-08
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이정훈
IPC分类号： G01R31/28 , G11C29/00
CPC分类号： G11C29/021 , G11C11/40 , G11C29/028 , G11C29/1201 , G11C29/40 , G11C29/48
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a semiconductor system including the semiconductor device and an operation method thereof are provided to perform a stable measurement operation when an operation frequency of the semiconductor device is very high, as operating to measure parameters in minute unit accurately. CONSTITUTION: A data storing part(100) receives comparison data having an established data pattern from the outside and then swings the comparison data with a voltage difference, and classifies and stores logic levels thereof. A test operation part(140) determines a logic level of the test data applied from the outside under the state of having an established data pattern at every established time on the basis of a level of a data reference voltage in response to a level test code applied from the outside during a test operation period defined by a test entry/exit command, and generates a test result signal by comparing a logic level of the comparison data with the test data whose logic level is determined. A test operation measurement signal generation part(160) is enabled in response to the test entry command, and generates a test operation measurement signal disabled in response to the test result signal. [Reference numerals] (102) Multi-purpose register; (104) Data latch; (120,142) Data input buffer; (144) Logic level determination part; (146) Test result signal generation part; (160) Test operation measurement signal generation part
摘要翻译：目的：提供包括半导体器件的半导体器件和半导体系统及其操作方法，以在半导体器件的工作频率非常高时执行稳定的测量操作，以精确地测量微小单位的参数。构成：数据存储部（100）从外部接收具有建立的数据模式的比较数据，然后使比较数据以电压差摆动，并对其逻辑电平进行分类并存储。测试操作部件（140）根据数据参考电压的电平响应于电平测试代码，确定在每个建立时间具有建立的数据模式的状态下从外部施加的测试数据的逻辑电平在由测试进入/退出命令定义的测试操作期间从外部施加，并且通过比较比较数据的逻辑电平与确定逻辑电平的测试数据来生成测试结果信号。测试操作测量信号生成部分（160）响应于测试输入命令被使能，并且响应于测试结果信号产生禁用测试操作测量信号。（附图标记）（102）多用途寄存器; （104）数据锁存器; （120,142）数据输入缓冲器; （144）逻辑电平确定部; （146）测试结果信号生成部分; （160）测试运行测量信号生成部

9. 发明授权

KR101097447B1 데이터 전송 장치 有权
标题翻译：数据传输装置
公开(公告)号：KR101097447B1
公开(公告)日：2011-12-23
申请号：KR1020100051292
申请日：2010-05-31
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 구영준
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/22 , G11C29/10
CPC分类号： G11C29/48 , G11C29/1201
摘要： 본발명의데이터전송장치는테스트인에이블신호및 데이터스트로브신호에응답하여입력데이터및 테스트데이터중 하나를상기라이트데이터로서출력하는라이트데이터생성부및 인가신호에응답하여상기라이트데이터를입출력라인에인가하는로딩부를포함한다.

10. 发明授权

KR101069681B1 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR101069681B1
公开(公告)日：2011-10-04
申请号：KR1020090070092
申请日：2009-07-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 고복림
IPC分类号： G11C29/00 , G11C8/12 , G11C7/10
CPC分类号： G11C29/48 , G11C29/1201 , G11C29/26 , G11C2029/1802 , G11C2029/2602
摘要： 본발명은멀티비트테스트시에, 하나의메모리뱅크의일부서브뱅크와상기하나의메모리뱅크이외의다른메모리뱅크의일부서브뱅크에동일한테스트입출력라인을할당하도록구성된다

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