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1. 发明公开

KR1020140120638A 메모리 장치, 메모리 장치 및 메모리 시스템의 동작방법 审中-实审
标题翻译：存储器件，存储器件和存储器系统的操作方法
公开(公告)号：KR1020140120638A
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020130036707
申请日：2013-04-04
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 윤현수 , 권기창
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C7/00 , G11C11/406 , G11C11/40611 , G11C29/789 , G11C2229/726 , G11C2229/743 , G11C2229/763
摘要： 메모리 장치의 동작 방법은, 리페어 모드로 진입하는 단계; 액티브 커맨드와 함께 페일 어드레스를 인가받아 임시 저장하는 단계; 라이트 커맨드를 인가받고, 데이터 패드의 상태를 확인해 프로그램 여부를 결정하는 단계; 상기 결정하는 단계에서 프로그램 동작의 수행이 결정되면 상기 임시 저장된 페일 어드레스를 비휘발성 메모리에 프로그램하는 단계; 및 상기 프로그램하는 단계의 완료 이전에 프리차지 커맨드를 인가받는 단계를 포함한다.
摘要翻译：存储装置的操作方法包括以下步骤：进入修复模式; 接收到活动命令和故障地址，并临时存储所接收的命令和地址; 接收写入命令，并检查数据焊盘的状态以确定是否执行程序操作; 当确定在确定步骤中执行程序操作时，将临时存储的故障地址编程到非易失性存储器中; 并且在编程步骤完成之前接收预充电命令。

2. 发明公开

KR20180070779A 리페어 온 시스템에서의 포스트 패키지 리페어를 위한 데이터 백업 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180070779A
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR20160172820
申请日：2016-12-16
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： KIM DAE JEONG , LEE YOEN HWA
IPC分类号： G06F11/14
CPC分类号： G06F11/1458 , G06F11/1448 , G11C14/0018 , G11C2229/743
摘要： 본발명의실시예는리페어온 시스템에서의포스트패키지리페어를위한개선된데이터백업방법을개시한다. 본발명에따른데이터백업방법은메모리장치의리페어단위정보를메모리모듈로부터리드하고, 상기리드된리페어단위정보를레지스터에저장하고, 상기메모리모듈의억세스중에리드에러가발생되었을때 포스트패키지리페어의수행여부를결정하는것을포함한다. 또한, 상기방법은상기포스트패키지리페어가수행되는것으로결정되었을때 상기레지스터의상기리페어단위정보에근거하여상기메모리모듈의데이터백업동작을수행하는것을포함한다.

3. 发明公开

KR1020170088600A 스마트 셀프 리페어 장치 审中-实审
标题翻译：智能自我修复设备
公开(公告)号：KR1020170088600A
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：KR1020160008681
申请日：2016-01-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 심영보 , 이주현
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/00
CPC分类号： G11C29/12 , G11C17/18 , G11C29/08 , G11C29/1201 , G11C29/20 , G11C29/4401 , G11C29/78 , G11C29/785 , G11C29/804 , G11C2029/0407 , G11C2029/4402 , G11C2229/743
摘要： 본발명은스마트셀프리페어장치및 방법에관한것으로, 패키지리페어동작시리페어효율을향상시킬수 있도록하는기술이다. 이러한본 발명은패일어드레스에대한각 비트정보를퓨즈에저장하는퓨즈어레이, 패일이발생된타겟매트와타겟매트와센스앰프를공유하는인접한상부매트및 하부매트를리페어하도록제어하며, 패일모드에대응하여패일어드레스정보와, 로오퓨즈셋정보또는컬럼퓨즈셋정보를출력하는셀프리페어제어부, 패일어드레스정보와, 로오퓨즈셋정보또는상기컬럼퓨즈셋정보에대응하여리페어정보를퓨즈어레이에출력하는데이터제어부및 퓨즈어레이의럽처동작을제어하는럽처제어부를포함한다.
摘要翻译：智能型自我修复装置及方法技术领域本发明涉及一种智能型自我修复装置及方法，并且是用于提高包装修复操作中的修复效率的技术。本发明控制熔丝阵列，用于将天井衣服的每个比特信息存储在熔丝中，相邻的上垫和下垫与目标垫和读出放大器共享目标垫，相应大号连衣裙信息，劳伦斯熔丝组信息或列和自我修复控制器，L连衣裙信息用于输出熔丝组信息，劳伦斯熔丝组信息或响应于列熔丝输出修理信息设置信息转换成在熔丝阵列以及一个用于控制熔丝阵列除霜操作的除霜单元。

4. 发明公开

KR1020160006482A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160006482A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140086125
申请日：2014-07-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박가람
IPC分类号： G11C29/04 , G11C11/4072
CPC分类号： G11C29/70 , G11C7/20 , G11C2229/743 , G11C2229/763
摘要： 초기화동작이필요한반도체장치에관한것으로, 초기화모드시초기화되는제1 래치블록; 및부트업(boot up) 모드시상기제1 래치블록으로예정된제1 신호들이래치될때 초기화되는제2 래치블록을포함하는반도체장치가제공된다.
摘要翻译：本发明涉及需要初始化操作的半导体器件。半导体器件包括以初始化模式初始化的第一锁存块; 以及当由第一锁存块预定的第一信号被初始化时的第二锁存块在启动模式下被锁存。

5. 发明公开

KR1020150093473A 반도체 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 审中-实审
标题翻译：半导体存储器件和包括其的存储器系统
公开(公告)号：KR1020150093473A
公开(公告)日：2015-08-18
申请号：KR1020140014296
申请日：2014-02-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 최은석 , 오정석
IPC分类号： G11C29/04 , G11C7/14
CPC分类号： G11C16/28 , G11C16/0483 , G11C29/76 , G11C29/82 , G11C2229/723 , G11C2229/743
摘要： 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치는 기판 위에 적층되는 복수의 노멀 메모리 셀들 및 복수의 더미 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 복수의 노멀 메모리 셀들에 연결되는 노멀 워드 라인들, 복수의 더미 메모리 셀들에 연결되는 더미 워드 라인들을 포함한다. 복수의 노멀 메모리 셀들 중 배드 메모리 셀들이 존재할 때 배드 메모리 셀들은 복수의 더미 메모리 셀들 중 일부의 더미 메모리 셀들로 대체된다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，半导体存储器件包括：存储单元阵列，包括堆叠在基板上的多个正常存储单元和多个虚拟存储单元; 正常字线与正常记忆单元相连; 以及与虚拟存储单元连接的虚拟字线。当正常存储器单元中存在不良存储器单元时，坏的存储器单元被一些虚拟存储器单元替代。

6. 发明授权

KR101212748B1 반도체 메모리, 메모리 시스템 및 그 프로그래밍 방법 有权
标题翻译：半导体存储器，存储器系统及其编程方法
公开(公告)号：KR101212748B1
公开(公告)日：2012-12-14
申请号：KR1020100106842
申请日：2010-10-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 구기봉
IPC分类号： G11C29/04 , G11C29/16
CPC分类号： G11C17/18 , G11C29/785 , G11C2229/743 , G11C2229/763
摘要： 반도체메모리는외부에서입력된데이터를저장하도록구성된코어블록, 외부에서입력된데이터가기 설정된값인경우, 테스트모드신호및 명령에응답하여제어신호를활성화시키도록구성된제어부, 및제어신호가활성화된경우, 프로그래밍가능하도록구성된퓨즈회로부를포함한다.

7. 发明公开

KR1020120045352A 반도체 메모리, 메모리 시스템 및 그 프로그래밍 방법 有权
标题翻译：半导体存储器，存储器系统及其编程方法
公开(公告)号：KR1020120045352A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：KR1020100106842
申请日：2010-10-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 구기봉
IPC分类号： G11C29/04 , G11C29/16
CPC分类号： G11C17/18 , G11C29/785 , G11C2229/743 , G11C2229/763
摘要： PURPOSE: A semiconductor memory, a memory system, and a programming method thereof are provided to improve the yield of a memory module by selectively fuse-programming a plurality of semiconductor memories. CONSTITUTION: A core block(230) stores data inputted from the outside. A control unit(250) activates a control signal in response to a test mode signal and a command if the data is a preset value. A fuse circuit unit(260) is programmed if the control signal is activated. A data input unit processes the data to be stored in the core block.
摘要翻译：目的：提供半导体存储器，存储器系统及其编程方法，以通过选择性地对多个半导体存储器进行熔丝编程来提高存储器模块的产量。构成：核心块（230）存储从外部输入的数据。如果数据是预设值，则控制单元（250）响应于测试模式信号和命令激活控制信号。如果控制信号被激活，则对熔丝电路单元（260）进行编程。数据输入单元处理要存储在核心块中的数据。

8. 发明公开

KR1020110056453A 프로그래밍 가능한 메모리 보수 방식 无效
标题翻译：可编程存储器维修方案
公开(公告)号：KR1020110056453A
公开(公告)日：2011-05-30
申请号：KR1020107021687
申请日：2009-04-09
申请人： 램버스 인코포레이티드
发明人： 옹,아드리안,이. , 호,판
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C29/76 , G11C11/401 , G11C11/4085 , G11C29/027 , G11C29/04 , G11C29/12 , G11C29/4401 , G11C29/48 , G11C29/78 , G11C29/789 , G11C29/802 , G11C2229/743
摘要： 본 발명은 반도체 소자와, 이를 테스트하고 동작시키기 위한 방법, 시스템 및 장치를 제공한다. 반도체 메모리 소자는 데이터 저장 요소와 보수 회로를 포함한다. 상기 데이터 저장 요소는 주 데이터 저장 요소와 하나 이상의 예비 데이터 저장 요소를 포함하며, 상기 주 데이터 저장 요소는 메모리 액세스 동작을 위한 각각의 어드레스를 갖는다. 메모리 소자로부터 분리되어 있는 그 밖의 다른 반도체 소자에 의해 보수 회로는 주 데이터 저장 요소의 불량 어드레스를 인식하도록 프로그래밍될 수 있으며, 프로그래밍된 보수 회로는 인식된 불량 어드레스를 갖는 주 데이터 저장 요소에서, 대응하는 예비 데이터 저장 요소로 메모리 액세스를 리라우팅하도로 설정된다.
摘要翻译：一种包括用于存储修复地址的非易失性存储器的控制器，以及与非易失性存储器可操作地耦合的存储器控制单元。存储器控制单元包括存储器测试功能，其被配置为检测存储器设备内主要数据存储元件的故障地址。存储器件是与控制器分开的另一个半导体器件。所述存储器测试功能被配置为将所述修复地址存储在所述非易失性存储器中，所述修复地址指示所述主数据存储元件的故障地址。

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