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1. 发明公开

KR1020170137330A 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：存储设备
公开(公告)号：KR1020170137330A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020160069302
申请日：2016-06-03
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창현
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408
CPC分类号： G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/40611 , G11C11/40615 , G11C11/408 , G11C2211/4061
摘要： 메모리장치는다수의워드라인; 리프레시커맨드가스킵된횟수에대응하는개수의어드레스를저장하고, 버스트리프레시동작시저장된어드레스들을이용하여타겟어드레스를생성하는타겟어드레스생성부; 및타겟리프레시동작시상기다수의워드라인중 상기타겟어드레스에대응하는워드라인이리프레시되도록제어하는리프레시제어부를포함할수 있다.
摘要翻译：存储器件包括多个字线; 目标地址生成器，用于存储对应于刷新命令被跳过的次数的多个地址，并使用存储在突发刷新操作中的地址生成目标地址; 以及刷新控制器，用于在目标刷新操作期间控制多个字线中对应于目标地址的字线的刷新。

2. 发明公开

KR1020170125011A 뱅크 그룹 아키텍처가 있는 메모리 디바이스에서의 뱅크들 프리차징 및 리프레싱 审中-实审
标题翻译：银行组架构的存储设备中的银行预充电和刷新
公开(公告)号：KR1020170125011A
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020177021191
申请日：2016-02-12
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 베인스,컬지트에스. , 할버트,존비. , 보넨,나다브 , 레비,토머
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408
CPC分类号： G11C11/40618 , G11C11/40603 , G11C11/40611 , G11C11/4087
摘要： 메모리서브시스템리프레시관리는명령들이단일명령으로상이한뱅크그룹들에걸쳐하나이상의식별된뱅크들을액세스하는것을가능하게한다. 각각의뱅크그룹에의해개별뱅크그룹들에서의뱅크또는뱅크들을개별적으로식별하는명령들을전송하는대신에, 명령은메모리디바이스로하여금상이한뱅크그룹들에서의뱅크들을액세스하게할 수있다. 명령은리프레시명령일수 있다. 명령은프리차지명령일수 있다.
摘要翻译：存储器子系统刷新管理使指令能够在单个指令中访问不同银行组中的一个或多个识别的银行。指令可以使存储器设备访问不同银行组中的银行，而不是发送由各银行组单独识别各银行组中的银行或银行的指令。该命令可以是刷新命令。该命令可以是预充电命令。

3. 发明公开

KR1020170057704A 액세스 동작과 리프레쉬 동작의 충돌을 제어하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 审中-实审
标题翻译：一种用于控制访问操作和刷新操作之间的冲突的存储器件以及包括该存储器件的存储器系统
公开(公告)号：KR1020170057704A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：KR1020150161154
申请日：2015-11-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최원준 , 양희갑
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408 , G11C8/12 , G11C8/18
CPC分类号： G11C11/40603 , G11C11/40607 , G11C11/40618
摘要： 메모리장치는, 복수의메모리블록들을포함하는메모리뱅크, 코맨드제어로직, 행선택회로, 리프레쉬콘트롤러및 콜리젼콘트롤러를포함한다. 상기코맨드제어로직은메모리콘트롤러로부터수신되는코맨드를디코딩하여제어신호들을발생하고리프레쉬동작중에액세스동작을위한액티브코맨드를수신한다. 상기행 선택회로는상기메모리뱅크에대한상기액세스동작및 상기리프레쉬동작을수행한다. 상기리프레쉬콘트롤러는상기리프레쉬동작을제어한다. 상기콜리젼콘트롤러는상기액세스동작을위한행 어드레스신호및 상기리프레쉬동작을위한카운터어드레스신호의비교결과에기초하여상기액세스동작및 상기리프레쉬동작의충돌여부를나타내는대기신호를발생한다.
摘要翻译：所述存储器装置包含存储体，该命令的控制逻辑，行选择电路，所述刷新控制器并且包括多个存储器块的碰撞控制器。命令控制逻辑解码从存储器控制器接收的命令产生控制信号，并且在刷新操作期间接收用于访问操作激活命令。相位选择电路对存储体执行存取操作和刷新操作。刷新控制器控制刷新操作。碰撞控制器基于访问操作的行地址信号和用于刷新操作的计数器地址信号之间的比较结果，生成指示访问操作和刷新操作是否发生冲突的等待信号。

4. 发明公开

KR1020170054181A 제어회로 및 제어회로를 포함하는 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：一种包括控制电路和控制电路的存储装置
公开(公告)号：KR1020170054181A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150157003
申请日：2015-11-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 현상아
IPC分类号： G11C29/00 , G11C11/406 , G11C8/06 , G11C8/12
CPC分类号： G11C11/40611 , G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/40618 , G11C11/40622 , G11C11/408
摘要： 본발명에따른제어회로는메모리의사용영역을가변적으로설정할수 있는메모리장치에있어서, 메모리의사용영역을설정하는영역설정신호에기초하여리프레시(refresh) 시간을제어하는리프레시시간제어부, 및영역설정신호및 영역모드신호에기초하여외부어드레스에포함된적어도하나의비트(bit)를고정하여내부어드레스로제공하는어드레스제어부를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的控制电路是一种能够可变地设置存储器的使用区域的存储装置，该存储装置包括：刷新时间控制部分，用于基于用于设置存储器的使用区域的区域设置信号来控制刷新时间; 以及地址控制单元，用于基于信号和区域模式信号来固定包括在外部地址中的至少一个比特，并且提供固定地址作为内部地址。

5. 发明公开

KR1020170044937A 메모리 장치 및 이를 포함하는 시스템 审中-实审
标题翻译：存储设备和包含该设备的系统
公开(公告)号：KR1020170044937A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020150144665
申请日：2015-10-16
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창현 , 김민창 , 이도윤 , 이용우 , 이재진 , 정헌삼 , 정회권
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C11/408
CPC分类号： G11C11/40611 , G06F13/1636 , G11C11/40603 , G11C11/40615 , G11C11/40622 , G11C11/4087 , G11C11/4094 , G11C11/4096 , Y02D10/14
摘要： 본발명은메모리장치및 이를포함하는시스템에관한것으로, 메모리장치의리프레쉬전류를줄일수 있도록하는기술이다. 이러한본 발명은액티브신호의활성화시리프레쉬제어신호와로오인에이블신호에대응하여로오액티브신호를출력하는액티브제어부; 리프레쉬신호, 프리차지신호및 프리차지중지신호에대응하여리프레쉬동작을제어하기위한플래그비트를생성하여저장하고, 저장된플래그비트에대응하는로오인에이블신호를액티브제어부에출력하는리프레쉬제어부; 및로오액티브신호에대응하여해당하는메모리셀 어레이영역별로리프레쉬동작을수행하는셀 어레이부를포함한다.
摘要翻译：存储器件和包括该存储器件的系统技术领域本发明涉及存储器件和包括该存储器件的系统，并且是用于减小存储器件的刷新电流的技术本发明涉及一种有源控制单元，用于当激活信号被激活时响应于刷新控制信号和行使能信号而输出低有效信号; 刷新控制器，用于刷新信号，预充电信号，并通过存储标志位用于控制停止信号刷新操作相应地产生一个预充电，并且输出使能对应于误认为在有源控制单元所存储的标志位信号; 以及单元阵列单元，用于对与低有效信号对应的每个存储单元阵列区域执行刷新操作。

6. 发明公开

KR1020160092576A 반도체장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160092576A
公开(公告)日：2016-08-05
申请号：KR1020150012945
申请日：2015-01-27
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 정철문 , 강만근 , 황미현
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C7/10
CPC分类号： G11C11/40615 , G11C7/1063 , G11C11/40618 , G11C11/4087 , G11C29/12 , G11C7/1072 , G11C11/40603 , G11C11/40622 , G11C11/4063
摘要： 반도체장치는모드에진입한상태에서리프레쉬펄스에응답하여레벨이설정되는레벨신호를생성하고, 상기레벨신호에응답하여리프레쉬플래그신호로부터제1 구간신호및 제2 구간신호를생성하는리프레쉬제어부; 및상기제1 구간신호에응답하여제1 뱅크그룹에대한뱅크액티브신호들을생성하고, 상기제2 구간신호에응답하여제2 뱅크그룹에대한뱅크액티브신호들을생성하는뱅크액티브신호생성부를포함한다.
摘要翻译：半导体器件包括刷新控制部件，其在进入模式时响应于刷新脉冲产生具有设定电平的电平信号，并且响应于电平信号从刷新插头信号产生第一范围信号和第二范围信号 ; 以及存储体活动信号产生部件，其响应于第一范围信号而产生用于第一存储体组的反向有效信号，并且响应于第二范围信号产生用于第二存储体的存储体有效信号。因此，可以产生用于刷新操作的存储体活动信号。

7. 发明公开

KR1020160074210A 멀티 채널 셀프 리프레쉬 장치 审中-实审
标题翻译：多通道自刷新器件
公开(公告)号：KR1020160074210A
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020140183246
申请日：2014-12-18
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이상훈
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/403
CPC分类号： G11C11/40615 , G11C11/406 , G11C11/40611 , G11C11/40618 , G11C11/40626 , G11C29/50016 , G11C11/403 , G11C11/40603
摘要： 본발명은멀티채널셀프리프레쉬장치에관한것으로, 다채널반도체장치에서셀프리프레쉬동작시불량을줄일수 있도록하는기술이다. 이러한본 발명은복수의셀프리프레쉬신호를조합하여리프레쉬인에이블신호를출력하는조합부, 리프레쉬인에이블신호에대응하여일정주기를갖는셀프리프레쉬펄스신호를출력하는주기생성회로, 제 1셀프리프레쉬명령신호의활성화시셀프리프레쉬펄스신호에대응하여제 1리프레쉬신호를출력하는제 1PSRF 제어부및 제 2셀프리프레쉬명령신호의활성화시셀프리프레쉬펄스신호에대응하여제 2리프레쉬신호를출력하는제 2PSRF 제어부를포함한다.
摘要翻译：多通道自刷新装置技术领域本发明涉及多通道自刷新装置，更具体地说，涉及在多通道半导体装置中的自刷新操作期间能够降低误差的技术。根据本发明的多通道自刷新装置包括：组合单元，其组合多个自刷新信号，并输出刷新使能信号; 周期产生电路，响应于刷新使能信号输出具有预定时间周期的自刷新脉冲信号; 第一PSRF控制单元，当第一自刷新命令信号被激活时，响应于自刷新脉冲信号输出第一刷新信号; 以及第二PSRF控制单元，当第二自刷新命令信号被激活时，响应于自刷新脉冲信号输出第二刷新信号。

8. 发明授权

KR101601366B1 반도체 기억 장치 有权
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：KR101601366B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020130116119
申请日：2013-09-30
申请人： 가부시키가이샤 소시오넥스트
发明人： 후지오카신야
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4076 , G11C11/4063
CPC分类号： G11C7/02 , G11C11/40603 , G11C11/40618
摘要： 본발명은동작신뢰성을손상시키는일없이복수채널용으로이용할수 있는반도체기억장치를제공하는것을과제로한다. 제1 커맨드를생성하는제1 커맨드생성회로(18a, 18b)와, 제1 커맨드에기초하여, 또는입출력포트(15a, 15b)를통해입력된제2 커맨드에기초하여, 메모리코어(CORE1, CORE2)를제어하는제어회로(24a, 24b)를각각갖는복수의메모리블록(MB1, MB2)과, 하나의메모리블록의제1 커맨드생성회로에의해생성된제1 커맨드와, 다른메모리블록의입출력포트를통해입력된제2 커맨드가중복되었을때에, 제1 커맨드의실행개시를지연시키는지연신호(waitA, waitB)를하나의메모리블록의제어회로에출력하는조정회로(26)를갖는다.
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种半导体存储器件，它可以用于多个通道而不降低工作可靠性。第一命令生成电路18a和18b，用于基于经由输入/输出端口15a和15b输入的第一命令或第二命令生成第一命令，多个存储块MB1和MB2各自具有用于控制其他存储块的输入/输出端口的控制电路24a和24b，由一个存储块的第一命令生成电路生成的第一命令，对于一个存储块的控制电路，当通过第一命令输入的第二命令重叠时延迟信号（waitA，waitB）用于延迟第一命令的执行开始。

9. 发明公开

KR1020150107819A 프로세서-기반 시스템들에서 이종의 메모리 액세스 요청들을 지원하기 위한 이종의 메모리 시스템들, 및 관련 방법들 및 컴퓨터-판독 가능한 매체들 有权
标题翻译：异构存储器系统以及相关方法和计算机可读介质，用于支持基于处理器的系统中的异构存储器访问请求
公开(公告)号：KR1020150107819A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020157021849
申请日：2014-01-14
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 동,시앙유 , 서,정원
IPC分类号： G06F13/16 , G06F12/08 , G11C11/406
CPC分类号： G11C11/40603 , G06F12/08 , G06F13/1694 , Y02D10/14
摘要： 프로세서-기반 시스템들에서 이종의 메모리 액세스 요청들을 지원하기 위한 이종의 메모리 시스템들, 및 관련 방법들 및 컴퓨터-판독 가능한 매체들이 개시된다. 이종의 메모리 시스템은 주어진 메모리 액세스 요청에 대해 액세스될 수 있는 복수의 동종의 메모리로 구성된다. 각각의 동종의 메모리는 특정한 전력 및 성능 특성들을 갖는다. 이것에 관하여, 메모리 액세스 요청은 유리하게는, 메모리 액세스 요청 및 전력 및/또는 성능 고려사항들에 기초하여 이종의 메모리 시스템에서 동종의 메모리들 중 하나로 라우팅될 수 있다. 이종의 메모리 액세스 요청 정책들은 비-제한적인 예들로서 판독/기록 타입, 페이지 히트들의 주파수 및 메모리 트래픽과 같은 핵심적인 동작 파라미터들에 기초하여 동적으로 결정되거나 미리 정의될 수 있다. 이러한 방식으로, 메모리 액세스 요청 시간들은, 저장을 위해 이용 가능한 단지 하나의 메모리 타입을 갖는 것과 연관되는 트래이드오프들을 형성할 필요 없이 감소되도록 최적화될 수 있다.

10. 发明公开

KR1020150006467A 선택적으로 메모리의 리프레시를 행하는 제어 장치 审中-实审
标题翻译：控制设备，选择性地刷新记忆
公开(公告)号：KR1020150006467A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020147033848
申请日：2012-06-07
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 도이츠네히사
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C11/40622 , G06F12/0891 , G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/40607
摘要： 제어 장치(101)는, 메모리(103) 내의 메모리 영역(104)에 대한 액세스 요구를 검출한다. 제어 장치(101)는, 검출한 액세스 요구에 따라서 메모리 영역(104)에 기록되는 기록 정보 또는 메모리 영역(104)으로부터 독출되는 독출 정보가, 전하가 방전된 경우에 메모리 영역(104)에 기억되는 정보와 일치하는지의 여부를 판정한다. 제어 장치(101)는, 기록 정보 또는 독출 정보가, 전하가 방전된 경우에 메모리 영역(104)에 기억되는 정보와 일치한다고 판정한 경우, 메모리 영역(104)에 대한 리프레시 동작을 정지시킨다.

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