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1. 发明公开

KR1020170087103A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170087103A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：KR1020160006435
申请日：2016-01-19
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창현 , 김민창 , 이도윤 , 이재진 , 정헌삼
IPC分类号： G11C5/14 , G11C5/06 , G11C5/12 , G11C8/06 , G11C7/22
CPC分类号： G11C7/109 , G11C5/06 , G11C7/08 , G11C7/222 , G11C8/06 , G11C8/12 , G11C8/18 , G11C11/4076 , G11C11/419 , G11C29/023
摘要： 외부클럭, 외부커맨드, 및외부어드레스를입력받아출력하는외부신호입력부; 마스터인에이블신호에응답하여상기외부신호입력부의출력신호를내부클럭, 내부커맨드, 및내부어드레스로서출력하는복수개의제 1 신호전달부; 상기내부커맨드를상기내부클럭의설정된주기만큼지연시켜출력하는커맨드지연부; 상기마스터인에이블신호에응답하여상기커맨드지연부의출력신호를지연커맨드로서출력하는제 2 신호전달부; 및상기내부커맨드에응답하여상기내부어드레스를래치하고, 래치된신호를상기지연커맨드에응답하여래치어드레스로서출력하는어드레스래치부를구비한칩을포함한다.
摘要翻译：外部信号输入单元，用于接收和输出外部时钟，外部命令和外部地址; 多个第一信号传送单元，用于响应于主使能信号而输出外部信号输入单元的输出信号作为内部时钟，内部命令和内部地址; 命令延迟单元，将内部命令延迟内部时钟的预定周期并输出延迟的内部命令; 第二信号传输单元，用于响应于所述主使能信号而输出所述命令延迟单元的输出信号作为延迟命令; 以及地址锁存单元，用于响应于内部命令而锁存内部地址，并响应于延迟命令输出锁存的信号作为锁存地址。

2. 发明公开

KR1020170082199A 반도체장치 및 반도체시스템 审中-实审
标题翻译：半导体器件和半导体系统
公开(公告)号：KR1020170082199A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020160001234
申请日：2016-01-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 정헌삼 , 김민창 , 김창현 , 이도윤 , 이재진
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/409 , G11C11/408
CPC分类号： G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/408 , G11C11/4096
摘要： 반도체시스템은외부커맨드및 외부어드레스를출력하는제1 반도체장치및 상기외부커맨드에응답하여내부액티브커맨드를생성하고, 상기외부어드레스에응답하여액티브어드레스를생성하며, 상기내부액티브커맨드에응답하여리프레시신호및 리프레시어드레스를생성하고, 상기내부액티브커맨드및 상기액티브어드레스에응답하여내부동작을수행하며, 상기리프레시신호및 리프레시어드레스에응답하여리프레시동작을수행하는제2 반도체장치를포함한다.
摘要翻译：半导体系统响应于所述第一半导体器件和用于输出所述外部命令和外部地址的外部命令生成内部激活命令，并且响应于外部地址来产生有效地址，在响应于内部激活命令，刷新信号以及第二半导体器件，用于产生刷新地址，响应于内部激活命令和有效地址执行内部操作，并且响应于刷新信号和刷新地址执行刷新操作。

3. 发明公开

KR1020170044937A 메모리 장치 및 이를 포함하는 시스템 审中-实审
标题翻译：存储设备和包含该设备的系统
公开(公告)号：KR1020170044937A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020150144665
申请日：2015-10-16
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창현 , 김민창 , 이도윤 , 이용우 , 이재진 , 정헌삼 , 정회권
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C11/408
CPC分类号： G11C11/40611 , G06F13/1636 , G11C11/40603 , G11C11/40615 , G11C11/40622 , G11C11/4087 , G11C11/4094 , G11C11/4096 , Y02D10/14
摘要： 본발명은메모리장치및 이를포함하는시스템에관한것으로, 메모리장치의리프레쉬전류를줄일수 있도록하는기술이다. 이러한본 발명은액티브신호의활성화시리프레쉬제어신호와로오인에이블신호에대응하여로오액티브신호를출력하는액티브제어부; 리프레쉬신호, 프리차지신호및 프리차지중지신호에대응하여리프레쉬동작을제어하기위한플래그비트를생성하여저장하고, 저장된플래그비트에대응하는로오인에이블신호를액티브제어부에출력하는리프레쉬제어부; 및로오액티브신호에대응하여해당하는메모리셀 어레이영역별로리프레쉬동작을수행하는셀 어레이부를포함한다.
摘要翻译：存储器件和包括该存储器件的系统技术领域本发明涉及存储器件和包括该存储器件的系统，并且是用于减小存储器件的刷新电流的技术本发明涉及一种有源控制单元，用于当激活信号被激活时响应于刷新控制信号和行使能信号而输出低有效信号; 刷新控制器，用于刷新信号，预充电信号，并通过存储标志位用于控制停止信号刷新操作相应地产生一个预充电，并且输出使能对应于误认为在有源控制单元所存储的标志位信号; 以及单元阵列单元，用于对与低有效信号对应的每个存储单元阵列区域执行刷新操作。

4. 发明公开

KR1020170013487A 데이터입출력회로를 포함하는 반도체장치 및 반도체시스템 审中-实审
标题翻译：包含数据I / O电路和半导体系统的半导体器件
公开(公告)号：KR1020170013487A
公开(公告)日：2017-02-07
申请号：KR1020150106090
申请日：2015-07-27
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창현 , 김민창 , 이도윤 , 이재진 , 정헌삼
IPC分类号： G11C29/02 , G11C29/12 , G11C29/42 , G11C7/10
CPC分类号： G06F11/0784 , G06F11/0745 , G06F11/1048 , G06F13/28 , G11C5/04 , G11C7/10 , G11C7/1048 , G11C7/1054 , G11C7/222 , G11C29/52
摘要： 반도체시스템은외부스트로브신호및 외부데이터를출력하는제1 반도체장치및 라이트동작시 상기외부스트로브신호에동기되어상기외부데이터로부터불량정보를추출하고, 상기외부데이터및 상기불량정보를입출력라인을통해전달하며, 리드동작시 상기입출력라인에실리는상기불량정보로부터내부데이터의불량을정정하여상기외부데이터로출력하는제2 반도체장치를포함한다.
摘要翻译：半导体系统可以包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件可以输出外部选通信号和外部数据。在写入操作期间，第二半导体器件可以与外部选通信号同步地从外部数据提取错误信息，并且在写入操作期间通过输入/输出（I / O）线输出外部数据和错误信息。第二半导体器件可以利用加载在I / O线上的错误信息来校正内部数据的错误，以便在读取操作期间输出校正的内部数据作为外部数据。

5. 发明公开

KR1020070044641A 펄스 수를 선택적으로 조절하는 펄스 발생기와 이를포함하는 반도체 메모리 장치의 내부 전압 트리밍 제어회로 및 내부 전압 트리밍 제어 방법 失效
标题翻译：用于调整由脉冲发生器产生的选择脉冲数的脉冲发生器，具有脉冲发生器的半导体存储器件的内部电压调节控制电路以及用于控制内部电压调节的方法
公开(公告)号：KR1020070044641A
公开(公告)日：2007-04-30
申请号：KR1020050100785
申请日：2005-10-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 안선모 , 이도윤
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/00
CPC分类号： G11C5/147 , G11C7/22 , G11C29/028
摘要： 본 발명은 펄스 수를 선택적으로 조절하는 펄스 발생기와 이를 포함하는 반도체 메모리 장치의 내부 전압 트리밍 제어 회로 및 내부 전압 트리밍 제어 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 내부 전압 트리밍 제어 회로는 어드레스 신호의 비트 값에 따라 트리밍 펄스 신호의 발생 횟수를 선택적으로 조절할 수 있으므로, 반도체 메모리 장치의 내부 전압 트리밍을 위한 테스트 시간을 감소시킬 수 있고, 테스트 과정을 간소화시킬 수 있다.
클리어 신호 발생기, 트리밍 펄스 신호, 비교 회로

6. 发明公开

KR1020170040839A 반도체장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170040839A
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020150139723
申请日：2015-10-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김민창 , 김창현 , 이도윤 , 이재진 , 정헌삼
IPC分类号： G11C29/02 , G11C29/00 , G11C7/10
CPC分类号： G11C29/1201 , G11C7/106 , G11C7/1063 , G11C7/1087 , G11C7/109
摘要： 반도체장치는제1 동작구간동안제1 패드로입력된테스트데이터를입력받아메모리셀어레이에저장되는셀입력데이터를생성하기위한제1 입력제어데이터를생성하는제1 데이터입력부및 상기제2 동작구간동안상기메모리셀어레이에서출력되는셀출력데이터로부터생성된제1 출력제어데이터를입력받아제2 패드로출력하는제1 데이터출력부를포함한다.
摘要翻译：该半导体器件包括：第一数据输入单元，用于在第一操作时段期间接收输入到第一焊盘的测试数据，并且生成用于生成存储在存储器单元阵列中的单元输入数据的第一输入控制数据; 以及第一数据输出单元，用于接收从存储单元阵列输出的单元输出数据产生的第一输出控制数据，并将第一输出控制数据输出到第二焊盘。

7. 发明公开

KR1020170011289A 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 审中-实审
标题翻译：半导体存储器件及其工作方法
公开(公告)号：KR1020170011289A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150103664
申请日：2015-07-22
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창현 , 이재진 , 정헌삼 , 이도윤 , 김민창
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408 , G11C11/4074
CPC分类号： G11C8/08 , G11C7/04 , G11C8/00 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C11/4076 , G11C29/021 , G11C29/028
摘要： 리프레쉬동작을수행하는반도체메모리장치에관한것으로, 다수의워드라인각각연결되어있는다수의메모리셀, 온도에대응하는전압레벨의오프전압을생성하기위한오프전압생성부, 및상기다수의워드라인중 오프동작을수행하는워드라인을상기오프전압으로구동하기위한워드라인구동부를구비하는반도체메모리장치가제공된다.
摘要翻译：半导体存储器件包括耦合到多个字线的多个存储器单元，适用于生成具有与温度范围相对应的不同电压电平的字线去激活电压的字线去激活电压产生块，以及适于驱动字线的字线驱动块用从字线去激活电压中选择的字线去激活电压来停用。

8. 发明公开

KR1020160148789A 반도체장치 및 반도체시스템 审中-实审
标题翻译：半导体器件和半导体系统
公开(公告)号：KR1020160148789A
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：KR1020150085162
申请日：2015-06-16
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김민창 , 김창현 , 이도윤 , 이재진 , 정헌삼
IPC分类号： G11C7/10
CPC分类号： G11C7/222 , G11C7/10 , G11C7/109 , G11C7/1093
摘要： 반도체장치는라이트커맨드가생성되는시점으로부터설정구간이경과된시점에동기하여인에이블되는버퍼제어신호를생성하는버퍼제어신호생성회로; 상기버퍼제어신호에응답하여제1 데이터스트로브신호및 제2 데이터스트로브신호를입력받아제1 내지제4 입력제어신호를생성하는입력제어신호생성회로; 및상기제1 내지제4 입력제어신호에동기하여데이터를입력받아내부데이터를생성하는내부데이터생성회로를포함한다.
摘要翻译：半导体器件可以包括缓冲器控制信号生成电路，输入控制信号生成电路和内部数据生成电路。缓冲器控制信号生成电路可以被配置为产生缓冲器控制信号。缓冲器控制信号可以与从写入命令信号的时间点经过预定部分的时间点同步地被使能。输入控制信号生成电路可以被配置为响应于缓冲器控制信号而接收数据选通信号以产生输入控制信号。内部数据产生电路可以被配置为接收数据信号以产生内部数据。

9. 发明授权

KR100958799B1 내부 전압 생성회로와 그의 구동 방법 失效
标题翻译：内部电压发生器及其运行方法
公开(公告)号：KR100958799B1
公开(公告)日：2010-05-24
申请号：KR1020080112710
申请日：2008-11-13
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이도윤 , 김홍겸
IPC分类号： G11C5/14 , G11C11/4074
摘要： 본 발명은 기준전압과 내부전압의 전압레벨 차이에 대응하는 검출전압을 생성하기 위한 레벨검출수단과, 상기 검출전압의 전압레벨에 대응하는 주기를 가지는 발진신호를 생성하기 위한 발진신호 생성수단, 및 상기 발진신호에 응답하여 상기 내부전압을 생성하기 위한 내부전압 생성수단을 구비하는 내부 전압 생성회로를 제공한다.
내부 전압, 발진 신호, 주기, 구동전류

10. 发明公开

KR1020100019296A 내부 전압 생성회로와 그의 구동 방법 失效
标题翻译：内部电压发生器及其运行方法
公开(公告)号：KR1020100019296A
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：KR1020080112710
申请日：2008-11-13
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이도윤 , 김홍겸
IPC分类号： G11C5/14 , G11C11/4074
CPC分类号： G11C5/147 , G11C5/143 , G11C5/145 , G11C11/4074 , H02M3/07
摘要： PURPOSE: An internal voltage generator and an operating method thereof are provided to cope with a voltage level difference of an internal voltage and a reference voltage by generating an oscillation signal with a cycle. CONSTITUTION: A level detecting means(210) generates a detection voltage corresponding to a voltage level difference of an internal voltage and a reference voltage. An oscillation signal generation means(230) generates an oscillation signal with a cycle corresponding to the voltage level of the detected voltage. The internal voltage generation means responds to the oscillation signal. The internal voltage generation means generates the internal voltage. The internal voltage generation means generates the internal voltage in response to the oscillation signal through a pumping motion. The oscillation signal has the periodic time corresponding to the driving current controlled according to the voltage level of a detection voltage.
摘要翻译：目的：提供内部电压发生器及其操作方法，以通过产生具有循环的振荡信号来处理内部电压和参考电压的电压电平差。构成：电平检测装置（210）产生对应于内部电压和参考电压的电压电平差的检测电压。振荡信号产生装置（230）产生具有对应于检测电压的电压电平的周期的振荡信号。内部电压产生装置响应振荡信号。内部电压产生装置产生内部电压。内部电压产生装置通过泵送运动产生响应于振荡信号的内部电压。振荡信号具有对应于根据检测电压的电压电平控制的驱动电流的周期时间。

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