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1. 发明授权

KR102093107B1 다중 전자빔 리소그래피용 블랭크 마스크 및 포토마스크 有权
公开(公告)号：KR102093107B1
公开(公告)日：2020-03-25
申请号：KR1020160165816
申请日：2016-12-07
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 신철 , 이종화 , 양철규
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/40 , H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/027

2. 发明授权

KR102081592B1 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 마스크 有权
公开(公告)号：KR102081592B1
公开(公告)日：2020-02-26
申请号：KR1020140129339
申请日：2014-09-26
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 신철 , 이종화 , 양철규 , 최민기 , 김창준 , 장규진
IPC分类号： H01L21/027 , G06F1/26

3. 发明授权

KR102018530B1 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102018530B1
公开(公告)日：2019-09-05
申请号：KR1020180028629
申请日：2018-03-12
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 이창훈 , 홍주희 , 박철균
IPC分类号： G03F1/64 , G03F7/20 , G03F1/00

4. 发明授权

KR101801101B1 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 有权
标题翻译：倒相空白掩模和光掩模
公开(公告)号：KR101801101B1
公开(公告)日：2017-11-27
申请号：KR1020160107117
申请日：2016-08-23
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 신철 , 이종화 , 서성민 , 김세민
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/38 , G03F1/00 , H01L21/033
摘要： 본발명에따른위상반전막은동일한식각용액에식각가능한상호다른조성의막들로이루어지고, 다른조성의막들이각 1회이상적층된적어도 2층이상의다층막또는연속막형태로형성한다. 이에따라, 본발명은위상반전막의두께를줄일수 있음과아울러위상반전막의패터닝시 위상반전막패턴의경계가분명하도록가장자리부분의단면경사를가파르게형성할수 있어위상반전막패턴의투과율, 위상반전량균일성을확보할수 있음에따라위상반전막패턴및 피전사체의패턴정밀도를향상시킬수 있는위상반전블랭크마스크및 포토마스크를제공할수 있다.
摘要翻译：在根据本发明的相移膜包括蚀刻可能相互不同的组合物的层，以相同的蚀刻溶液中，以形成不同的组合物膜是一个多层膜或在层压的时间的连续膜的形式的各为1，至少两个或更多个层。因此，本发明可以降低相移膜厚度以及相移膜的相移膜中被图案化可大幅形成的图案的边界的边缘部分的横截面梯度清楚的是，相移膜图案的这里的透射率，相位反转可以提供能够提高相位反转膜图案和转印体的图案精度的相位反转空白掩模和光掩模。

5. 实用新型

KR2020170003768U 마스크 케이스 审中-实审
标题翻译：面膜盒
公开(公告)号：KR2020170003768U
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR2020170001957
申请日：2017-04-19
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 김용현 , 최형호 , 하성진
IPC分类号： G02F1/1333 , C08L27/06 , C08L55/02 , C08L67/03 , C08L33/20
摘要： 본발명은내부공간을형성하여내부공간에기판또는마스크를안치시키고보관할수 있도록구현한마스크케이스에관한것으로, 내부에공간을형성하여기판또는마스크를안치하기위한하부케이스; 상기하부케이스와체결하여, 상기하부케이스를덮어주기위한상부케이스; 및상기하부케이스와상기상부케이스의외부면에각각형성되어, 외부면을지지해주기위한다수개의지지대를포함한다.
摘要翻译：掩模壳体技术领域本发明涉及一种掩模壳体，其形成为形成内部空间并且能够在内部空间中容纳并存储基板或掩模，并且包括用于在其中形成空间以容纳基板或掩模的下壳体; 一个与下壳连接以覆盖下壳的上壳; 并且多个支撑件分别形成在下壳体和上壳体的外表面上，用于支撑外表面。

6. 发明授权

KR101593390B1 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：空白掩模和照片掩模及其制造方法
公开(公告)号：KR101593390B1
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020090034996
申请日：2009-04-22
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 차한선 , 양신주 , 김종민
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/38
摘要： 본발명은포토마스크제조시에사용되는블랭크마스크, 포토마스크, 그리고그 제조방법에관한것으로, 특히블랭크마스크제조시투명기판위에위상반전막, 차광막, 반사방지막중에서모두또는선택된 1종이상의박막을순차적으로적층하고, 모두또는 1종이상의박막에급속열처리를진행하여블랭크마스크의최상층막표면에서황산및 암모늄이온의농도가 100ppbv 이하, 평탄도가 1.0㎛이하, 그리고밀도가 1.0g/cm이상인것을특징으로하고레지스트막을도포하여이루어지는것을특징으로한다. 본발명은위상반전막, 차광막, 반사방지막중 어느하나의박막에급속열처리공정을실시함으로써황산및 암모늄이온의농도를감소시키고박막의치밀화가이루어지며, 평탄도를감소시킴으로써우수한형상을가지는레지스트패턴을형성할수 있으며, 고품질의포토마스크제조가가능하고리소그래피공정에서스컴의발생을감소시키는우수한품질의포토마스크를제조할수 있다.

7. 发明公开

KR1020160002332A 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 无效
标题翻译： BLANKMASK用于极端超紫外线光刻和使用它的光电子
公开(公告)号：KR1020160002332A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020150038688
申请日：2015-03-20
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 신철 , 양철규 , 이종화 , 최민기 , 김창준 , 장규진
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0337 , G03F1/20 , H01L21/0274 , H01L21/306
摘要： 본발명은흡수막을구성하고있는흡수층및 반사방지층을동일식각물질에의해식각되는물질로구성함으로써, 단 1회의식각공정만으로흡수층및 반사방지층의동시식각이가능하여공정중의결함및 이물질의발생을최소화할 수있는극자외선용블랭크마스크및 이를이용한포토마스크를제조할수 있다. 또한, 본발명은흡수막을구성하는경원소의조성비를조절하여요구되는흡수막의광학특성을확보함과동시에박막화를구현하여 14㎚급이하, 특히, 7㎚급이하의패턴구현시 우수한패턴정확도를갖는극자외선용블랭크마스크및 이를이용한고품질의극자외선용포토마스크를제공한다.
摘要翻译：本发明可以制造用于极紫外光刻的空白掩模，其可以最小化异物的产生和工艺中的缺陷，因为通过仅通过一次蚀刻工艺可以同时蚀刻吸收层和防反射层，吸收层和反射防止层，它们构成一个由相同蚀刻材料蚀刻的材料构成的吸收膜，并且可以制造使用该吸收层的光掩模。此外，本发明提供了一种用于极紫外光刻的空白掩模，其通过调节组成确保吸收膜所需的光学性能，在形成14nm或更小，特别是7nm或更小的图案时具有优异的图案精度构成吸收膜的光元件的比例也实现吸收膜的薄度，并且还提供用于极紫外光刻的高质量光掩模。

8. 发明授权

KR101511599B1 마스크 컨테이너 有权
标题翻译：面膜容器
公开(公告)号：KR101511599B1
公开(公告)日：2015-04-14
申请号：KR1020080129745
申请日：2008-12-19
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 강긍원 , 장동근
IPC分类号： B65D85/38 , B65D85/48 , G02F1/13
摘要： 본발명은, 대형마스크용유리기판, 블랭크마스크및 포토마스크중 어느하나의마스크가용이하게수납될수 있을뿐만아니라대형마스크의수납과정및 운송과정에서이물질의발생및 이물질의흡착을방지할수 있도록구조가개선된마스크컨테이너에관한것이다. 본발명에따른마스크컨테이너는사각의판 형상으로이루어지며그 두께방향과수직하게형성된제1표면및 제2표면을가지는블랭크마스크, 포토마스크, 또는유리기판중 어느하나의마스크가수납되는마스크컨테이너에있어서, 상기마스크의제1표면중 가장자리일부분이각각수용되는복수의제1수용부를가지는제1본체; 상기제1본체와마주하도록배치되며, 상기마스크의제2표면중 가장자리일부분이각각수용되는복수의제2수용부를가지는제2본체; 상기제1본체와제2본체를상기제1수용부및 제2수용부에수용된마스크의두께방향으로착탈가능하게결합시키는결합수단; 및상기마스크를상기제1수용부및 제2수용부내에고정시키는고정수단을구비하고, 상기제1본체및 제2본체의평판부는하나의수지판을사용하거나또는복수의수지판으로구성되며, 상기복수의수지판은이물질또는파티클(particle)에의한오염발생을방지할수 있도록수지판의접합면을서로접합(bonding)하여구성되며, 상기각 제1수용부의내측면에는, 상기마스크를지지하는제1접촉부재가결합되어있으며, 상기각 제2수용부의내측면에는, 상기마스크를지지하는제2접촉부재가결합되어있는것을특징으로한다.

9. 发明授权

KR101473162B1 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크 有权
标题翻译：相移空白面罩和照相机
公开(公告)号：KR101473162B1
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：KR1020140001830
申请日：2014-01-07
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 강긍원 , 신철 , 이종화 , 양철규 , 김창준 , 정시준 , 장규진
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/38
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/22 , G03F1/29 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/50
摘要： 본 발명은 투명 기판 상에 차광성막 및 위상반전막이 구비된 위상 반전 블랭크 마스크로서, 상기 차광성막은 그 두께를 박막화하기 위하여 적어도 크롬(Cr) 및 주석(Sn)을 포함하는 크롬주석(CrSn) 화합물로 이루어진다.
본 발명은 위상반전막 및 차광성막의 박막화를 구현할 수 있고, 하드 필름의 사용으로 더욱 미세하게 차광성막 및 위상반전막을 패터닝할 수 있어, 32nm급 이하의 미세패턴 구현이 가능하며, 우수한 패턴 정확도를 확보할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种在其透明基板上包括遮光膜和相移膜的相移掩模掩模。遮光膜由包含铬（Cr）和锡（Sn）的铬 - 锡（Cr-Sn）化合物制成，以使遮光膜的厚度变薄。根据本发明，可以将相移膜和遮光膜形成为较薄; 并且通过使用硬膜可以精细地构图相移膜和遮光膜。因此，可以形成32nm以下的微图案。并且可以获得极好的图案精度。

10. 发明授权

KR101437326B1 블랭크 마스크 및 포토 마스크용 투명 기판 有权
标题翻译： BLANKMASK和PHOTOMASK的透明基板
公开(公告)号：KR101437326B1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020140015236
申请日：2014-02-11
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 장동근 , 박연수 , 최형호 , 이현석
IPC分类号： G03F1/60 , G03F1/68
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/14 , G03F1/22 , G03F1/26 , G03F1/50 , G03F1/60
摘要： The present invention relates to a transparent substrate for a blankmask and a photomask, which has a main surface, a back surface, and a side surface, wherein a chamfered surface is arranged between the main surface and the side surface. An interface between the main surface and the chamfered surface is formed into a round surface having a circular arc shape, wherein the round surface has the circular arc shape equal to a circle with a radius of 0.1-1.0 mm. Thus, the present invention can minimize particles caused from the destruction of the transparent substrate due to external contacts, and form a resist layer with a fixed uniformity and the maximum area by reducing the width of an edge bead of the resist layer.
摘要翻译：本发明涉及一种用于坯料和光掩模的透明基板，其具有主表面，后表面和侧表面，其中在主表面和侧表面之间布置有倒角表面。主表面和倒角表面之间的界面形成为具有圆弧形状的圆形表面，其中圆形表面具有等于半径为0.1-1.0mm的圆的圆弧形状。因此，本发明可以最小化由于外部接触而导致的由于透明基板的破坏而引起的颗粒，并且通过减小抗蚀剂层的边缘珠的宽度来形成具有固定均匀性的抗蚀剂层和最大面积。

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