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热词
    • 2. 发明公开
    • 반도체 제조 장치 및 파티클 모니터링 방법
    • 用于制造半导体的装置和用于研究颗粒的方法
    • KR1020070009276A
    • 2007-01-18
    • KR1020050064413
    • 2005-07-15
    • 삼성전자주식회사
    • 박일정
    • H01L21/66
    • G01N21/9501G01N15/0205G01N15/0612G01N21/47G01N21/94
    • A semiconductor manufacturing device and a particle monitoring method are provided to detect the existence of particles in a process chamber in real time by installing a light source and a light receiver in a chamber of the semiconductor manufacturing device. A semiconductor manufacturing device includes a chamber(110) performing a predetermined semiconductor process, a light source(130) emitting light into the chamber, a light receiver(140) measuring intensity of light incident upon the light receiver, a first controller(150) comparing the measured intensity of the light incident upon the light receiver with a preset reference value, and a second controller(160) determining whether to perform the predetermined semiconductor process based on an output from the first controller.
    • 提供半导体制造装置和粒子监测方法,通过将光源和光接收器安装在半导体制造装置的腔室中来实时检测处理室中的颗粒的存在。 一种半导体制造装置,包括执行预定半导体处理的腔室(110),将光发射到腔室中的光源(130),测量入射在光接收器上的光的强度的光接收器(140),第一控制器(150) 将入射在光接收机上的光的测量强度与预设参考值进行比较;以及第二控制器(160),其基于来自第一控制器的输出来确定是否执行预定半导体处理。
    • 6. 发明授权
    • 반도체 제조 장치 및 파티클 모니터링 방법
    • 用于制造半导体的装置和用于研究颗粒的方法
    • KR100684903B1
    • 2007-02-20
    • KR1020050064413
    • 2005-07-15
    • 삼성전자주식회사
    • 박일정
    • H01L21/66
    • G01N21/9501G01N15/0205G01N15/0612G01N21/47G01N21/94
    • 본 발명은 반도체 제조 장치 및 파티클 모니터링 방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 제조 장치는 소정의 반도체 프로세스를 진행하는 챔버와, 상기 챔버의 내부로 광을 입사시키는 광원과, 상기 광원으로부터 입사되어 산란된 광을 감지하고 상기 산란된 광의 강도값을 측정하는 수광부와, 상기 산란된 광의 강도값과 이미 설정된 기준값과의 대소를 판별하는 제1 컨트롤러와, 상기 반도체 프로세스의 진행 여부를 결정하는 제2 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 파티클 모니터링 방법은 반도체 프로세스를 진행하고 이와 병행하여 레이저 광을 입사시키는 단계, 상기 입사된 광에서 산란된 광의 강도값을 측정하는 단계와, 상기 산란된 광의 강도값을 이미 설정된 기준값과 비교하는 단계, 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 큰 경우 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
      반도체, 웨이퍼, 파티클, 레이저 광, 수광부, 센서
    • 8. 发明公开
    • 포토레지스트를 포함한 현상액의 농도 산출 방법 및 농도 조절 장치
    • 用于包括光电子发展者的浓度计算方法和浓度控制系统
    • KR1020130102184A
    • 2013-09-17
    • KR1020120023204
    • 2012-03-07
    • 주식회사 에이치에스티
    • 홍석진박범수임현수김정현
    • G01N15/06G01N21/31G03F7/32H01L21/027
    • G01N15/0612G01N2021/3137G03F7/327G03F7/422H01L21/0273
    • PURPOSE: A method for measuring the concentration of a developer including photoresist and a concentration regulating device are provided to reduce a waste of the developer by recovering the developer spread on a substrate when a developing process is progressing and to reduce the amount of the developer utilized for the developing process by directly regulating the concentration of the recovered developer. CONSTITUTION: A method for measuring the concentration of a developer including photoresist includes the following steps of: dissolving the photoresist in a developer of reference concentration and measuring absorbance with a nephelometer while increasing the amount of the photoresist dissolved in the developer at a predetermined speed; measuring a difference of the concentration of the developer per each of measured absorbance values with neutralimetry and obtaining a correlation function between the absorbance and a concentration error of the developer; measuring the concentration of carbonate by measuring the absorbance of a developer sample with a nephelometer and measuring the conductivity of the developer sample with a nephelometer and the speed of ultrasonic waves; and calculating the concentration of the developer sample by using the measured absorbance, the concentration of the carbonate, the correlation function between the absorbance and the concentration error of the developer, the correlation function between the concentration of the carbonate and the concentration error of the developer, and the reference concentration of the developer. [Reference numerals] (5) Densitometer; (AA) Ultrapure water; (BB) Undiluted solution of a developer (25%); (CC) Regeneration solution for a developer; (DD) Developer with reference concentration; (EE,FF) Developing machine; (GG) System for regenerating a developer
    • 目的:提供一种用于测量包括光致抗蚀剂和浓度调节装置的显影剂浓度的方法,以在显影过程进行时回收显影剂扩散在基底上并减少显影剂的用量来减少显影剂的浪费 通过直接调节回收显影剂的浓度来进行显影过程。 构成:用于测量包括光致抗蚀剂的显影剂浓度的方法包括以下步骤:将光致抗蚀剂溶解在参考浓度的显影剂中并用浊度计测量吸光度,同时以预定速度增加溶解在显影剂中的光致抗蚀剂的量; 用中和法测量每个测量的吸光度值的显影剂浓度的差异,并获得显影剂的吸光度和浓度误差之间的相关函数; 通过用浊度计测量显影剂样品的吸光度并用浊度仪测量显影剂样品的电导率和超声波的速度来测量碳酸盐的浓度; 并通过使用测量的吸光度,碳酸盐浓度,显影剂的吸光度和浓度误差之间的相关函数来计算显影剂样品的浓度,碳酸盐浓度与显影剂浓度误差之间的相关函数 ,以及显影剂的参考浓度。 (附图标记)(5)密度计; (AA)超纯水; (BB)未稀释的显影剂溶液(25%); (CC)开发商的再生解决方案 (DD)具有参考浓度的显影剂; (EE,FF)开发机; (GG)用于再生显影剂的系统