专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101844608B1 복불화물 및 복불화물 형광체의 제조 방법 有权
标题翻译：生产双氟化物和双氟化物荧光粉的方法
公开(公告)号：KR101844608B1
公开(公告)日：2018-04-02
申请号：KR1020120035879
申请日：2012-04-06
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 가네요시,마사미 , 다까이,야스시
IPC分类号： C09K11/61 , C09K11/66
CPC分类号： C09K11/617 , C01B9/08 , C01G17/00 , C01G17/006 , C01G19/00 , C01G19/006 , C01G23/00 , C01G23/002 , C01G25/00 , C01G25/006 , C01G27/00 , C01G27/006 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62
摘要： AMF(M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn으로부터선택되는 1종이상, A는 Li, Na, K, Rb 및 Cs로부터선택되는 1종이상)로표시되는복불화물을 M의불화물을포함하는제1 용액및 A의불화물, 불화수소염, 질산염, 황산염, 황산수소염, 탄산염, 탄산수소염및 수산화물로부터선택되는화합물을포함하는제2 용액및/또는 A의화합물의고체각각을준비하여, 제1 용액과제2 용액및/또는고체를혼합하고 M의불화물과 A의화합물을반응시키고, 고체생성물을고액분리하여회수함으로써제조한다. 0 내지 100 ℃의저온에있어서용액의혼합에의한고체생성물의생성과, 그것에이어지는고액분리에의해서, 복불화물및 복불화물형광체를제조할수 있으며, 이제조방법은안전위생상의문제도발생하기어렵고, 생산성도높다. 또한, 얻어지는형광체의입경, 입자형상도고르고, 발광특성도양호하다.
摘要翻译：由AMF表示的杂环氟化物氟化物（M为硅，钛，锆，铪，Ge和一种或多种选自Sn，A为Li，Na，K，一个或多个选自R b，和Cs）M 以制备第一溶液，和，氟化物，氢氟酸是碳酸盐，硝酸盐，硫酸盐，硫酸氢，碳酸，固体，每个第二溶液和/或含化合物的化合物的选自氢碳酸盐，氢氧化物，包括选定的，混合第一溶液任务2溶液和/或固体，并且由M的化合物反应来制备和氟化物是由固体产物的固液分离回收。通过固液在固体产物中，并产生分离，它随后通过在0至100℃的低温下将溶液混合，并且可以制造出适合氟化物和氟化服装磷光体，现在也发生在安全和卫生问题粗方法是困难的，生产力也很高。另外，所得到的荧光体的粒径和粒子形状也良好，发光特性也良好。

2. 发明公开

KR1020160146789A 층상 물질 함유액 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：包含物质的液体及其生产方法
公开(公告)号：KR1020160146789A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020167031151
申请日：2015-03-18
申请人： 가부시키가이샤 아데카
发明人： 코바야시아츠시 , 타니우치료 , 아오야마요헤이
IPC分类号： C01G39/06 , C07D403/14 , C01B21/064 , C01G19/00 , C01G39/00 , C01G17/00 , C01G9/08 , C01G33/00
CPC分类号： B01F17/0064 , B01F17/0007 , B01F17/0057 , B01F17/0085 , C01B19/04 , C01B21/0648 , C01B33/22 , C01B33/40 , C01B33/42 , C01G17/00 , C01G19/00 , C01G25/00 , C01G39/06 , C01B21/064 , C01G9/08 , C01G33/00 , C01G39/00 , C01P2002/20 , C01P2002/72 , C07D403/14
摘要： 특정의카티온을포함하는이온액체에, 2종류이상의원소를구성원소로서포함하는층상물질의적층물을함유시켜, 그적층물을함유하는이온액체에, 음파및 전파중의적어도한쪽을조사한다.
摘要翻译：在含有特定阳离子的离子液体中含有各自含有两种以上元素作为构成元素的层状物质层叠体，并且使用声波和电波中的一种或两种照射含有层叠体的离子液体。

3. 发明授权

KR101505637B1 레이저를 이용한 나노입자 제조방법 有权
标题翻译：使用激光制备纳米粒子的方法
公开(公告)号：KR101505637B1
公开(公告)日：2015-03-24
申请号：KR1020140181701
申请日：2014-12-16
申请人： 주식회사 쇼나노 , 조원일
发明人： 조원일 , 김성범
IPC分类号： B82B3/00 , B01J19/08
CPC分类号： C01B33/021 , B01J19/08 , B01J19/121 , B01J27/12 , B01J2219/0883 , B01J2219/0892 , B22F9/28 , B22F2999/00 , B82B3/00 , B82B3/0004 , C01G17/00 , C01P2004/64 , B22F3/105 , B22F3/1039
摘要： 본 발명은 원료가스와 육불화황(SF
6 ) 촉매가스를 혼합한 혼합가스에 레이저 빔을 조사하여 나노입자를 제조함으로써, 생산수율이 향상되고 생산수율의 향상에 따른 에너지 절감효과가 있는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 나노입자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 종래의 레이저를 이용한 나노입자를 제조방법에서 생성수율이 낮은 문제점을 개선하기 위한 것으로 원료가스와 육불화황(SF
6 ) 촉매가스를 혼합한 혼합가스에 레이저 빔을 조사하여 나노입자를 제조함으로써, 촉매가스에 의해 나노입자의 생성수율이 향상되고, 특히 본 발명은 종래 나노입자의 제조시 나노입자의 생성수율이 낮아 미반응의 유독가스인 원료가스의 발생으로 환경이 훼손되고, 또한 폐기되는 원료가스를 회수하여 재사용시 시스템이 복잡해지고 높은 비용이 들게 되는 문제점을 보완하고자 원료가스와 촉매가스의 혼합가스에 에너지 흡수가 뛰어난 파장의 레이저를 조사하여 원료가스의 반응율을 높여 에너지 절감효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及使用激光制造纳米颗粒的方法，其中将激光束照射到与原料气体和六氟化硫（SF_6）催化剂气体混合的混合气体中，以产生纳米颗粒，使得产率可以得到改善，从而节约能源。本发明的方法可以通过将激光束照射到与原料气体和六氟化硫（SF_6）催化剂气体混合的混合气体中来制造纳米颗粒来解决生产率低的问题。通过催化剂气体改善了纳米颗粒的生产率。特别是，当生产现有的纳米颗粒时，生产成本低，并且产生作为惰性有毒气体的原料气体，其中环境被破坏。此外，当处理的原料气体被收集和重新使用时，系统变得复杂，成本高。为了解决这些问题，将具有优异的能量吸收波长的激光照射到原料气体和催化剂气体的混合气体中，使得原料气体的反应速率提高并且能够节约能量。

4. 发明公开

KR1020110064329A 수소 저장 착물의 제조방법 有权
标题翻译：作为氢储存材料的复合物的制备
公开(公告)号：KR1020110064329A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090120870
申请日：2009-12-08
申请人： 전남대학교산학협력단
发明人： 우희권 , 이준 , 김명희 , 조명식
IPC分类号： C01B6/24 , C01B6/23
CPC分类号： C01B6/23 , C01B3/0031 , C01B6/24 , C01G17/00
摘要： PURPOSE: A method for preparing a hydrogen storage complex is provided to confirm storage and release of hydrogen by color change and to suppress rapid exothermic reaction. CONSTITUTION: A method for preparing a hydrogen storage complex comprises: a step of preparing an alkali borohydride solution; and a step of reacting the solution with germanium oxide. The alkali borohydride is selected among sodium borohydride, potassium borohydride, and lithium borohydride. The method further comprises a step of centrifuging and washing.
摘要翻译：目的：提供一种制备储氢络合物的方法，用于通过变色确定氢的储存和释放，并抑制快速放热反应。构成：一种制备储氢络合物的方法，包括：制备碱金属硼氢化物溶液的步骤; 以及使溶液与氧化锗反应的步骤。碱式硼氢化钠选自硼氢化钠，硼氢化钾和硼氢化锂。该方法还包括离心和洗涤步骤。

5. 发明公开

KR1020090012475A 게르마늄 나노선 제조 방법 无效
标题翻译：制造GE NANOWIRE的方法
公开(公告)号：KR1020090012475A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070076330
申请日：2007-07-30
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 고대홍 , 김상연 , 손현철 , 조만호
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02603 , B82Y40/00 , C01B33/00 , C01G17/00 , C01P2004/16 , H01L21/30604
摘要： A manufacturing method of silicon-germanium nano wire is provided to have a high component content of pure germanium nano wire or germanium by controlling oxidation time etc. under a proper oxidation condition and exhausting silicon of the silicon-germanium nano wire. A manufacturing method of silicon-germanium nano wire(30) of which a component content of pure germanium nano wire or germanium is high comprises steps of: (a) providing the nano wire(10) consisting of silicon-germanium; (b) putting the nano wire under an oxidizing atmosphere and forming a silicon oxide film(20) on the nano wire; and (c) removing the silicon oxide film formed at the step (b). In the step (b), a silicone concentration of the silicon-germanium nano wire is controlled by controlling oxidation time and growing a silicon oxide film.
摘要翻译：提供硅 - 锗纳米线的制造方法，通过在适当的氧化条件下控制氧化时间等，并通过硅 - 锗纳米线的排出硅，使纯锗纳米线或锗的成分含量高。纯锗纳米线或锗的成分含量高的硅 - 锗纳米线（30）的制造方法包括以下步骤：（a）提供由硅 - 锗组成的纳米线（10）; （b）将纳米线放在氧化气氛下并在纳米线上形成氧化硅膜（20）; 和（c）除去在步骤（b）中形成的氧化硅膜。在步骤（b）中，通过控制氧化时间和生长氧化硅膜来控制硅 - 锗纳米线的硅氧烷浓度。

6. 发明公开

KR1020170115320A 글루코스를 이용한 다공성 게르마늄-카본 복합체 제조방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170115320A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：KR1020160042820
申请日：2016-04-07
申请人： 숭실대학교산학협력단
发明人： 박경원 , 최희선 , 이규호 , 김시진 , 김민철
IPC分类号： C01B31/02 , C01G17/00 , H01M4/36 , H01M4/13
CPC分类号： C01B32/05 , C01G17/00 , C01P2006/12 , H01M4/13 , H01M4/362 , Y02E60/122
摘要： 본발명은글루코스를이용한다공성게르마늄-카본복합체제조방법에관한것으로서, 상기제조방법에의해제조된다공성게르마늄-카본복합체를리튬이차전지음극활물질로이용할경우, 우수한수명특성및 율속특성을나타내며, 특히상기다공성게르마늄-카본복합체은간단한공정으로효율적으로제조할수 있다.

7. 发明授权

KR101427222B1 단일벽 금속 산화물 나노튜브 有权
标题翻译：单壁金属氧化物纳米管
公开(公告)号：KR101427222B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020127022700
申请日：2011-03-16
申请人： 조지아 테크 리서치 코오포레이션
发明人： 강,두-옌 , 나이르,산카르 , 존스,크리스토퍼,더블유.
IPC分类号： C01B33/26 , B82B3/00
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/26 , C01G1/02 , C01G17/00 , C01G53/006 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/86 , C01P2002/88 , C01P2004/04 , C01P2004/13
摘要： 본 발명은 단일벽 알루미노실리케이트 나노튜브(SWNT)를 진공하에 250 내지 300℃에서 가열시킴으로써 단일벽 금속 산화물 나노튜브를 탈수시키는 방법; SWNT를 진공하에 300 내지 340℃에서 가열시킴으로써 SWNT를 탈하이드록실화하는 방법; SWNT를 진공하에 300℃에서 가열시켜 SWNT를 부분적으로 탈하이드록실화하고 탈수시킴을 포함하는, SWNT의 공극 용적을 최대화시키는 방법; 탈수 또는 탈수 및 탈하이드록실화에 이어 SWNT를 유도체와 무수 조건하에 반응시켜 이의 내부 표면에서 유도체화되는 SWNT를 생산함을 포함하는, SWNT의 내부 표면을 개질시키는 방법을 제공한다. 본 발명은 또한 본 발명의 방법으로 제조된 단일벽 나노튜브를 포함한다.

8. 发明公开

KR1020100022454A 촉매 수소화 반응 无效
标题翻译：催化加氢
公开(公告)号：KR1020100022454A
公开(公告)日：2010-03-02
申请号：KR1020097022832
申请日：2008-03-28
申请人： 스파운트 프라이비트 에스.에이.알.엘.
发明人： 홀스벤 , 모흐세니-알라사예드-자바 , 바우흐크리스티안 , 아우너노베르트 , 홀트아우젠맥스 , 바그너마티아스
IPC分类号： C01B33/04 , C01B6/06 , C01G17/00
CPC分类号： C01B6/06 , C01B33/04 , C01G17/00
摘要： The invention relates to a method for the catalytic hydrogenation of halogenated silanes or halogenated germanes, according to which halogenated monosilanes, oligosilanes or polysilanes, or monogermanes, oligogermanes or polygermanes, are hydrogenated or partially hydrogenated with hydrogenated Lewis acid-base pairs, and the partially halogenated Lewis acid base pairs can be rehydrogenated, especially with further addition of Hand the heterolysis thereof on the Lewis acid-base pairs, releasing hydrogen halide.
摘要翻译：本发明涉及卤化硅烷或卤代锗烷的催化氢化方法，根据该方法卤化单硅烷，低聚硅烷或聚硅烷，或单锗烷，低聚锗或多晶硅，用氢化路易斯酸碱对进行氢化或部分氢化，部分卤代路易斯酸碱基对可以被再氢化，特别是进一步加入在路易斯酸碱对上进行异解，释放卤化氢。

9. 发明公开

KR1020090115725A 고급 실란의 제조 방법 有权
标题翻译：生产高硅烷的方法
公开(公告)号：KR1020090115725A
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：KR1020097016879
申请日：2007-12-20
申请人： 에보니크 데구사 게엠베하
发明人： 랑,유르겐에르윈 , 라울레더,하르트비그 , 뮈흐,에케하르트
IPC分类号： C01B33/107 , C01G17/04 , H05H1/00 , C01B21/068
CPC分类号： B01J19/088 , B01J2219/0803 , B01J2219/0894 , C01B21/068 , C01B21/0823 , C01B32/907 , C01B33/04 , C01B33/107 , C01B33/12 , C01B33/36 , C01G17/00 , C01P2002/86 , C07F7/083 , C07F7/30
摘要： The invention relates to a method for producing dimeric and/or trimeric silicon compounds, in particular silicon halogen compounds. The claimed method is also suitable for producing corresponding germanium compounds. The invention also relates to a device for carrying out said method to the use of the produced silicon compounds.
摘要翻译：本发明涉及二聚和/或三聚硅化合物，特别是硅卤素化合物的制备方法。所要求保护的方法也适用于生产相应的锗化合物。本发明还涉及用于实施所述方法来使用所生产的硅化合物的装置。

10. 发明公开

KR1020030005722A 건식 금속 게르마늄 제조방법과 그 정제장치 无效
标题翻译：制备金属的锗金属和净化设备的干法制备
公开(公告)号：KR1020030005722A
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：KR1020010041142
申请日：2001-07-10
申请人： (주)나인디지트
发明人： 우상모 , 김근 , 김진화 , 권영일
IPC分类号： C01G17/00
CPC分类号： C01G17/00 , C01P2006/80
摘要： PURPOSE: A preparation method of germanium metal(Ge) from germanium ore by drying process and a purification equipment of prepared germanium metal are provided, which doesn't discharge waste water and other wastes, and increases purity of germanium, respectively. CONSTITUTION: The germanium metal is prepared by the following steps of: (i) adding carbon tetrachloride(CCl4) to germanium ore, expressed by the formula germanium ore(GeO2 1%) + CCl4 + catalyst -->GeCl4 + CO2; (ii) drying the mixture at 400deg.C to form crude GeCl4; (iii) adding CCl4 and AsCl3 to the crude GeCl4; (iv) fractional distilling the mixture of step (iii) for separation and purification of AsCl3; (v) fractional distilling the mixture of GeCl4 and CCl4 for separation; (vi) hydrolyzing the separated GeCl4 with high purity distilled water to form GeO2; and (vii) reducing the prepared GeO2. The purification method of Ge metal by directional purifier is as follows; pouring the prepared Ge metal into a rotary tube; vacuuming the inside of the tube with a pump; heating the rotary tube until Ge is melt and moving the heater along an axis of the rotary tube, which results in that impurities contained in Ge is gathered to one side of Ge; taking Ge metal out of the tube and cutting the impurity part of Ge metal.
摘要翻译：目的：通过干燥工艺制备锗矿锗（Ge），制备锗金属的净化设备，不排放废水等废物，提高锗的纯度。构成：通过以下步骤制备锗金属：（i）向锗矿添加四氯化碳（CCl4），由锗矿（GeO2 1％）+ CCl4 +催化剂 - > GeCl4 + CO2表示; （ii）将混合物在400℃下干燥以形成粗GeCl 4; （iii）将CCl 4和AsCl 3加入到粗GeCl 4中; （iv）分级蒸馏步骤（iii）的混合物以分离和纯化AsCl 3; （v）分级蒸馏GeCl4和CCl4的混合物进行分离; （vi）用高纯度蒸馏水水解分离的GeCl 4以形成GeO 2; 和（vii）还原制备的GeO 2。定向净化器对Ge金属的净化方法如下：将制备的Ge金属倒入旋转管中; 用泵抽真空管内; 加热旋转管，直到Ge熔化并沿着旋转管的轴线移动加热器，这导致Ge中包含的杂质聚集到Ge的一侧; 将Ge金属从管中取出并切割Ge金属的杂质。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式