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1. 发明授权

KR101450225B1 상변화 메모리 저항 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：相变记忆电阻元件及其制作方法
公开(公告)号：KR101450225B1
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020120000470
申请日：2012-01-03
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 조만호 , 장문형 , 박승종 , 박성진 , 임동혁
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
摘要： 본 발명은 황(S), 텔루리움(Te) 및 셀레늄(Se) 중에서 선택되는 1종 이상의 원소; 및 안티몬(Sb), 비소(As), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 인(P), 은(Ag), 산소(O), 인듐(In) 및 비스무트(Bi) 중에서 선택되는 2종 이상의 원소;를 포함하는 화합물로 이루어지며, 상기 화합물에는 산소(O)가 더 첨가되어 다결정 상태인 것을 특징으로 하는 상변화 재료막을 포함하는 상변화 메모리 저항 소자에 관한 것으로서, 본 발명은 산소가 첨가된 칼코겐 화합물을 상변화 재료막으로 사용하여 다중기록 특성 및 향상된 기록 속도를 가져 고속 동작이 가능한 비휘발성 메모리 저항 소자의 구현이 가능하며, 또한, 산소가 첨가된 칼코겐 화합물을 상변화 물질을 이용하여 빠른 응답속도 및 다중 기록 특성을 가진 CD 등의 기록 매체를 제공할 수도 있다.

2. 发明授权

KR101450224B1 테라헤르츠파 생성용 간접 밴드갭 반도체 및 이를 포함하는 테라헤르츠파 발생기 有权
标题翻译：用于发射太赫兹波和太赫兹波发生器的间接带隙半导体
公开(公告)号：KR101450224B1
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020130021788
申请日：2013-02-28
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 조만호 , 이우정 , 강철 , 마진원 , 배정민
IPC分类号： H01S1/00
摘要： 본 발명은 테라헤르츠파 생성용 간접 밴드갭 반도체에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노 와이어 구조의 간접형 밴드갭 반도체 소재는 광여기된 전자-정공 운반체수가 많고, 나노 와이어 표면에 강한 내부 전기장이 형성되어 테라헤르츠 영역에서 포논의 방출을 야기하여 테르헤르츠파 발광을 증대할 수 있어 발광소자나 검출기와 같은 테라헤르츠 발광을 이용하는 광전자 장치에 적용이 가능하다.

3. 发明公开

KR1020130062211A 가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：可变电阻记忆体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130062211A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：KR1020110128695
申请日：2011-12-03
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 조만호 , 백주혁 , 김태현 , 최혜진
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , H01L45/144
摘要： PURPOSE: A variable resistance memory device and a method for fabricating the same are provided to improve storage density by using a SbmSen material layer. CONSTITUTION: A memory cell(SE) includes a first electrode(BE), a second electrode(TE), and an SbmSen material layer. The SbmSen material layer is arranged between the first electrode and the second electrode. The SbmSen material layer includes a phase separation structure. The phase separation structure has Sb atoms and Se atoms. The Sb atoms and the Se atoms are contacted with each other.
摘要翻译：目的：提供可变电阻记忆装置及其制造方法，以通过使用SbmSen材料层来提高存储密度。构成：存储单元（SE）包括第一电极（BE），第二电极（TE）和SbmSen材料层。 SbmSen材料层布置在第一电极和第二电极之间。 SbmSen材料层包括相分离结构。相分离结构具有Sb原子和Se原子。 Sb原子和Se原子彼此接触。

4. 发明授权

KR101141244B1 고유전율 물질인 하프늄옥사이드 산화막의 두께 조절을 이용한 게이트 산화막 형성방법 및 이를 이용한 게이트 전극 有权
标题翻译：使用与氧化膜厚度对应的栅极氧化膜和使用其的栅电极形成栅极氧化膜的方法
公开(公告)号：KR101141244B1
公开(公告)日：2012-05-04
申请号：KR1020100093895
申请日：2010-09-28
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 조만호 , 강유선 , 김충의 , 장문형 , 고대홍
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 게이트 전극을 제조함에 있어서 게이트 산화막을 형성하는 공정에 관한 것으로서, 인듐포스파이드(InP) 화합물로 이루어지는 반도체 기판을 사용하고, 상기 반도체 기판 위에 하프늄옥사이드(Hf-Oxide) 물질로 이루어진 산화막의 두께를 조절하여 증착하는 단계를 포함하는 게이트 산화막 형성방법 및 이에 의해서 형성된 산화막을 포함하는 게이트 전극에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 고유전막인 하프늄옥사이드 산화막의 형성에 있어서 그 두께를 조절하여 반도체 기판과 산화막간의 계면층을 제거할 수 있어 산화막의 등가산화막두께(equivalant oxide thickness, EOT)를 감소시키고 유전율을 증가시켜 정전용량 값을 증가시키므로 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있고, 계면층 제거를 위한 클리닝 공정 단계를 줄이고 기존 공정의 변화없이 소자의 특성을 향상시킬 수 있어서 공정효율도 향상시킬 수 있다. 또한, 기판과 산화막 사이의 계면응력을 조절하여 소자 채널 부분의 전하 이동도를 향상시킬 수도 있다.

5. 发明公开

KR1020120032307A 고유전율 물질인 하프늄옥사이드 산화막의 두께 조절을 이용한 게이트 산화막 형성방법 및 이를 이용한 게이트 전극 有权
标题翻译：使用HF氧化物膜厚度和门电极形成栅极氧化膜的方法
公开(公告)号：KR1020120032307A
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：KR1020100093895
申请日：2010-09-28
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 조만호 , 강유선 , 김충의 , 장문형 , 고대홍
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316
CPC分类号： H01L29/4232 , H01L21/316
摘要： PURPOSE: A gate oxide film formation method which utilizes a thickness control process of a hafnium oxide film which has high dielectric constant and a gate electrode using the same are provided to reduce the equivalent oxide film thickness of an oxide film by easily eliminating an interfacial layer between a semiconductor substrate and an oxide film. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is comprised of an indium-phosphide compound. An oxide film which is comprised of a hafnium oxide material is deposited on the semiconductor substrate. The thickness of the hafnium oxide film is controlled within a range from 5.5nm to 11nm. The interfacial stress between the oxide film and the semiconductor substrate is 0.095 to 0.55 percent.
摘要翻译：目的：提供使用具有高介电常数的氧化铪膜的厚度控制过程和使用其的栅电极的栅极氧化膜形成方法，以通过容易地消除界面层来降低氧化膜的等效氧化膜厚度在半导体衬底和氧化膜之间。构成：半导体衬底由磷化铟化合物构成。在半导体衬底上沉积由氧化铪材料构成的氧化物膜。氧化铪膜的厚度控制在5.5nm至11nm的范围内。氧化膜和半导体衬底之间的界面应力为0.095〜0.55％。

6. 发明公开

KR1020110135742A ＨｆＯ2 을 삽입한 저항변화 메모리 소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译： HFO2插入雷达及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110135742A
公开(公告)日：2011-12-19
申请号：KR1020100055643
申请日：2010-06-11
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 조만호 , 임동혁 , 송진호 , 정광식
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/04 , G11C13/0007 , H01L45/146
摘要： PURPOSE: A resistance alteration memory device and a manufacturing method thereof are provided to improve a performance characteristic of the resistance alteration memory device by supplementing a defect which exists in the interface in which a metal oxide layer and an electrode are contiguous. CONSTITUTION: A resistance alteration layer is formed between a first electrode for earth and a second electrode for voltage sanction. The resistance alteration layer comprises a metal oxide layer(300) and an HfO2 high dielectric constant layer(400). The metal oxide layer is formed on the first electrode. The HfO2 high dielectric constant layer is formed into the thickness of 1 to 10Å on the metal oxide layer. The metal oxide layer is composed of TiO2.
摘要翻译：目的：提供电阻变化记忆装置及其制造方法，通过补充存在于金属氧化物层和电极相邻的界面中的缺陷来提高电阻变化存储装置的性能特性。构成：在用于地球的第一电极和用于电压制裁的第二电极之间形成电阻改变层。电阻变化层包括金属氧化物层（300）和HfO 2高介电常数层（400）。金属氧化物层形成在第一电极上。 HfO 2高介电常数层在金属氧化物层上形成1〜10埃的厚度。金属氧化物层由TiO 2组成。

7. 发明公开

KR1020090016432A 저 컨택트저항 실리콘계 나노선 및 그 제조방법 无效
标题翻译：具有低接触电阻的硅基纳米管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090016432A
公开(公告)日：2009-02-13
申请号：KR1020080078218
申请日：2008-08-09
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 고대홍 , 손현철 , 조만호 , 김상연
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y25/00
CPC分类号： C01B33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/06 , C01G17/00 , C01P2004/16 , C01P2006/40
摘要： A manufacturing method of base contact resistance silicon nano wire is provided to be contacted when metal wiring and nano wire are joined in case that a transistor other device is made by using the nano wire. A manufacturing method of base contact resistance silicon nano wire comprises steps of: preparing silicon or silicon-germanium nano wire(50); laminating radially a metallic foil(60) at a surface of the nano wire by a sputtering or a method for atomic layer deposition; forming a metal-silicide layer(70) through a thermal process; and removing metal which does not participate in reaction through wet etching.
摘要翻译：在通过使用纳米线制造晶体管其它器件的情况下，提供接合金属线和纳米线的基极接触电阻硅纳米线的制造方法。碱接触电阻硅纳米线的制造方法包括以下步骤：制备硅或硅 - 锗纳米线（50）; 通过溅射或原子层沉积的方法在纳米线的表面处径向地层压金属箔（60）; 通过热处理形成金属硅化物层（70）; 并通过湿蚀刻除去不参与反应的金属。

8. 发明授权

KR101891266B1 칼코게나이드 박막 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101891266B1
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：KR1020150156643
申请日：2015-11-09
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 조만호 , 최혜진 , 정홍식 , 강철 , 김태현 , 박한범
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 본발명은전하운반자타입을선택적으로제어할수 있는칼코게나이드박막및 이의제조방법에관한것으로, n-타입의칼코게나이드층을포함하여원자단위를제어한칼코게나이드기반의비정질상태의박막구조를합성한후 상기박막을열처리함으로써운반자타입을변환시키는데탁월한효과를나타낸다. 또한, 상기와같이박막을열처리하는비교적단순한공정만으로도박막내의전하운반자타입을제어할수 있어, 종래의복잡한공정에비하여공정을단순화할수 있으므로경제적측면에서도우수한효과를달성할수 있다.

9. 发明公开

KR1020170123000A 열전 재료, 이의 제조 방법 및 열전 소자 无效
标题翻译：热电材料，其制造方法和热电元件
公开(公告)号：KR1020170123000A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020160052070
申请日：2016-04-28
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 조만호 , 최혜진 , 채지민 , 박한범
IPC分类号： H01L35/12 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/34 , H01L35/02
CPC分类号： H01L35/02 , H01L35/12 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/34
摘要： 본발명은열전재료, 이의제조방법및 열전소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 칼코겐원소를포함하는제 1 물질층, 및상기칼코겐원소와금속원소사이의반응화합물을포함하는제 2 물질층을포함하며, 상기제 2 물질층내에상기제 1 물질층이삽입된구조를갖는열전재료가제공될수 있다.
摘要翻译：本发明涉及热电材料，其制造方法和热电元件。根据本发明的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括包含硫属元素的第一材料层和包含硫族元素和金属元素之间的反应性化合物的第二材料层，可以提供具有插入第一材料层的结构的热电材料。

10. 发明公开

KR1020140107791A 테라헤르츠파 생성용 간접 밴드갭 반도체 및 이를 포함하는 테라헤르츠파 발생기 有权
标题翻译：用于发射TERAHERTZ波的间接带状半导体和包含其的TERAHERTZ波发生器
公开(公告)号：KR1020140107791A
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020130021788
申请日：2013-02-28
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 조만호 , 이우정 , 강철 , 마진원 , 배정민
IPC分类号： H01S1/00
CPC分类号： H01S1/06 , B82B3/0004 , B82B3/0066 , H01S2302/02
摘要： The present invention relates to an indirect bandgap semiconductor for emitting terahertz waves. An indirect bandgap semiconductor material of a nanowire structure has many photo-exited electron-hole carriers and induces the discharge of phonons in a terahertz region by forming an internal electric field on the nanowire structure, thereby increasing terahertz wave luminescence and applying to photoelectronic devices such as light emitting devices or detectors using terahertz luminescence.
摘要翻译：本发明涉及用于发射太赫兹波的间接带隙半导体。纳米线结构的间接带隙半导体材料具有许多光离子电子 - 空穴载子，并通过在纳米线结构上形成内部电场而引起太赫兹区域中的声子放电，从而增加太赫兹波发光并应用于光电子器件作为使用太赫兹发光的发光器件或检测器。

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