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1. 发明授权

KR101796881B1 고급 실란의 제조 촉매 및 고급 실란의 제조 방법 有权
标题翻译：制备高档硅烷并生产高档硅烷
公开(公告)号：KR101796881B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020167009872
申请日：2014-10-16
申请人： 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤
发明人： 마츠시타타츠미 , 노우지요시노리 , 마츠우라아키라
IPC分类号： B01J29/18 , B01J29/40 , B01J38/10 , C01B33/04 , B01J29/90
CPC分类号： C01B33/04 , B01J29/035 , B01J29/061 , B01J29/18 , B01J29/40 , B01J29/7007 , B01J29/90 , B01J35/1057 , B01J38/10 , Y02P20/584
摘要： 비교적낮은온도에서반응을실시하고, 고체규소로의분해를억제하면서, 저코스트로고급실란을고수율로제조하기위한촉매, 및그 촉매에의한고급실란의제조방법을제공한다. 다공질산화물을포함하는, 저급실란으로부터고급실란으로변환하기위한촉매로서, 그다공질산화물이, 규칙적으로배열되는세공을적어도가지고, 주로규소산화물로이루어지고, 또한, 알칼리금속및 알칼리토류금속의함유량이 0.00중량% 이상 2.00중량% 이하인고급실란의제조촉매이다.
摘要翻译：进行在相对低的温度下进行反应，同时抑制固体硅的降解，并且以较低的成本高的硅烷提供了用于通过一种用于制造高收率的先进催化剂，mitgeu催化剂制备硅烷。作为从转换高硅烷，包含多孔性氧化物更低的硅烷的催化剂，所述多孔氧化物是至少有一个孔被规则地布置，主要由氧化硅和碱金属和碱土金属的含量 0.00至2.00重量％。

2. 发明公开

KR1020170030563A 농축법을 이용한 고리형 실란의 제조방법 审中-实审
标题翻译：环状硅烷浓缩法制备方法
公开(公告)号：KR1020170030563A
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020177003203
申请日：2015-07-14
申请人： 씬 필름 일렉트로닉스 에이에스에이
发明人： 고토,유이치 , 나가이,켄타로 , 엔도,마사히사 , 손,군
IPC分类号： C01B33/04 , C01B33/107 , C01F7/48
CPC分类号： C01B33/04
摘要： [과제] 고순도고리형실란, 특히고순도시클로펜타실란, 및폴리실란을포함하는조성물을제공하는데, 상기고리형실란의중합에의해얻을수 있는폴리실란을포함하는상기조성물은도포형폴리실란조성물형태로기판에도포된후 소성됨으로써높은도전성을갖는양질의실리콘박막을형성할수 있다. [해결수단] 식(3):로표시되는고리형실란의제조방법으로서, 식(1):로표시되는고리형실란화합물을할로겐화알루미늄의존재하에시클로헥산내에서할로겐화수소와반응시킴으로써식(2):로표시되는고리형실란화합물을함유하는용액을얻고, 이어서상기용액을증류함으로써상기식(2)로표시되는고리형실란화합물을얻는, (A) 공정; 및상기식(2)로표시되는고리형실란화합물을유기용매에용해시키고상기식(2)로표시되는고리형실란화합물을수소또는리튬알루미늄수소화물로환원시키는 (B) 공정을포함하는, 고리형실란제조방법. 상기 (A) 공정에서상기증류는 40 내지 80℃의온도에서 0 내지 30 Torr의감압하에수행될수 있다.
摘要翻译： [问题]包含高纯度环状硅烷，特别是高纯度的环戊硅烷，以及聚硅烷，其提供包含硅烷的组合物，通过在涂布型聚硅烷组合物形式的环状硅烷的聚合而得到的组合物通过涂布在基板上然后烘烤可以形成具有高导电率的高质量硅薄膜。一种生产由式（1）表示的环状硅烷的方法：[解决问题的手段]（3）由氢和在环己烷中反应卤化物，在由下式表示卤化铝的存在下使环状硅烷化合物，式（2 ），以获得含环状硅烷化合物，随后获得由式（2）表示的环状硅烷化合物的溶液中，通过蒸馏溶液中，（a由下式表示）的步骤; 并且，环由式（2）所示的环状硅烷化合物包括溶解于有机溶剂，以及（B）还原由式（2）与氢，或氢化铝锂表示的环状硅烷化合物的步骤键入硅烷。在步骤（A）中，蒸馏可以在40至80℃的温度和0至30托的减压下进行。

3. 发明授权

KR101569594B1 중간 사슬 길이의 폴리실란 및 그 제조방법 有权
标题翻译：中链长度的多晶硅及其生产方法
公开(公告)号：KR101569594B1
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：KR1020137002352
申请日：2011-07-04
申请人： 스파운트 프라이비트 에스.에이.알.엘.
发明人： 아우네르,노르베르트 , 모흐쉐니,자바드 , 홀,스벤 , 바우치,크리스찬 , 델츠츄,루멘
IPC分类号： C01B33/08 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/107 , C01B33/04 , C08G77/60
摘要： 본발명은순수화합물이거나, 또는각각의경우적어도하나의 Si-Si 직접결합을가진화합물들의혼합물인, 중간사슬길이의폴리실란에관한것으로서, 폴리실란의치환기는배타적으로할로겐및/또는수소로구성되고, 그중간사슬길이 n은 3 초과, 50 미만, 바람직하게는 3 초과, 9 미만, 특히바람직한것은 3 초과, 7 미만이고, 그조성물에서의치환기대 원자비는적어도 1:1이다. 본발명은또한이러한중간사슬길이의폴리실란의제조방법에관한것이다.

4. 发明公开

KR1020150078566A 웨이퍼 백그라인딩 폐실리콘의 재처리 방법 无效
标题翻译：用于废弃硅酸盐废弃物的退火方法
公开(公告)号：KR1020150078566A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130168040
申请日：2013-12-31
申请人： 고등기술연구원연구조합
发明人： 정항철 , 공만식 , 진연호
IPC分类号： C01B33/04 , C01B33/021 , B09B3/00
CPC分类号： C01B33/04
摘要： 본발명은웨이퍼의백그라인딩시 발생하는폐실리콘슬러지를간단하고경제적으로고순화하여, 리튬이온이차전지등 실리콘소재를필요로하는산업전반에효과적으로적용할수 있는웨이퍼백그라인딩폐실리콘의재처리방법에관한것이다. 본발명에따르면, 폐실리콘의슬러지를용매에분산시키는고형분분산단계; 상기용매에분산시킨폐실리콘의슬러지를고체와액체로분리하는고액분리단계; 및상기고순도화단계에서처리된고형분을건조시키는건조단계;를포함하는웨이퍼백그라인딩폐실리콘의재처리방법이제공된다.
摘要翻译：本发明涉及一种晶片背面研磨硅废料的再处理方法，其可以在诸如锂离子二次电池之类的硅材料所需的整个行业中被有效地应用为在后研磨晶片中以简单且经济的方式产生的高度净化的废硅污泥。根据本发明，提供了一种硅废料的后处理方法，其包括：将废硅污泥分散在溶剂中的固体分散步骤; 用于将分散在溶剂中的废硅污泥分离成固体和液体的固液分离步骤; 以及在高纯化步骤中干燥固体处理的干燥步骤。

5. 发明授权

KR101468755B1 고급 실란의 제조 방법 有权
标题翻译：生产高硅烷的方法
公开(公告)号：KR101468755B1
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：KR1020097016879
申请日：2007-12-20
申请人： 에보니크 데구사 게엠베하
发明人： 랑,유르겐에르윈 , 라울레더,하르트비그 , 뮈흐,에케하르트
IPC分类号： C01B33/107 , C01G17/04 , H05H1/00 , C01B21/068
CPC分类号： B01J19/088 , B01J2219/0803 , B01J2219/0894 , C01B21/068 , C01B21/0823 , C01B32/907 , C01B33/04 , C01B33/107 , C01B33/12 , C01B33/36 , C01G17/00 , C01P2002/86 , C07F7/083 , C07F7/30
摘要： 본발명은이량체및/또는삼량체규소화합물, 특히규소할로겐화합물의제조방법에관한것이다. 본발명의방법은또한상응하는게르마늄화합물을제조하기에적합하다. 본발명은또한상기방법을수행하기위한장치및 제조된규소화합물의용도에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及二聚和/或三聚硅化合物，特别是硅卤素化合物的制备方法。所要求保护的方法也适用于生产相应的锗化合物。本发明还涉及用于实施所述方法来使用所生产的硅化合物的装置。

6. 发明授权

KR101344356B1 모노실란 및 테트라알콕시실란의 제조방법 有权
标题翻译：生产单烷基醚和四羟甲基纤维素的方法
公开(公告)号：KR101344356B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020137027255
申请日：2010-11-24
申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
发明人： 오노히로모토 , 오이토시오 , 이토하루아키 , 마크무토브파닐
IPC分类号： C07F7/04 , C07F7/18 , B01J23/30
CPC分类号： C07F7/025 , B01J21/063 , B01J23/28 , B01J23/30 , B01J27/16 , B01J27/1806 , B01J27/188 , B01J27/19 , B01J35/08 , B01J35/1014 , B01J37/0201 , B01J37/0238 , B01J37/031 , B01J37/033 , C01B33/04 , C01B33/043 , C01B33/046 , C07F7/045
摘要： 본 발명은 일반식(1）
H
n Si(OR)
4-n (1)
(식 중, R은 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 나타내고, n은 1~3의 정수이다.)으로 나타내어지는 알콕시실란을 무기 인산염 또는 헤테로폴리산염 구조에 의거하는 특정 화학구조를 갖는 촉매의 존재 하에서 기상으로 불균화 반응시키는 모노실란 및 테트라알콕시실란의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 용매와의 분리가 용이하고, 반응이 빠르며, 원료물질의 전화율이 높다.

7. 发明公开

KR1020130087459A 모노클로로실란용 실린더 표면 처리 有权
标题翻译：用于单氯化硅的气缸表面处理
公开(公告)号：KR1020130087459A
公开(公告)日：2013-08-06
申请号：KR1020130080234
申请日：2013-07-09
申请人： 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
发明人： 뵘,필립이. , 맥더모트,웨인토마스 , 시아오,만차오 , 펄스테인,로날드마틴 , 로,사이-홍에이. , 데렉스케이-코박스,아그네스
IPC分类号： B65D85/84 , C23C16/448 , B65D25/14 , B65D81/24
CPC分类号： C23C16/448 , B05D7/22 , B65D25/14 , B65D81/24 , B65D85/84 , C01B33/04 , C25F3/16
摘要： PURPOSE: A method of passivating is provided to passivate a container and the inner surface of the container for stably storing mono chlorosilane without the decomposition of the mono chlorosilane. CONSTITUTION: A container has an inner surface, and contains large amount of mono chlorosilane. The inner surface contains carbon steel or stainless steel, and is reformed by the mechanical abrasion before storing the mono chlorosilane and the exposure to silicon hydride or chlorosilane. The container is capable of storing the mono chlorosilane by maintaining the degradability of the mono chlorosilane less than 0.1% per month at the ambient temperature. The mechanical abrasion is conducted by a process selected from shot blasting, glass bead blasting, or abrasive slurry polishing. The mechanical abrasion is conducted using abrasive slurry. [Reference numerals] (1) Container; (2) Container reforming, surface reforming, producing surface; (3) Charging the container; (4) Controlling the temperature of the container; (5) Storing and transferring MCS to the container; (6) Removing the MCS from the container
摘要翻译：目的：提供一种钝化方法，用于钝化容器和容器的内表面，用于稳定地储存单氯硅烷而不会分解一氯硅烷。构成：容器内表面含有大量单氯硅烷。内表面含有碳钢或不锈钢，并在储存单氯硅烷和暴露于氢化硅或氯硅烷之前通过机械磨损进行重整。该容器能够通过保持单氯硅烷在环境温度下每月低于0.1％的降解性来储存单氯硅烷。通过选自喷丸，玻璃珠喷砂或研磨浆料抛光的方法进行机械磨损。使用研磨浆进行机械磨损。（附图标记）（1）容器; （2）容器重整，表面改性，生产面; （3）充电容器; （4）控制容器的温度; （5）将MCS存放到容器中; （6）从容器中取出MCS

8. 发明公开

KR1020130072237A 중간 사슬 길이의 폴리실란 및 그 제조방법 有权
标题翻译：中链长度的多晶硅及其生产方法
公开(公告)号：KR1020130072237A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：KR1020137002352
申请日：2011-07-04
申请人： 스파운트 프라이비트 에스.에이.알.엘.
发明人： 아우네르,노르베르트 , 모흐쉐니,자바드 , 홀,스벤 , 바우치,크리스찬 , 델츠츄,루멘
IPC分类号： C01B33/08 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/107 , C01B33/04 , C08G77/60
摘要： 본 발명은 순수 화합물이거나, 또는 각각의 경우 적어도 하나의 Si-Si 직접 결합을 가진 화합물들의 혼합물인, 중간 사슬 길이의 폴리실란에 관한 것으로서, 폴리실란의 치환기는 배타적으로 할로겐 및/또는 수소로 구성되고, 그 중간 사슬 길이 n은 3 초과, 50 미만, 바람직하게는 3 초과, 9 미만, 특히 바람직한 것은 3 초과, 7 미만이고, 그 조성물에서의 치환기 대 원자 비는 적어도 1:1이다. 본 발명은 또한 이러한 중간 사슬 길이의 폴리실란의 제조방법에 관한 것이다.

9. 发明授权

KR101212541B1 모노실란 및 테트라알콕시실란의 제조방법 有权
标题翻译：生产单烷基醚和四羟甲基纤维素的方法
公开(公告)号：KR101212541B1
公开(公告)日：2012-12-14
申请号：KR1020107027833
申请日：2009-10-30
申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
发明人： 오노히로모토 , 오히토시오 , 이토하루아키 , 마크흐무토브파닐
IPC分类号： C07F7/04 , C01B33/04
CPC分类号： C07F7/045 , C01B33/00 , C01B33/04 , C01B33/043
摘要： 본발명은일반식(1)로나타내어지는알콕시실란을알칼리금속불화물을포함하는촉매및 촉매활성화제의존재하에서기상으로불균화반응시키는모노실란및 테트라알콕시실란의제조방법에관한것이다. 본발명의제조방법에의하면, 액상에서의알콕시실란의불균화반응에의해모노실란및 테트라알콕시실란을제조하는방법에있어서, 용매와의분리가곤란하다는문제와반응이매우늦어공업적인제조에는적합하지않다는문제를해결할수 있다. HSi(OR)(1) (식중, R은탄소수 1~6개의알킬기를나타내고, n은 1~3의정수이다.)

10. 发明公开

KR1020120110110A 사플루오르화 규소의 제조 방법 有权
标题翻译：生产硅四氯化镓的方法
公开(公告)号：KR1020120110110A
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：KR1020127017085
申请日：2010-12-18
申请人： 썬에디슨, 인크.
发明人： 부사라푸,사티쉬 , 굽타,푸니트
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/04
CPC分类号： C01B33/10705 , C01B33/043 , C01B33/04 , C01B33/107
摘要： 본 발명은 임의로 규소 공급원 존재하에서의, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 알루미늄의 플루오르화 염의 산 분해에 의한 사플루오르화 규소의 제조 방법; 실란 제조 부산물의 산 분해에 의한 사플루오르화 규소의 생성을 포함하는 실란 제조 방법에 관한 것이다.

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