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1. 发明公开

KR1020160113605A 향상된 다이싱 특성을 갖는 이미지 센서, 제조 장치, 및 그의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有改进性能的图像传感器，制造装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160113605A
公开(公告)日：2016-09-30
申请号：KR1020167019588
申请日：2015-01-26
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마모토아츠시 , 미야자와신지 , 오오카유타카 , 마에다켄사쿠 , 모리야유스케 , 오가와나오키 , 후지이노부토시 , 후루세슌스케 , 나가타마사야 , 야마모토유이치
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/0203 , H01L2224/11
摘要： 본기술은칩 내로의수분의침입을막는기술에관한것이다. 다양한예시적인실시의형태는, 기판; 상기기판상에적층되고, 복수의포토다이오드가표면상에형성된포토다이오드층을포함하고, 일부가파여지도록형성된홈을갖는적어도하나의층을포함하는복수의층; 및상기포토다이오드층보다위에형성되고상기홈에형성된투명수지층을포함하는이미지센서를포함한다. 본기술은, 예를들면이미지센서에적용할수 있다.

2. 发明公开

KR1020080076712A 기체 연마 방법, 반도체장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：基板抛光方法，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080076712A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020080001652
申请日：2008-01-07
申请人： 소니 주식회사
发明人： 나카무라히로코 , 코즈키타카아키 , 에노모토타카유키 , 야마모토유이치
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , H01L27/10894
摘要： A substrate polishing method, a semiconductor device, and a method for manufacturing the same are provided to improve the reliability by forming an upper pattern with excellent precision on an interlayer oxide layer. A substrate polishing method includes planarizing a polished layer by performing a chemical and mechanical processing from a polished oxide layer on a substrate using at least two kinds of slurries. At least two kinds of slurries are composed of oxide cerium polishing particles having different BET(Brunaure Emmett Teller). The chemical and mechanical processing includes polishing a polished oxide layer of a part on which a lower pattern is densely formed using a slurry composed of an oxide cerium polishing particle having a first BET, and polishing a polished oxide layer of a part on which the lower pattern is densely not formed using a slurry composed of an oxide cerium polishing particle having a second BET less than the first BET.
摘要翻译：提供基板研磨方法，半导体装置及其制造方法，以通过在层间氧化物层上形成具有优异精度的上部图案来提高可靠性。基板抛光方法包括使用至少两种浆料从基板上的抛光氧化物层进行化学和机械加工来平坦化抛光层。至少两种浆料由具有不同BET（Brunaure Emmett Teller）的氧化铈抛光颗粒组成。化学和机械加工包括使用由具有第一BET的氧化铈抛光颗粒组成的浆料来研磨其上密集形成下部图案的部分的抛光氧化物层，并且抛光其下部的部分的抛光氧化物层使用由比第一BET小的第二BET的氧化铈抛光颗粒构成的浆料密集地形成图案。

3. 发明公开

KR1020040048373A 정보기억장치 및 그 정보기억장치를 실장한 전자기기 无效
标题翻译：信息存储装置和其上安装有信息存储装置的电子装置
公开(公告)号：KR1020040048373A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：KR1020037007580
申请日：2002-10-16
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마모토유이치 , 모토요시마코토
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L23/552 , G11C11/15 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 강자성체의 자화방향제어를 이용한 정보기억소자, 예를들면 MRAM이 탑재된 전자기기가 어떤 강한 자장을 받아도 그 자장의 영향이 기억층에 미치지 않도록 하여 정보의 오기억을 방지하는 정보기억장치 및 그 정보기억장치를 실장한 전자기기이다. 자기저항효과를 이용하여 정보를 기억하는 정보기억소자(12)를 갖춘 정보기억장치(1)로서, 정보기억소자(12)가 실장되는 때에 이용되는 수지재료(13)는 고투자율 재료가 혼입된 것으로 이루는 또는 정보기억소자(12)는 그 표면의 적어도 일부 혹은 전면에 고투자율재료막 혹은 고투자율 재료를 포함하는 박막이 형성되어 있는 것이다.

4. 发明公开

KR1020040111013A 마이크로머신의 제조방법 失效
标题翻译：制造微电脑的方法，包括安装在基板的停止层表面的电极
公开(公告)号：KR1020040111013A
公开(公告)日：2004-12-31
申请号：KR1020040042251
申请日：2004-06-09
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마모토유이치
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00
CPC分类号： B81C1/00611 , B81B2201/0271 , B81C2201/0125 , H03H3/0072
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a micro machine is provided to improve output precision of the micro machine by fabricating a capacitor with a high precision and superior electrical characteristics. CONSTITUTION: A method for manufacturing a micro machine includes the steps of forming a first electrode on a surface of a stopper layer(14) of a substrate(10) and forming an insulation layer on the substrate(10). The thickness of the insulation layer is larger than the thickness of the first electrode including the stopper layer(14) so that the first electrode is covered with the insulation layer. Then, the insulation layer is polished such that the stopper layer is exposed. After forming an opening in the stopper layer(14), the opening is filled with a sacrificial layer. A second electrode is formed on the insulation layer by passing through the sacrificial layer.
摘要翻译：目的：提供一种制造微机的方法，通过制造具有高精度和优异电气特性的电容器来提高微机的输出精度。构成：微机的制造方法包括在基板（10）的阻挡层（14）的表面上形成第一电极，在基板（10）上形成绝缘层的工序。绝缘层的厚度大于包括阻挡层（14）的第一电极的厚度，使得第一电极被绝缘层覆盖。然后，对绝缘层进行抛光，使得阻挡层露出。在阻挡层（14）中形成开口后，开口填充有牺牲层。通过穿过牺牲层在绝缘层上形成第二电极。

5. 发明授权

KR101037327B1 마이크로머신의 제조방법 失效
标题翻译： MICROMACHINE生产方法
公开(公告)号：KR101037327B1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020040042251
申请日：2004-06-09
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마모토유이치
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00
CPC分类号： B81C1/00611 , B81B2201/0271 , B81C2201/0125 , H03H3/0072
摘要： 공간을 사이에 두고 제 1 및 제 2 전극이 설치된 마이크로머신의 제조방법에서는, 기판 상에 제 1 전극을 형성하고, 그 표면상에 스토퍼막을 형성한다. 다음에, 그 스토퍼막을 피복하도록 제 2 절연막을 형성한다. 제 2 절연막의 두께는, 제 1 전극과 스토퍼막의 총 두께보다 두껍다. 그리고, 제 2 절연막을 연마한다. 이 연마를 함으로써, 그 스토퍼막을 외측에 노출하여 평탄화한다. 그 스토퍼막 내에 개구부를 형성한 후, 그 개구부에 희생막을 매립한다. 희생막 표면과 제 2 절연막 표면을 평탄화하고, 제 2 절연막 상에 희생막을 가로지르는 제 2 전극을 형성한다. 희생막을 제거하여 제 1 전극과 제 2 전극과의 사이에 공간을 형성한다.
마이크로머신 제조방법, 전극, 희생막, 개구부, 스토퍼막

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