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1. 发明公开

KR20180056931A 광대역 다기능 광학소자와 그 제조 및 동작방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180056931A
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：KR20160154881
申请日：2016-11-21
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LEE KI YOUNG , HEO JIN SEONG , LEE JAE HO , KIM HAE RYONG , PARK SEONG JUN , SHIN HYEON JIN , LEE EUN KYU , JO SANG HYUN
IPC分类号： H01L31/10 , H04N5/335 , H04N5/369
CPC分类号： H01L31/02161 , G01N21/59 , H01L31/022466 , H01L31/028 , H01L31/035218 , H01L31/1804
摘要： 광대역다기능광학소자와그 제조및 동작방법에관해개시되어있다. 일실시예에의한광대역다기능광학소자는광 흡수특성을갖는반도체층, 상기반도체층과광 흡수대역이다른제1 활성층, 2D 물질층및 인접한상기두 층의피닝포텐셜에영향을주는계면층을포함한다. 상기광학소자는적어도 1개의제2 활성층을더 포함할수 있고, 적어도 1개의 2D 물질층을더 포함하는탠덤(tandem) 구조를가질수 있다. 상기제1 활성층과상기제2 활성층의광 흡수대역은서로다를수 있다. 상기광학소자는제2 계면층을더 포함할수 있다.

2. 发明公开

KR20210007933A 금속 시드층을 포함하는 박막 구조체 및 금속 시드층을 이용하여 투명 전도성 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20210007933A
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR20200186667
申请日：2020-12-29
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： SHIN HYEON JIN , PARK SEONG JUN , LEE JAE HO , JEONG SEONG JUN
IPC分类号： H01B5/14 , C23C14/02 , C23C14/08 , C23C16/02 , C23C16/455 , H01B13/00
摘要： 금속시드층을포함하는박막구조체및 금속시드층을이용하여전도성기판상에산화물박막을형성하는방법이개시된다. 개시된박막구조체는, 투명한전도성기판과, 상기투명한전도성기판상에증착된금속시드층과, 상기금속시드층상에증착되는금속산화물층;을포함한다.

3. 发明公开

KR20200126722A 2차원 반도체 물질을 포함하는 공명 터널링 소자 및 이를 이용한 물리적 특성의 검출방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200126722A
公开(公告)日：2020-11-09
申请号：KR20190050721
申请日：2019-04-30
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD , RESEARCH & BUSINESS FOUND SUNGKYUNKWAN UNIV
发明人： JO SANG HYUN , YANG HEE JUN , SHIN HYEON JIN , ZHENG SHOU JUN
IPC分类号： H01L47/00 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/66 , H01L29/737
摘要： 2차원반도체물질을포함하는공명터널링소자및 이를이용한물리적특성의검출방법이개시된다. 개시된공명터널링소자는제1 이차원반도체물질을포함하는제1 이차원반도체층과, 제1 이차원반도체층에마련되는제1 절연층과, 상기절연층에마련되며, 제1 이차원반도체물질과같은종류의제2 이차원반도체물질을포함하는제2 이차원반도체층을포함한다. 여기서, 제1 이차원반도체물질의결정격자와제2 이차원반도체물질의결정격자는서로정렬되도록마련된다.

4. 发明公开

KR20200144035A 멤리스터 및 이를 포함하는 뉴로모픽 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200144035A
公开(公告)日：2020-12-28
申请号：KR20190112371
申请日：2019-09-10
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD , HARVARD COLLEGE
发明人： LEE MIN HYUN , AMANOV DOVRAN , XU RENJING , JANG HO UK , KIM HAE RYONG , SHIN HYEON JIN , CHO YEON CHOO , HAM DON HEE
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 멤리스터및 이를포함한뉴로모픽장치를제공한다. 본멤리스터는이격배치되는하부전극과상부전극및 하부전극과상부전극사이에배치되며, 서로화학적결합이없이스택된제1 및제2 이차원물질층을포함한다.

5. 发明公开

KR20180022098A 표면 플라즈몬 공명을 이용한 마찰전기 발전기 审中-公开
标题翻译：利用表面等离子体共振的摩擦发电机
公开(公告)号：KR20180022098A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR20160106978
申请日：2016-08-23
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： JUNG A LUM , SHIN HYEON JIN , KIM JAE YOUNG , BYUN KYUNG EUN
IPC分类号： H02N1/04
CPC分类号： H02N1/04
摘要： 표면플라즈몬공명을이용한마찰전기발전기가개시된다. 개시된마찰전기발전기는, 서로이격되게마련되는제1 및제2 전극과, 상기제1 및제2 전극에마련되는제1 및제2 대전층과, 상기제2 대전층에빛을조사하는광원을포함한다. 여기서, 제2 대전층은소정파장의빛에의해표면플라즈몬공명을일으키는금속물질을포함하고, 상기광원은표면플라즈몬공명을일으키는소정파장의빛을상기제2 대전층에조사한다.
摘要翻译：公开了使用表面等离子体共振的摩擦发电机。一种摩擦发电装置包括彼此分开的第一和第二电极，分别设置在第一和第二电极上的第一和第二带电层以及设置用于将光照射到第二带电层上的光源。这里，第二带电层包括被配置为由于期望波长的光而产生表面等离子体共振的金属材料，并且光源将被配置为产生表面等离子体共振的期望波长的光照射到第二带电层上。

6. 发明公开

KR20180022097A 이차원 물질을 포함하는 상변화 메모리소자 및 그 동작방법 审中-公开
标题翻译：包括二维材料的相变存储器件及其操作方法
公开(公告)号：KR20180022097A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR20160106977
申请日：2016-08-23
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LEE MIN HYUN , NAM SEUNG GEOL , KIM CHANG HYUN , SHIN HYEON JIN , CHO YEON CHOO , HEO JIN SEONG , PARK SEONG JUN
IPC分类号： H01L45/00 , G11C11/56 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1641
摘要： 이차원물질을포함하는상변화메모리소자및 그동작방법에관해개시되어있다. 개시된상변화메모리소자는이차원물질을포함하는상변화층을구비할수 있다. 상기이차원물질은층상구조를가질수 있다. 상기상변화층은제1 전극과제2 전극사이에구비될수 있고, 상기제1 전극과제2 전극을통해상변화층에인가되는전기적신호에의해이차원물질의상(phase)이변화될수 있다. 상기이차원물질은칼코게나이드계(chalcogenide-based) 물질또는포스포린(phosphorene)을포함할수 있다. 상기이차원물질의상변화온도는약 200℃보다크거나같고약 500℃보다작거나같을수 있다.
摘要翻译：相变存储器件可以包括包含二维（2D）材料的相变层。相变层可以包括包含一层或多层2D材料的分层结构。可以在第一电极和第二电极之间提供相变层，并且2D材料的一个或多个层的至少一部分的相位可以基于施加到相变层的电信号通过第一电极和第二电极。 2D材料可以包括硫属化物基材料或磷ne。 2D材料可以与大于或等于大约200℃且小于或等于大约500℃的相变温度相关联。

7. 发明授权

KR100745316B1 METHOD FOR PREPARING A GLASS FIBER HAVING HIGH STIFFNESS AND SUBSTRATE COMPRISING THE GLASS FIBER PREPARAED BY THE SAME 无效
标题翻译：制备具有高刚度的玻璃纤维的方法和包含由其制备的玻璃纤维的基材
公开(公告)号：KR100745316B1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：KR20060064896
申请日：2006-07-11
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： CHOI SEONG JAE , CHOI JAE YOUNG , YI DONG KEE , KWON SOON JAE , SEOL KWANG SOO , SHIN HYEON JIN , YOON SEON MI
IPC分类号： C03B37/14 , C03B37/026
摘要： Provided are a method for preparing glass fiber to improve stiffness of the glass fiber while maintaining insulating properties and a substrate comprising the glass fiber prepared using the same. A method includes the steps of: preparing a metal or carbon precursor solution by dispersing metal or carbon precursor in a solvent; filling a plurality of channels of porous glass fiber with the metal or carbon precursor solution; and thermally decomposing the metal or carbon precursor solution in the channels to prepare metal or carbon rods. The metal precursor is selected from gallium(Ga), indium(In), germanium(Ge), tin(Sn), zirconium(Zr), titanium(Ti), magnesium(Mg), nickel(Ni), iron(Fe), tantalum(Ta) and oxides or nitrides thereof. The carbon precursor is selected from carbides, carbohydrates, aromatic compounds, carbonaceous refractories, carbon fiber and carbon nanotube.
摘要翻译：提供一种制备玻璃纤维以提高玻璃纤维的刚度同时保持绝缘性能的方法，以及包含使用其制备的玻璃纤维的基材。一种方法包括以下步骤：通过将金属或碳前体分散在溶剂中来制备金属或碳前体溶液; 用金属或碳前体溶液填充多个通道的多孔玻璃纤维; 并在通道中热分解金属或碳前体溶液以制备金属或碳棒。金属前体选自镓（Ga），铟（In），锗（Ge），锡（Sn），锆（Zr），钛（Ti），镁（Mg），镍（Ni），钽（Ta）及其氧化物或氮化物。碳前体选自碳化物，碳水化合物，芳族化合物，碳质耐火材料，碳纤维和碳纳米管。

8. 发明公开

KR20210009160A 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20210009160A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：KR20190085821
申请日：2019-07-16
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD , RESEARCH & BUSINESS FOUND SUNGKYUNKWAN UNIV
发明人： BYUN KYUNG EUN , KIM HYOUNG SUB , PARK TAE JIN , KIM HOI JOON , SHIN HYEON JIN , AHN WON SIK , LEEM MIRINE , CHO YEON CHOO
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/02 , C23C16/455
摘要： 기판에전이금속칼코겐화합물박막을형성하는방법이개시된다. 개시된방법은, 기판을금속유기물로처리하는단계; 및상기기판주위에전이금속원소를포함하는전이금속전구체및 칼코겐원소를포함하는칼코겐전구체를제공하여상기기판에전이금속칼코겐화합물을합성하는단계;를포함한다.

9. 发明公开

KR20200128975A 그래핀의 형성방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200128975A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：KR20190053240
申请日：2019-05-07
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： SONG HYUN JAE , LEE EUN KYU , LEE CHANG SEOK , KIM CHANG HYUN , BYUN KYUNG EUN , SHIN KEUN WOOK , SHIN HYEON JIN
IPC分类号： C01B32/186 , C23C16/26 , C23C16/509 , C23C16/511 , C23C16/513 , H01L29/16
摘要： 그래핀형성방법을제공한다. 본그래핀형성방법은, 반응챔버내에그래핀성장에촉매로작용하는물질이아닌물질로구성된비촉매기판을준비하고, 플라즈마화학기상증착(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정하에서 10eV이하의이온화에너지를갖는탄소소스(carbon source)를이용하여비촉매기판의표면상에그래핀을직접성장시킨다.

10. 发明公开

KR20200127524A 금속 칼코게나이드 박막 및 그 제조방법과 제조장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200127524A
公开(公告)日：2020-11-11
申请号：KR20190051818
申请日：2019-05-02
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD , RESEARCH & BUSINESS FOUND SUNGKYUNKWAN UNIV
发明人： BYUN KYUNG EUN , KIM HYOUNG SUB , PARK TAE JIN , SHIN HYEON JIN , KIM HOI JOON , AHN WON SIK , LEEM MIRINE
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 금속칼코게나이드박막및 그제조방법및 제조장치가개시된다. 상기금속칼코게나이드박막은전이금속원소및 칼코겐원소를포함하고, 상기전이금속원소및 칼코겐원소중 적어도하나가박막의면을따라조성구배를나타내는면내(in-plane) 조성구배(compositional gradient)를갖는다. 상기금속칼코게나이드박막은, 한정된반응공간(confined reaction space)을이용하여기판상에전이금속전구체및 칼코겐전구체를제공하는단계로서, 상기전이금속전구체및 칼코겐전구체중 적어도하나를상기기판표면의위치에따라농도구배(concentration gradient)가형성되도록제공하는단계; 및상기기판을열처리하는단계;를포함하는제조방법에의해제조될수 있다.

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