基本信息:
- 专利标题： 이차원 물질을 포함하는 상변화 메모리소자 및 그 동작방법
- 专利标题（英）：KR20180022097A - Phase change memory device including two-dimensional material and method of operating the same
- 专利标题（中）：包括二维材料的相变存储器件及其操作方法
- 申请号：KR20160106977 申请日：2016-08-23
- 公开(公告)号：KR20180022097A 公开(公告)日：2018-03-06
- 发明人： LEE MIN HYUN , NAM SEUNG GEOL , KIM CHANG HYUN , SHIN HYEON JIN , CHO YEON CHOO , HEO JIN SEONG , PARK SEONG JUN
- 申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
- 优先权： KR20160106977 2016-08-23
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; G11C11/56 ; G11C13/00
摘要：
이차원물질을포함하는상변화메모리소자및 그동작방법에관해개시되어있다. 개시된상변화메모리소자는이차원물질을포함하는상변화층을구비할수 있다. 상기이차원물질은층상구조를가질수 있다. 상기상변화층은제1 전극과제2 전극사이에구비될수 있고, 상기제1 전극과제2 전극을통해상변화층에인가되는전기적신호에의해이차원물질의상(phase)이변화될수 있다. 상기이차원물질은칼코게나이드계(chalcogenide-based) 물질또는포스포린(phosphorene)을포함할수 있다. 상기이차원물질의상변화온도는약 200℃보다크거나같고약 500℃보다작거나같을수 있다.
摘要（中）：
相变存储器件可以包括包含二维（2D）材料的相变层。 相变层可以包括包含一层或多层2D材料的分层结构。 可以在第一电极和第二电极之间提供相变层，并且2D材料的一个或多个层的至少一部分的相位可以基于施加到相变层的电信号通过 第一电极和第二电极。 2D材料可以包括硫属化物基材料或磷ne。 2D材料可以与大于或等于大约200℃且小于或等于大约500℃的相变温度相关联。