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    • 2. 发明授权
    • 나노 와이어 성장 방법
    • 生长纳米线的方法
    • KR101358644B1
    • 2014-02-10
    • KR1020110144322
    • 2011-12-28
    • 한국광기술원
    • 김효진고항주한명수신재철김회종
    • B82B3/00B82Y40/00
    • 저가의 Si 기판 위에 패턴된 SiO
      2 또는 SiNx 유전체 덮개층을 형성한 구조를 준비하고 그 위에 3족 원소가 두 개 이상인 III-V 물질(In
      x Ga
      1-x As
      z P
      1-z , In
      x Ga
      1-x As
      z P
      1-z , In
      x Al
      1-x As
      z P
      1-z , In
      x Ga
      y Al
      1-xy As
      z P
      1-z , In
      x Ga
      y Al
      1-xy As
      z P
      1-z ) SiO
      2 덮개 층 폭(W
      sio2 )과 덮개층이 없이 개방되어 있는 부분의 폭 (W
      hole )의 차이에 의하여 에너지 밴드갭이 다른 나노 와이어를 성장시키는 방법 방법이 제공된다. 상기 나노 와이어 성장 방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 나노 와이어 성장용 층을 형성하는 단계; 나노 임프린트 리소그래피 방식에 의해 다수의 돌기를 갖는 몰드로 상기 나노 와이어 성장용 층을 임프린팅하여 상기 기판이 노출되도록 상기 다수의 돌기에 각각 대응하여 다수의 홀이 형성된 제1 영역 및 상기 제1 영역의 폭(W
      hole )과 다른 폭(W
      sio2 )을 갖고 상기 홀이 형성되지 않은 제2 영역으로 구분된 스프라이프 형태를 갖는 패턴을 형성하는 단계; 상기 몰드를 상기 기판으로부터 분리하는 단계 및 III - V족 화합물을 상기 패턴의 개방 비율(W
      sio2 /W
      hole )을 0 ~ 5 사이에서 선택에 따라 상기 패턴의 다수의 홀을 통하여 노출된 상기 기판의 표면에 제공하여 파장이 변하는 나노 와이어를 성장시키는 단계를 포함한다.
    • 3. 发明公开
    • 플라즈몬을 이용한 광촉매 정수장치
    • 使用PLASMON的光催化水净化器
    • KR1020120105703A
    • 2012-09-26
    • KR1020110023310
    • 2011-03-16
    • 한국광기술원
    • 김선훈김두근기현철김회종김태언장원근이동길
    • C02F1/30
    • C02F1/30C02F2201/002C02F2305/10
    • PURPOSE: A photo-catalytic water purifying apparatus based on Plasmon is provided to maximize the cross section of a water purifying part in contact with water and to implement a water purifying process without an ultraviolet ray-based lamp. CONSTITUTION: A photo-catalytic water purifying apparatus(100) includes a brightness measuring part(110), a light illuminating part(120), a water quality measuring part(130), a water purifying part(140), and a controlling part(150). The light illuminating part generates light of a visible ray range. The water quality measuring part measures the water quality of a water storing bath. The water purifying part is attached to one side of the light illuminating part. The water purifying part generates photo-catalytic reaction using Plasmon and sterilizes microorganisms in water. The controlling part controls the operations of the light illuminating part and the water purifying part. [Reference numerals] (100) Water purifying apparatus; (110) Brightness measuring part; (120) Light illuminating part; (130) Water quality measuring part; (140) Water purifying part; (150) Controlling part
    • 目的:提供一种基于Plasmon的光催化净水装置,以使与水接触的净水部件的截面最大化,并且在不使用紫外线灯的情况下实施水净化处理。 构成:光催化净水装置(100)包括亮度测量部(110),光照射部(120),水质测量部(130),净水部(140)以及控制部 (150)。 光照射部产生可见光线范围的光。 水质测量部件测量储水槽的水质。 净水部附着在光照射部的一侧。 净水部分使用Plasmon产生光催化反应,并将微生物在水中灭菌。 控制部控制光照射部和净水部的动作。 (附图标记)(100)净水装置; (110)亮度测量部件; (120)照明部; (130)水质测量部分; (140)净水部分; (150)控制部分
    • 4. 发明公开
    • 표면 플라즈몬 공명 센서
    • 表面等离子体共振传感器及使用该特性测量特性的方法
    • KR1020100114622A
    • 2010-10-26
    • KR1020090033085
    • 2009-04-16
    • 한국광기술원
    • 김두근김선훈기현철김효진고항주한명수한수욱김회종김태언오금윤최영완
    • G01N21/27G01N21/41G01N21/59
    • PURPOSE: A surface plasmon resonance sensor and a measuring method for feature using the same are provided to accurately detect various bio-information using small sweat and breath. CONSTITUTION: A surface plasmon resonance sensor comprises a base substrate, a metal layer(130) and a photonic crystal layer. The metal layer is formed on the base substrate. The photonic crystal layer has defects on a metal thin-film form. The photonic crystal layer is a metal light crystalline layer. The photonic crystal layer is a dielectric photonic crystal layer. A dielectric photonic crystal layer with defects is formed on a metal light crystalline layer(140).
    • 目的:提供表面等离子体共振传感器和使用该表面等离子体共振传感器的特征的测量方法,以使用小的汗水和呼吸精确地检测各种生物信息。 构成:表面等离子体共振传感器包括基底,金属层(130)和光子晶体层。 金属层形成在基底基板上。 光子晶体层在金属薄膜形式上具有缺陷。 光子晶体层是金属光结晶层。 光子晶体层是介质光子晶体层。 在金属光结晶层(140)上形成具有缺陷的介电光子晶体层。
    • 5. 发明公开
    • 다중 영역 반도체 레이저 및 그의 제조방법
    • 多区域半导体激光器及其制造方法
    • KR1020100065707A
    • 2010-06-17
    • KR1020080124179
    • 2008-12-08
    • 한국광기술원
    • 기현철김선훈김효진고항주김회종양명학
    • H01S5/12
    • H01S5/1231G02B5/1847H01L21/203H01S5/1228
    • PURPOSE: A multi-region semiconductor laser and a manufacturing method thereof are provided to generate diffraction grids of two DFB(Distributed Feedback) regions at a time by using a mask for the selective region growth. CONSTITUTION: A buffer layer(120), a diffraction lattice layer(130), a cap layer, and a photoresist layer are successively laminated on the top of a substrate. The photoresist layer is etched with a patterning procedure. The cap layer and the diffraction lattice layer are etched by using the etched photoresist layer as a mask. The photoresist layer is removed. Masks(162,164) for the selective region growth are formed with the etched cap layer, the diffraction lattice layer, and a part of an exposed buffer layer. An active layer is formed on the top of the mask for the selective region growth, the cap layer, and the exposed buffer layer.
    • 目的:提供一种多区域半导体激光器及其制造方法,通过使用用于选择性区域生长的掩模,一次产生两个DFB(分布式反馈)区域的衍射栅格。 构成:缓冲层(120),衍射晶格层(130),覆盖层和光致抗蚀剂层依次层压在基板的顶部上。 用图案化方法蚀刻光致抗蚀剂层。 通过使用蚀刻的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻覆盖层和衍射晶格层。 去除光致抗蚀剂层。 用蚀刻的盖层,衍射晶格层和暴露的缓冲层的一部分形成用于选择性区域生长的掩模(162,164)。 在掩模的顶部上形成有源层用于选择性区域生长,盖层和暴露的缓冲层。
    • 8. 发明公开
    • InP의 V/Ⅲ 비율에 따른 Zn 확산층 조절방법
    • ZN活化层的控制方法,按V / III比例进行
    • KR1020070102072A
    • 2007-10-18
    • KR1020060033724
    • 2006-04-13
    • 한국광기술원
    • 김회종김효진김선훈기현철김태언정동열
    • H01L31/107C23C16/00
    • H01L31/107C23C16/00H01L31/0392H01L31/184H01L31/186
    • A method for controlling a Zn activation layer according to V/III ratio of InP is provided to enhance the shape of doping and to improve an ohmic resistance by performing a controlling process of the Zn activation layer using the V/III ratio of InP in a molar concentration. An InP layer is grown on a predetermined substrate structure. An Zn3P2 layer(102) is deposited on the InP layer. A first SiO2 layer is formed on the Zn3P2 layer. The first SiO2 layer and the Zn3P2 layer are removed from the resultant structure. A second SiO2 layer(104) is formed on the InP layer again. The InP layer is grown by using an organic metal chemical deposition. The InP layer is grown by varying the ratio of V/III, wherein the variation of the V/III ratio is caused by the change of flow rates of PH3 and TMI.
    • 提供了根据InP的V / III比来控制Zn活化层的方法,以增强掺杂的形状,并通过使用InP的V / III比进行Zn活化层的控制处理来提高欧姆电阻 摩尔浓度。 InP层在预定的衬底结构上生长。 在InP层上沉积Zn3P2层(102)。 在Zn3P2层上形成第一SiO 2层。 从所得结构中除去第一SiO 2层和Zn 3 P 2层。 再次在InP层上形成第二SiO 2层(104)。 InP层通过使用有机金属化学沉积生长。 通过改变V / III的比例来生长InP层,其中V / III比的变化是由PH3和TMI的流速的变化引起的。
    • 10. 发明公开
    • 다채널 광원을 이용한 분석 장치
    • 分析仪使用多通道光源
    • KR1020150043751A
    • 2015-04-23
    • KR1020130122527
    • 2013-10-15
    • 한국광기술원
    • 김선훈김두근기현철김태언김회종안정연이동열
    • G01N21/31G01N33/49
    • 본발명은다채널광원을이용한분석장치에관한것으로서, 병렬형태로다채널로구성되어, 파장이서로다른광을다수개의광섬유를통해제공하는광원, 다수개의광섬유들의끝단을블록으로묶어, 광원으로부터제공된광을시료로입사시키는광섬유블록, 시료가흡수또는산란시키는특정파장의광을광섬유블록으로전달하는스위치, 입사된광량을파장별로측정하여시료의특정성분을정량분석하는데이용하는광 검출기등이구성된다채널광원을이용한분석장치를제공함에그 목적이있다. 이러한목적을달성하기위한본 발명은, 광원; 다수개의광섬유들의끝단을블록으로묶어, 상기광원으로부터제공된광을시료로입사시키는광섬유블록; 상기광원및 광섬유블록사이에서다수개의광섬유들을접속시키며, 시료가흡수또는산란시키는특정파장의광을광섬유블록으로전달하는스위치; 상기시료양측에위치하여, 광섬유블록끝단에서출력되는광을시료에입사시키고, 상기시료에흡수또는산란되고남은광을광 검출기로입사시키는렌즈; 및상기렌즈를통해입사된광량을파장별로측정하여, 시료의특정성분을정량분석하는데이용하는광 검출기; 를포함한다.
    • 本发明涉及一种使用多通道光源的分析仪。 本发明的目的是提供一种使用多通道光源的分析器,其包括:由多个通道组成的光源,并且通过多根光纤提供不同波长的光; 光纤块,其结合多根光纤的端部,并使从光源提供的光进入样品; 将具有可被样品吸收或散射的特定波长的光透射到光纤块的开关; 以及光检测器,其通过波长测量入射光量,以便用于对样品的特定物质进行定量分析。 为了实现上述目的,使用多通道光源的分析仪包括:光源; 光纤块,其结合多根光纤的端部,并使从光源提供的光进入样品; 连接光源与光纤块之间的多根光纤的光开关,将能够被样品吸收或散射的特定波长的光透射到光纤块; 位于样品两侧的透镜使得从光纤块的端部输出的光到达样品,并且在完成对样品的吸收和散射时使剩余的光到达光检测器; 以及光检测器,其通过波长测量入射光量,以便用于对样品的特定物质进行定量分析。