专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020070112040A 온도 버짓 센서를 갖는 상 변화 메모리 无效
标题翻译：具有温度预算传感器的相变记忆
公开(公告)号：KR1020070112040A
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：KR1020070048478
申请日：2007-05-18
申请人： 키몬다 아게
发明人： 하프,토마스 , 필립,얀보리스
IPC分类号： G11C13/02 , G11C7/04
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C7/04 , G11C11/40626 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C16/3431
摘要： A phase change memory having a temperature budget sensor is provided to refresh memory cells, by comparing a reference signal with a signal from the temperature budget sensor. A semiconductor device includes a plurality of memory cells(106a,106b,106c), a temperature budget sensor(132) and a circuit for refreshing the memory cells. The circuit compares a reference signal with a signal from the temperature budget sensor periodically, and refreshes the memory cells on the basis of the comparison result. The memory cells include resistive memory cells and flash memory cells.
摘要翻译：提供具有温度预算传感器的相变存储器，通过将参考信号与来自温度预算传感器的信号进行比较来刷新存储器单元。半导体器件包括多个存储单元（106a，106b，106c），温度预算传感器（132）和用于刷新存储器单元的电路。该电路将参考信号与来自温度预算传感器的信号周期性地进行比较，并且基于比较结果来刷新存储器单元。存储单元包括电阻存储单元和闪存单元。

2. 发明公开

KR1020070100667A 상 변화 물질의 공통 볼륨 내에 저장 위치들을 갖는 메모리 有权
标题翻译：在相变材料的常规容量中存储存储的内存
公开(公告)号：KR1020070100667A
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：KR1020070034415
申请日：2007-04-06
申请人： 키몬다 아게
发明人： 하프,토마스 , 니르쉴,토마스 , 필립,얀보리스
IPC分类号： G11C13/02 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/2436 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/71 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L27/249 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L27/10891
摘要： A memory having storage locations within common volume of a phase change material is provided to increase storage density and to reduce cost of the memory by decreasing the physical size of the memory cell. A memory includes a volume of a phase change material, a first transistor and a second transistor. The first transistor is coupled to the volume of the phase change material in order to be close to a first storing location in the volume of the phase change material. The second transistor is coupled to the volume of the phase change material in order to be close to a second storing location in the volume of the phase change material. The first transistor is located on a first layer, and the second transistor is located on a second layer vertically adjacent to the first layer.
摘要翻译：提供具有相变材料的共同体积内的存储位置的存储器，以通过减小存储器单元的物理尺寸来增加存储密度并降低存储器的成本。存储器包括体积相变材料，第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管耦合到相变材料的体积，以便接近相变材料的体积中的第一存储位置。第二晶体管耦合到相变材料的体积，以便接近相变材料的体积中的第二存储位置。第一晶体管位于第一层上，第二晶体管位于与第一层垂直相邻的第二层上。

3. 发明公开

KR1020070046003A 상 변화 메모리 셀 无效
标题翻译：相变存储器单元
公开(公告)号：KR1020070046003A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020060105174
申请日：2006-10-27
申请人： 키몬다 아게
发明人： 베르그,레나테 , 하프,토마스 , 필립,얀보리스
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1226 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , G11C13/0004
摘要： 메모리 셀은 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 상-변화 재료를 포함한다. 상-변화 재료는 좁은 영역을 형성한다. 메모리 셀은 제 1 열 전도성을 가지며 상-변화 재료와 접촉하는 제 1 절연 재료를 포함한다. 제 1 절연 재료의 최대 두께는 상기 좁은 영역과 접촉한다. 메모리 셀은 제 1 열 전도성보다 큰 제 2 열 전도성을 가지며 상기 제 1 절연 재료와 접촉하는 제 2 절연 재료를 포함한다.

4. 发明公开

KR1020070047724A 다중 상 변화 물질 부분들을 포함하는 상 변화 메모리 셀및 이의 제조 방법 失效
标题翻译：相变存储器单元，包括多个相变材料部分及其方法
公开(公告)号：KR1020070047724A
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020060107906
申请日：2006-11-02
申请人： 키몬다 아게
发明人： 하프,토마스 , 필립,얀보리스
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , G11C13/0004
摘要： 메모리 셀은 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 접촉하는 상-변화 물질의 제 1 부분을 포함한다. 메모리 셀은 상기 제 2 전극과 접촉하는 상-변화 물질의 제 2 부분 및 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이의 상-변화 물질의 제 3 부분을 포함한다. 상기 제 3 부분 및 제 2 부분의 상-변화 물질 조합은 상기 제 3 부분으로부터 상기 제 2 부분으로 점진적으로 전이된다.

5. 发明授权

KR100873172B1 다층 단열 물질을 갖는 상-변화 메모리 셀 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有多层热绝缘的相变存储单元及其方法
公开(公告)号：KR100873172B1
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：KR1020060107779
申请日：2006-11-02
申请人： 키몬다 아게
发明人： 하프,토마스 , 필립,얀보리스
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C7/04 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 메모리 셀은, 제 1 전극, 제 2 전극, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극과 접촉하는 상-변화 물질, 상기 상-변화 물질과 접촉하는 다층 단열 물질; 및 상기 다층 단열 물질과 접촉하는 유전 물질을 포함한다.

6. 发明公开

KR1020080094588A 스택된 ＳＯＮＯＳ 메모리 无效
标题翻译：堆叠SONOS内存
公开(公告)号：KR1020080094588A
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：KR1020080035662
申请日：2008-04-17
申请人： 키몬다 아게
发明人： 하프,토마스 , 필립,얀보리스
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/792 , G11C16/0483 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/1203 , H01L29/785 , H01L21/28282
摘要： A stacked SONOS memory is provided to enhance storage density of memory while using alleviated critical dimension using a stacked finFET SONOS memory. An IC(Integrated Circuit) includes first and second SONOS memory cells. The second SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) memory cell is stacked on the first SONOS memory cell. The first and second SONOS memory cells include respectively first and second finFET(Field Effect Transistor) SONOS memory cells. The IC further includes word lines(146) for forming gates of the first and second SONOS memory cells. The first and second SONOS memory cells having NAND memories are formed on an SOI(Silicon On Insulator) wafer.
摘要翻译：提供堆叠的SONOS存储器以增强存储器的存储密度，同时使用堆叠的finFET SONOS存储器来减轻临界尺寸。 IC（集成电路）包括第一和第二SONOS存储单元。第二SONOS（氧化硅氮化物半导体）存储单元堆叠在第一SONOS存储单元上。第一和第二SONOS存储单元分别包括第一和第二finFET（场效应晶体管）SONOS存储单元。 IC还包括用于形成第一和第二SONOS存储单元的栅极的字线（146）。具有NAND存储器的第一和第二SONOS存储单元形成在SOI（绝缘体上硅）晶片上。

7. 发明授权

KR100855726B1 상 변화 메모리 셀의 단열에 관한 메모리, 반도체 메모리디바이스 및 메모리 제조 방법 失效
标题翻译：用于热分离相变记忆体的存储器，半导体存储器件和用于制造存储器的方法
公开(公告)号：KR100855726B1
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：KR1020070012959
申请日：2007-02-07
申请人： 키몬다 아게
发明人： 그루에닝폰쉬버린,울리케 , 하프,토마스 , 필립,얀보리스
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/128 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 메모리는 메모리 셀들의 어레이를 포함하고, 각각의 메모리 셀은 저항성 물질을 포함하며; 각각의 메모리 셀의 저항성 물질을 가로방향으로 둘러싸는 제 1 절연 물질; 및 각각의 메모리 셀을 단열시키기 위해 상기 메모리 셀들 사이에 열 확산기를 포함한다.

8. 发明公开

KR1020070103699A 개선된 균질성을 위해 측벽 스페이서를 갖는 메모리 셀 失效
标题翻译：具有改进的均匀性的边框间隔的存储单元
公开(公告)号：KR1020070103699A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：KR1020070037937
申请日：2007-04-18
申请人： 키몬다 아게
发明人： 하프,토마스 , 필립,얀보리스
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L21/28141
摘要： A memory cell having a lateral wall spacer for improved homogeneity is provided to improve homogeneous property of a layer of a phase change material from over etching in etching an electrode. A memory cell having a lateral wall spacer for improved homogeneity includes a first electrode, a second electrode(122), a layer(124) of a phase change material, and a lateral wall spacer(128). The layer(124) of the phase change extends from a first contact(130) of the first electrode to a second contact(132) of the second electrode(122). The lateral wall spacer(128) contacts the second electrode(122) and the lateral wall of the layer(124) of the phase change material adjacent to the second contact(132). The lateral wall spacer(128) is contacted to the first electrode and the lateral wall of the layer(124) of the phase change material adjacent to the first contact(130). The lateral wall spacer(128) is extended between the first contact(130) of the first electrode and the second contact(132) of the second electrode(122).
摘要翻译：提供具有用于改善均匀性的侧壁间隔物的存储单元，以在蚀刻电极时改善相变材料层的过度蚀刻的均匀性。具有用于改善均匀性的侧壁间隔物的存储单元包括第一电极，第二电极（122），相变材料层（124）和侧壁间隔物（128）。相变层（124）从第一电极的第一接触（130）延伸到第二电极（122）的第二接触（132）。侧壁隔离物（128）接触第二电极（122）和与第二接触件（132）相邻的相变材料层（124）的侧壁。侧壁隔离物（128）与邻近第一接触件（130）的相变材料层（124）的第一电极和侧壁接触。侧壁隔离物（128）在第一电极的第一接触件（130）和第二电极（122）的第二接触件（132）之间延伸。

9. 发明授权

KR100880667B1 개선된 균질성을 위해 측벽 스페이서를 갖는 메모리 셀 失效
标题翻译：具有改进的均匀性的边框间隔的存储单元
公开(公告)号：KR100880667B1
公开(公告)日：2009-01-30
申请号：KR1020070037937
申请日：2007-04-18
申请人： 키몬다 아게
发明人： 하프,토마스 , 필립,얀보리스
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
摘要： 메모리 셀은 제 1 전극, 제 2 전극, 상기 제 1 전극과의 제 1 콘택으로부터 상기 제 2 전극과의 제 2 콘택으로 연장된 상 변화 물질의 층, 및 상기 제 2 콘택에 인접한 상 변화 물질의 층의 측벽 및 상기 제 2 전극과 접촉하는 측벽 스페이서를 포함한다.

10. 发明授权

KR100856505B1 다중 상 변화 물질 부분들을 포함하는 상 변화 메모리 셀및 이의 제조 방법 失效
标题翻译：相变存储器单元，包括多个相变材料部分及其方法
公开(公告)号：KR100856505B1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：KR1020060107906
申请日：2006-11-02
申请人： 키몬다 아게
发明人： 하프,토마스 , 필립,얀보리스
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144
摘要： 메모리 셀은 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 접촉하는 상-변화 물질의 제 1 부분을 포함한다. 메모리 셀은 상기 제 2 전극과 접촉하는 상-변화 물질의 제 2 부분 및 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이의 상-변화 물질의 제 3 부분을 포함한다. 상기 제 3 부분 및 제 2 부분의 상-변화 물질 조합은 상기 제 3 부분으로부터 상기 제 2 부분으로 점진적으로 전이된다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式