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1. 发明公开

KR1020170141740A 기울어진 디바이스 설계를 위한 계측 타겟 설계 审中-实审
标题翻译：倾斜设备设计的测量目标设计
公开(公告)号：KR1020170141740A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020177033550
申请日：2016-04-19
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 이명준 , 스미스마크디 , 아델마이클이 , 아미트에란 , 캔들다니엘
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/66 , G01J9/00
CPC分类号： G01J9/00 , G03F7/705 , G03F7/70683 , H01L22/30 , G03F7/70591
摘要： 기울어진디바이스설계를측정하기위한계측방법, 모듈및 타겟이제공된다. 그방법은, 타겟후보와디바이스설계사이의패턴배치에러(PPE)의제르니케감도의관계와관련하여타겟설계를분석및 최적화한다. 몬테카를로방법은, 렌즈수차에서및/또는디바이스설계에서변동에대한선택된타겟후보의강건성(robustness)을개선시키기위해적용될수도있다. 더욱이, 계측측정품질을향상시키고부정확성을감소시키기위해, 제르니케감도와관련하여타겟파라미터를적절하게수정하기위한고려사항이제공된다.
摘要翻译：提供了用于测量倾斜设备设计的测量方法，模块和目标。该方法针对目标候选者与设备设计者的模式放置误差（PPE）的Zernike敏感度的关系来分析和优化目标设计。可以应用蒙特卡罗方法来改善所选目标候选对于镜头像差变化和/或设备设计变化的稳健性。此外，为了改善计量测量质量并降低不准确性，提供考虑以相对于Zernike灵敏度适当地修改目标参数。

2. 发明公开

KR1020170136569A 기판의 평면내 왜곡을 결정하기 위한 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：用于确定衬底的平面内变形的方法和系统
公开(公告)号：KR1020170136569A
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020177032141
申请日：2016-04-06
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 스미스마크디 , 솔로몬호세 , 셔윈스튜어트 , 미허월터디 , 레비아디
IPC分类号： G01B11/16 , H01L21/66 , G01B9/02 , G01B11/24
CPC分类号： G01B11/161 , G01B9/02021 , G01B9/02027 , G01B11/2441 , G01B2210/56 , H01L22/12
摘要： 기판의평면내왜곡의결정은, 척킹되지않은상태에서의기판의하나이상의평면외왜곡을측정하는것, 척킹되지않은상태에서의기판의측정된평면외왜곡에기초하여척킹되지않은상태에서의기판상의막의유효막 응력을결정하는것, 척킹되지않은상태에서의기판상의막의유효막 응력에기초하여척킹된상태에서의기판의평면내왜곡을결정하는것 및측정된평면외왜곡또는결정된평면내왜곡중 적어도하나에기초하여프로세스도구또는오버레이도구중 적어도하나를조정하는것을포함한다.
摘要翻译：衬底的平面内变形的确定可通过以下方式实现：测量处于未被夹持状态的衬底的一个或多个面外失真，通过测量处于未被夹住状态的衬底的平面外失真，基于在未被夹持的状态下基板上的膜的有效膜应力来确定处于夹紧状态的基板的平面内变形，并且基于以下中的至少一个来确定面外失真或所确定的面内失真：并调整至少一个叠加工具。

3. 发明授权

KR101454522B1 포토레지스트 시뮬레이션 有权
标题翻译：光电子模拟
公开(公告)号：KR101454522B1
公开(公告)日：2014-10-24
申请号：KR1020127013240
申请日：2010-11-09
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 비아포레존제이 , 스미스마크디 , 그레이브스존에스 , 블랑켄십데이비드
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/027
CPC分类号： G06F19/702 , G03F7/0045
摘要： 포토레지스트 프로파일의 치수 특성을 측정하는 방법에 기초한 프로세서로서, 상기 방법들은 포토레지스트 볼륨 내의 산 발생제(acid generator) 및 소광제(quencher)의 수를 결정하는 단계, 포토레지스트 볼륨에 의해 흡수되는 포톤의 수를 결정하는 단계, 산(acid)으로 변환되는 산 발생제의 수를 결정하는 단계, 포토레지스트 볼륨 내의 산과 소광제 반응의 수를 결정하는 단계, 포토레지스트 볼륨의 현상을 계산하는 단계, 포토레지스트 볼륨의 현상에 의해 생성된 포토레지스트 프로파일의 3차원 시뮬레이션된 주사 전자 현미경 이미지를 프로세서로 생성하는 단계, 및 포토레지스트 프로파일의 치수 특성을 측정하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：一种用于测量光致抗蚀剂轮廓的尺寸特性的基于处理器的方法。确定光致抗蚀剂体积内的酸产生剂和猝灭剂。确定由光致抗蚀剂体积吸收的许多光子。确定了转化为酸的多种酸产生剂。确定光致抗蚀剂体积内的许多酸和猝灭剂反应。计算光刻胶体积的发展。处理器用于产生通过光刻胶体积的发展产生的光致抗蚀剂轮廓的三维模拟扫描电子显微镜图像。测量光致抗蚀剂轮廓的尺寸特性。

4. 发明公开

KR1020170031730A 오버레이 및 수율 임계 패턴을 이용한 계측 审中-实审
标题翻译：使用重叠和产量阈值模式进行测量
公开(公告)号：KR1020170031730A
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020177003719
申请日：2015-07-07
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 캔들다니엘 , 스미스마크디 , 와그너마크 , 아미트에란 , 이명준
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/66 , G06F17/50 , G01N21/93 , G01N21/956
CPC分类号： G06F17/5081 , G01N21/93 , G01N21/956 , G01N2201/13 , G06F2217/12 , H01L22/12 , H01L22/30 , Y02P80/30
摘要： 소자설계에서설계사양에의존하는특정역치보다큰 처리변동에대한오버레이감도를가진오버레이임계패턴을식별하는단계와, 식별된오버레이임계패턴에대응하는계측타겟을이용하는단계를포함한계측방법이제공된다. 대안적으로또는상보적으로, 계측방법은특정처리변동에기인하는대응하는처리창 내로우잉에따라수율임계패턴을식별하는단계를포함하고, 여기에서상기내로우잉은처리파라미터에서패턴들의에지배치오차(EPE)의의존성에의해규정된다. 대응하는타겟및 측정법이제공된다.
摘要翻译：该测量方法包括：使用对应于所识别的重叠阈值图案用于识别与比取决于设计规范中的元件设计，提供了一种阈值大的工艺变化的叠加灵敏度覆盖阈图案的计测对象的步骤。可替代地或补充地，该测量方法根据由于特定过程变量拉拢包括识别收率阈图案，拉拢这里进入地点的过程参数误差的图案的边缘是相应的处理窗内由（EPE）的依赖性限定。提供相应的目标和测量。

5. 发明公开

KR1020120085841A 포토레지스트 시뮬레이션 有权
标题翻译：光电子模拟
公开(公告)号：KR1020120085841A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：KR1020127013240
申请日：2010-11-09
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 비아포레존제이 , 스미스마크디 , 그레이브스존에스 , 블랑켄십데이비드
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/027
CPC分类号： G06F19/702 , G03F7/0045 , H01L22/10 , H01L21/0274 , H01L22/24
摘要： 포토레지스트 프로파일의 치수 특성을 측정하는 방법에 기초한 프로세서로서, 상기 방법들은 포토레지스트 볼륨 내의 산 발생제(acid generator) 및 소광제(quencher)의 수를 결정하는 단계, 포토레지스트 볼륨에 의해 흡수되는 포톤의 수를 결정하는 단계, 산(acid)으로 변환되는 산 발생제의 수를 결정하는 단계, 포토레지스트 볼륨 내의 산과 소광제 반응의 수를 결정하는 단계, 포토레지스트 볼륨의 현상을 계산하는 단계, 포토레지스트 볼륨의 현상에 의해 생성된 포토레지스트 프로파일의 3차원 시뮬레이션된 주사 전자 현미경 이미지를 프로세서로 생성하는 단계, 및 포토레지스트 프로파일의 치수 특성을 측정하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：用于测量光致抗蚀剂轮廓的尺寸特性的基于处理器的方法。确定光致抗蚀剂体积内的酸产生剂和猝灭剂。确定由光致抗蚀剂体积吸收的许多光子。确定了转化为酸的多种酸产生剂。确定光致抗蚀剂体积内的许多酸和猝灭剂反应。计算光刻胶体积的发展。处理器用于产生通过光刻胶体积的发展产生的光致抗蚀剂轮廓的三维模拟扫描电子显微镜图像。测量光致抗蚀剂轮廓的尺寸特性。

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