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1. 发明授权

KR101533610B1 박막증착장치 有权
标题翻译：薄膜沉积装置
公开(公告)号：KR101533610B1
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：KR1020140053197
申请日：2014-05-02
申请人： 주식회사 테스
发明人： 황상수 , 이우진 , 하주일 , 신기조 , 이돈희
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205
摘要： 본발명은박막증착장치에관한것으로서, 본발명에따른박막증착장치는원료가스와반응가스를포함하는복수의공정가스를순차적으로공급하는가스공급모듈을적어도하나이상구비한가스공급부및 기판을지지하며상기가스공급부에대해이동가능하게구비되는기판지지부를포함하고, 상기기판지지부는복수회의단계별전진및 단계별후진을포함하는적어도하나의루프이동을수행하며, 상기하나의루프이동을하는경우에상기기판의최초위치와최후위치사이의루프이동거리는상기하나의가스공급모듈의길이이상인것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜沉积设备。根据本发明的薄膜沉积装置包括气体供应单元，其包括至少一个气体供应模块，其连续地供应包括原料气体和反应性气体的多个处理气体和支撑基板的基板支撑单元，形成为相对于气体供给单元移动。基板支撑单元根据一个步骤执行包括多个向前和向后移动的至少一个循环运动。在一个循环运动的情况下，初始位置和基板的最终位置之间的循环移动距离等于或大于一个气体供应模块的长度。

2. 发明公开

KR1020150004525A 패시베이션용 적층 구조물 无效
标题翻译：剥削的层层
公开(公告)号：KR1020150004525A
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020130077517
申请日：2013-07-03
申请人： 주식회사 테스
发明人： 황상수 , 이우진 , 이돈희
IPC分类号： H01L51/52 , H05B33/22
CPC分类号： H01L51/5237 , H01L2251/558 , H05B33/04
摘要： 본 발명은 반도체용 기판 등의 기체와 액체에 대한 내침투성을 위한 배리어코팅(barrier coating)인 패시베이션 막을 포함하는 적층 구조물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 더욱더 얇은 막으로 종래와 동일한 수준의 패시베이션 효과를 발휘할 뿐만 아니라, 제조비용이 절감되고, 생산성이 우수한, 패시베이션 막을 포함하는 적층 구조물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种层压结构，其包括钝化膜，该钝化膜是半导体衬底上的阻挡涂层，确保了液体和物质的渗透性及其制造方法。更具体地，本发明在保持钝化效果的水平的同时使用更薄的膜。本发明还可以降低制造成本并提高生产率。

3. 发明授权

KR101118477B1 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버 有权
标题翻译：气体分配板和具有相同的过程室
公开(公告)号：KR101118477B1
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020090115350
申请日：2009-11-26
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이돈희 , 김범성 , 하주일 , 마희전 , 김동건 , 노동민
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있는 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버가 개시된다. 가스 분산판은 가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된 가스 유입홀, 가스 유입홀로부터 가스가 분사되는 제2 면 방향으로 연장되고 가스 유입홀 각각에 적어도 2개 이상이 연결되는 관통홀들 및 상기 관통홀들로부터 상기 제2 면까지 연장되고 상기 관통홀보다 큰 크기로 형성된 적어도 하나의 가스 분사홀을 포함한다. 이와 같이, 가스 유입홀을 2개 이상의 관통홀들과 공통으로 연결되도록 크게 형성함으로써, 가스 분산판의 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있다.

4. 发明授权

KR101793897B1 발광소자의 보호막 증착방법 有权
公开(公告)号：KR101793897B1
公开(公告)日：2017-11-06
申请号：KR1020160059944
申请日：2016-05-17
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이홍재 , 김종환 , 심우필 , 이우진 , 윤성연 , 이돈희
IPC分类号： H01L51/52 , H01L21/02 , H01L51/56
CPC分类号： H01L21/02 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/5256 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L2251/303 , H01L2251/558
摘要： 본발명은발광소자의보호막증착방법에대한것으로서, 상기보호막증착방법은발광소자의보호막증착방법에있어서기판의발광소자의상부에제1 무기보호막을증착하는단계및 상기제1 무기보호막보다내부응력이상대적으로작은제2 무기보호막을상기제1 무기보호막의상부에증착하는단계를포함하는것을특징으로한다.

5. 发明公开

KR1020110058534A 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버 有权
标题翻译：气体分配装置和具有该气体分配装置的过程室
公开(公告)号：KR1020110058534A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090115358
申请日：2009-11-26
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이돈희 , 김범성 , 하주일 , 마희전 , 김동건 , 노동민
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L21/205 , H01L21/3065
摘要： PURPOSE: A gas jetting device and processing chamber with the same are provided to keep the interval between a gas jetting plate and a substrate to be processed uniform, thereby increasing deposition uniformity. CONSTITUTION: A support plate(210) seals the internal space of a chamber body(110). A groove is formed on a side of the support plate. Connection blocks(230) are connected to the support plate through the groove. A gas jetting plate(220) is separated from the lower part of the support plate. The gas jetting plate includes a plurality of gas jetting holes(222) for jetting a gas inputted into a gas input hole(212) toward a substrate(122) to be processed. A shielding film seals the space between the gas jetting plate and the support plate.
摘要翻译：目的：提供一种气体喷射装置及其处理室，以保持气体喷射板和待加工基板之间的间隔均匀，从而增加沉积均匀性。构成：支撑板（210）密封腔体（110）的内部空间。在支撑板的一侧形成有槽。连接块（230）通过凹槽连接到支撑板。气体喷射板（220）与支撑板的下部分离。气体喷射板包括多个气体喷射孔（222），用于将输入到气体输入孔（212）的气体朝向要处理的基板（122）喷射。屏蔽膜密封气体喷射板和支撑板之间的空间。

6. 发明公开

KR1020100113774A 기판처리장치 无效
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：KR1020100113774A
公开(公告)日：2010-10-22
申请号：KR1020090032261
申请日：2009-04-14
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이돈희 , 김범성 , 하주일 , 마희전
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/67103 , H01L21/68771 , H01L21/68785
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus uses the heater block improving the temperature uniformity. Substrate is heated effectively. CONSTITUTION: The fixed space part(11) is formed inside the chamber(10). In one side of the chamber, the gate valve(12) prepares. Tray is carried out to through the gate valve with import. It can be ascended and descended, the heater block(20) is installed in the space part of the chamber. The heater block heats the substrate with the processing temperature.
摘要翻译：目的：基板处理装置使用加热器块来提高温度均匀性。底物被有效加热。构成：固定空间部分（11）形成在室（10）内。在室的一侧，闸阀（12）准备。托盘通过进口阀门进行。它可以上升和下降，加热器块（20）安装在腔室的空间部分。加热器块以加工温度加热基板。

7. 发明授权

KR101809885B1 발광소자의 보호막 증착방법 有权
公开(公告)号：KR101809885B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020160027868
申请日：2016-03-08
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이홍재 , 김종환 , 심우필 , 이우진 , 윤성연 , 이돈희
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L51/00 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要： 본발명은발광소자의보호막증착방법에대한것으로서, 상기보호막증착방법은기판의발광소자의상부에실리콘질화물(SiNx)로이루어진제1 보호막을증착하는단계및 상기제1 보호막의상부에실리콘산화물(SiOx)로이루어진제2 보호막을증착하는단계를포함하고, 상기제1 보호막의두께와제2 보호막의두께의비율은 0.2 ~ 0.4 : 1인것을특징으로한다

8. 发明授权

KR101801545B1 발광소자의 보호막 증착방법 有权
公开(公告)号：KR101801545B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020160060938
申请日：2016-05-18
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이홍재 , 김종환 , 심우필 , 이우진 , 윤성연 , 이돈희
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/02 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/452
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/455 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/005 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/403 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01L2924/12041
摘要： 본발명은발광소자의보호막증착방법에대한것으로서, 상기보호막증착방법은기판의발광소자의상부에원자층증착법에의해제1 보호막을증착하는단계및 상기제1 보호막의상부에화학기상증착법에의해적어도하나의추가보호막을증착하는단계를포함하는것을특징으로한다.

9. 发明公开

KR1020170104882A 발광소자의 보호막 증착방법 审中-实审
标题翻译：沉积发光装置保护膜的方法
公开(公告)号：KR1020170104882A
公开(公告)日：2017-09-18
申请号：KR1020160027868
申请日：2016-03-08
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이홍재 , 김종환 , 심우필 , 이우진 , 윤성연 , 이돈희
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L51/00 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要： 본발명은발광소자의보호막증착방법에대한것으로서, 상기보호막증착방법은기판의발광소자의상부에실리콘질화물(SiNx)로이루어진제1 보호막을증착하는단계및 상기제1 보호막의상부에실리콘산화물(SiOx)로이루어진제2 보호막을증착하는단계를포함하고, 상기제1 보호막의두께와제2 보호막의두께의비율은 0.2 ~ 0.4 : 1인것을특징으로한다
摘要翻译：本发明的用于发光元件，在该台阶与第一保护膜，其包括顶部氧化硅的保护膜沉积工艺的保护膜沉积方法：在所述基板的所述发光元件的顶部上沉积氮化硅（SiN x）的第一保护膜（ SiOx），并且第一保护膜的厚度与第二保护膜的厚度之比为0.2至0.4：1

10. 发明公开

KR1020130066865A 기판처리장치의 트레이 구조 无效
标题翻译：基板加工设备托盘
公开(公告)号：KR1020130066865A
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：KR1020110133584
申请日：2011-12-13
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이돈희 , 하주일
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67333 , H01L21/673 , H01L21/67356 , H01L21/68757
摘要： PURPOSE: A tray structure of a substrate processing device is provided to stably maintain a substrate by forming a dual groove with a first groove and a second groove on a plurality of cells. CONSTITUTION: A plurality of cells mounts a substrate. A tray main body(10) forms the plurality of cells. The plurality of cells correspond to the shape of the substrate. A first groove(21) is cut with a concave shape from the upper surface of the tray main body. A second groove(22) forms a height difference with the first groove.
摘要翻译：目的：提供一种基板处理装置的托盘结构，通过在多个单元上形成具有第一凹槽和第二凹槽的双凹槽来稳定地维持基板。构成：多个单元安装基板。托盘主体（10）形成多个单元。多个单元对应于基板的形状。第一凹槽（21）从托盘主体的上表面以凹形切割。第二凹槽（22）与第一凹槽形成高度差。

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