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1. 发明授权

KR101511490B1 박막증착장치 有权
标题翻译：薄膜沉积装置
公开(公告)号：KR101511490B1
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：KR1020130088593
申请日：2013-07-26
申请人： 주식회사 테스
发明人： 김재환 , 마희전 , 심우필
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본발명은박막증착장치에 관한것이다. 본발명에따른박막증착장치는내부에증착공간을구비하는챔버, 상기챔버내부에구비되어기판이안착되는기판지지부및 상기기판을향해공정가스를공급하는공정가스공급채널과, 상기공정가스공급채널에서상기기판으로분사된공정가스를활성화시키는가스활성화유닛을구비하는활성화채널을구비하는가스공급부를포함하고, 상기가스활성화유닛은상기활성화채널의일측내벽에적어도일부가노출되도록구비되는전극, 상기전극을감싸는차폐부재및 상기전극을냉각시키는냉각수단을구비하고, 상기냉각수단은상기전극을경유하여상기공정가스공급채널과연결되는냉각유로를구비하고, 상기공정가스공급채널로공급되는공정가스의적어도일부가상기냉각유로를통하여유동하는것을특징으로한다.

2. 发明授权

KR101488672B1 박막증착장치 有权
标题翻译：薄膜沉积设备
公开(公告)号：KR101488672B1
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020130077571
申请日：2013-07-03
申请人： 주식회사 테스
发明人： 심우필 , 김재환
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 박막증착장치 에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막증착장치는 내부에 증착공간을 구비하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되는 기판지지부 및 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 공정가스공급채널과, 상기 공정가스공급채널에서 상기 기판으로 분사된 공정가스가 유입되는 개구부를 하부에 구비하고 상부는 밀폐되어 상기 공정가스를 활성화시키며 서로 이웃하여 구비되는 둘 이상의 활성화채널과, 상기 이웃한 둘 이상의 활성화채널의 사이에 구비되어 상기 활성화채널에서 각각 공정가스를 활성화시키는 가스활성화유닛을 포함하는 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜沉积设备。根据本发明，工艺气体供应通道和用于向所述衬底支撑件和基片室供给处理气体的处理气体供给通道中的膜沉积装置中，在腔室的内部设置，将衬底安装在其中具有沉积空间设置有在该工艺气体注入到基板入口至底部和顶部被封闭在两个或更多个活性通道之间设置的开口，一种以上的活性通道旁边设置于彼此相邻的激活工艺气体中的以及气体供应单元，其包括用于激活每个激活通道中的处理气体的气体激活单元。

3. 发明授权

KR101793897B1 발광소자의 보호막 증착방법 有权
公开(公告)号：KR101793897B1
公开(公告)日：2017-11-06
申请号：KR1020160059944
申请日：2016-05-17
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이홍재 , 김종환 , 심우필 , 이우진 , 윤성연 , 이돈희
IPC分类号： H01L51/52 , H01L21/02 , H01L51/56
CPC分类号： H01L21/02 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/5256 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L2251/303 , H01L2251/558
摘要： 본발명은발광소자의보호막증착방법에대한것으로서, 상기보호막증착방법은발광소자의보호막증착방법에있어서기판의발광소자의상부에제1 무기보호막을증착하는단계및 상기제1 무기보호막보다내부응력이상대적으로작은제2 무기보호막을상기제1 무기보호막의상부에증착하는단계를포함하는것을특징으로한다.

4. 发明公开

KR1020150012722A 박막증착장치 有权
标题翻译：薄膜沉积装置
公开(公告)号：KR1020150012722A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020130088593
申请日：2013-07-26
申请人： 주식회사 테스
发明人： 김재환 , 마희전 , 심우필
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 박막증착장치 에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막증착장치는 내부에 증착공간을 구비하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되는 기판지지부 및 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 공정가스공급채널과, 상기 공정가스공급채널에서 상기 기판으로 분사된 공정가스를 활성화시키는 가스활성화유닛을 구비하는 활성화채널을 구비하는 가스공급부를 포함하고, 상기 가스활성화유닛은 상기 활성화채널의 일측 내벽에 적어도 일부가 노출되도록 구비되는 전극, 상기 전극을 감싸는 차폐부재 및 상기 전극을 냉각시키는 냉각수단을 구비하고, 상기 냉각수단은 상기 전극을 경유하여 상기 공정가스공급채널과 연결되는 냉각유로를 구비하고, 상기 공정가스공급채널로 공급되는 공정가스의 적어도 일부가 상기 냉각유로를 통하여 유동하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：薄膜沉积装置技术领域本发明涉及一种薄膜沉积装置。根据本发明的薄膜沉积装置包括：具有沉积空间的腔室，形成在腔室中并安装有基底的基底支撑部分和气体供应部分，其包括工艺气体供应通道，向基板供应处理气体，以及激活通道，其包括气体活化单元，其激活从处理气体供应通道喷射到基板的处理气体。气体活化单元包括形成为暴露于激活通道的内壁的至少一部分的电极，围绕电极的屏蔽构件和冷却电极的冷却单元。冷却单元包括经由电极连接到工艺气体供给通道的冷却路径。提供给过程供给通道的工艺气体的至少一部分流过冷却通道。

5. 发明公开

KR1020150004542A 박막증착장치 有权
标题翻译：薄膜沉积装置
公开(公告)号：KR1020150004542A
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020130077571
申请日：2013-07-03
申请人： 주식회사 테스
发明人： 심우필 , 김재환
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 박막증착장치 에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막증착장치는 내부에 증착공간을 구비하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되는 기판지지부 및 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 공정가스공급채널과, 상기 공정가스공급채널에서 상기 기판으로 분사된 공정가스가 유입되는 개구부를 하부에 구비하고 상부는 밀폐되어 상기 공정가스를 활성화시키며 서로 이웃하여 구비되는 둘 이상의 활성화채널과, 상기 이웃한 둘 이상의 활성화채널의 사이에 구비되어 상기 활성화채널에서 각각 공정가스를 활성화시키는 가스활성화유닛을 포함하는 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜沉积设备。根据本发明的薄膜沉积设备包括一个在其内部包括沉积空间的腔室，形成在腔室中并接收衬底的衬底支撑单元，向衬底提供处理气体的处理气体供应通道，两个或更多的激活通道，其包括从处理气体供应通道喷射在基板上的处理气体的开口部分在其下侧被输入，其处理气体被顶部封闭，并且相邻地布置成气体供给单元，其包括气体激活单元，其形成在两个相邻的激活通道之间并且激活所述激活通道中的处理气体。

6. 发明授权

KR102154479B1 정전척 有权
公开(公告)号：KR102154479B1
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：KR1020170183523
申请日：2017-12-29
申请人： 주식회사 테스
发明人： 심우필
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15

7. 发明授权

KR101809885B1 발광소자의 보호막 증착방법 有权
公开(公告)号：KR101809885B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020160027868
申请日：2016-03-08
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이홍재 , 김종환 , 심우필 , 이우진 , 윤성연 , 이돈희
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L51/00 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要： 본발명은발광소자의보호막증착방법에대한것으로서, 상기보호막증착방법은기판의발광소자의상부에실리콘질화물(SiNx)로이루어진제1 보호막을증착하는단계및 상기제1 보호막의상부에실리콘산화물(SiOx)로이루어진제2 보호막을증착하는단계를포함하고, 상기제1 보호막의두께와제2 보호막의두께의비율은 0.2 ~ 0.4 : 1인것을특징으로한다

8. 发明授权

KR101801545B1 발광소자의 보호막 증착방법 有权
公开(公告)号：KR101801545B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020160060938
申请日：2016-05-18
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이홍재 , 김종환 , 심우필 , 이우진 , 윤성연 , 이돈희
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/02 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/452
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/455 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/005 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/403 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01L2924/12041
摘要： 본발명은발광소자의보호막증착방법에대한것으로서, 상기보호막증착방법은기판의발광소자의상부에원자층증착법에의해제1 보호막을증착하는단계및 상기제1 보호막의상부에화학기상증착법에의해적어도하나의추가보호막을증착하는단계를포함하는것을특징으로한다.

9. 发明公开

KR1020170104882A 발광소자의 보호막 증착방법 审中-实审
标题翻译：沉积发光装置保护膜的方法
公开(公告)号：KR1020170104882A
公开(公告)日：2017-09-18
申请号：KR1020160027868
申请日：2016-03-08
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이홍재 , 김종환 , 심우필 , 이우진 , 윤성연 , 이돈희
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L51/00 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要： 본발명은발광소자의보호막증착방법에대한것으로서, 상기보호막증착방법은기판의발광소자의상부에실리콘질화물(SiNx)로이루어진제1 보호막을증착하는단계및 상기제1 보호막의상부에실리콘산화물(SiOx)로이루어진제2 보호막을증착하는단계를포함하고, 상기제1 보호막의두께와제2 보호막의두께의비율은 0.2 ~ 0.4 : 1인것을특징으로한다
摘要翻译：本发明的用于发光元件，在该台阶与第一保护膜，其包括顶部氧化硅的保护膜沉积工艺的保护膜沉积方法：在所述基板的所述发光元件的顶部上沉积氮化硅（SiN x）的第一保护膜（ SiOx），并且第一保护膜的厚度与第二保护膜的厚度之比为0.2至0.4：1

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