专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101118477B1 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버 有权
标题翻译：气体分配板和具有相同的过程室
公开(公告)号：KR101118477B1
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020090115350
申请日：2009-11-26
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이돈희 , 김범성 , 하주일 , 마희전 , 김동건 , 노동민
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있는 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버가 개시된다. 가스 분산판은 가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된 가스 유입홀, 가스 유입홀로부터 가스가 분사되는 제2 면 방향으로 연장되고 가스 유입홀 각각에 적어도 2개 이상이 연결되는 관통홀들 및 상기 관통홀들로부터 상기 제2 면까지 연장되고 상기 관통홀보다 큰 크기로 형성된 적어도 하나의 가스 분사홀을 포함한다. 이와 같이, 가스 유입홀을 2개 이상의 관통홀들과 공통으로 연결되도록 크게 형성함으로써, 가스 분산판의 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있다.

2. 发明授权

KR101053054B1 마그네트론 스퍼터링 장치 有权
标题翻译：磁控溅射装置
公开(公告)号：KR101053054B1
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：KR1020080132222
申请日：2008-12-23
申请人： 주식회사 테스
发明人： 황상수 , 노동민
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 본 발명은 챔버와; 상기 챔버 내부에 배치되며 피처리체가 안착되는 피처리체 지지부와; 상기 피처리체의 상부에 배치되는 스퍼터링 타겟과; 상기 스퍼터링 타겟의 상부에 상호 이격되게 배치되며, 상호 상이한 극성을 갖는 내측 마그네트 및 외측 마그네트와; 상기 내측 마그네트와 상기 외측 마그네트 간의 상하 방향으로의 상대적 위치가 조절 가능하도록 상기 내측 마그네트 및 상기 외측 마그네트 중 어느 하나를 상하 이동시키는 상하 이동 어셈블리와; 상기 내측 마그네트 및 상기 외측 마그네트가 상기 스퍼터링 타겟의 판면에 대향하는 방향을 따라 왕복 이동하도록 상하 이동 어셈블리를 왕복 이동시키는 왕복 이동 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 내측 마그네트 및 외측 마그네트가 스퍼터링 타겟의 판면에 대해 대향하는 방향으로 이동함과 동시에, 내측 마그네트 및 외측 마그네트 중 어느 하나와 스퍼터링 타겟 간의 간격이 내측 마그네트 및 외측 마그네트 중 다른 하나에 독립적으로 조절 가능하여 스퍼터링 타겟의 사용 효율이 증가되고 증착 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种腔室，其包括：腔室; 放置在腔室内并放置物体的物体支撑件; 溅射靶，设置在待处理物体的上部; 在溅射靶上彼此间隔开且具有彼此不同的极性的内部磁体和外部磁体; 垂直移动组件，用于垂直移动内部磁体和外部磁体中的一个，使得内部磁体和外部磁体之间的相对位置可以在垂直方向上调节; 以及往复组件，其使上下移动组件往复移动，使得内侧磁铁和外侧磁铁沿着与溅射靶的板面相反的方向往复运动。以这种方式，在相反方向上与内磁体和所述外磁体的溅射靶的表面，并在同一时间的运动，一个内磁体和外磁体之间的距离或者与其他内磁铁和外磁铁的独立控制的溅射靶可以增加溅射靶的使用效率并且可以提高沉积厚度的均匀性。

3. 发明授权

KR101128267B1 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버 有权
标题翻译：气体分配装置和具有该气体分配装置的过程室
公开(公告)号：KR101128267B1
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020090115358
申请日：2009-11-26
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이돈희 , 김범성 , 하주일 , 마희전 , 김동건 , 노동민
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 가스 분사판의 변형 및 파손을 방지할 수 있는 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버가 개시되어 있다. 가스분사장치는 가스 유입구가 형성된 지지판, 가스 분사판, 다수의 연결 블록들 및 차단막을 포함한다. 가스 분사판은 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들을 포함한다. 연결 블록들은 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 가스 분사판의 열변형에 따라 유동되도록 지지판에 의해 지지된다. 차단막은 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 지지판과 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시킨다. 따라서, 가스 분사판의 열 변형에 따른 파손을 방지하고 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.

4. 发明授权

KR101101710B1 쉐도우 프레임 및 이를 갖는 공정 챔버 有权
标题翻译：阴影框架和具有该框架的过程室
公开(公告)号：KR101101710B1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：KR1020090118138
申请日：2009-12-02
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이돈희 , 김범성 , 하주일 , 마희전 , 김동건 , 노동민
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 피처리 기판을 안정적으로 로딩 및 언로딩할 수 있는 쉐도우 프레임 및 이를 갖는 공정 챔버가 개시되어 있다. 쉐도우 프레임은 프레임부 및 기판 지지부를 포함한다. 프레임부는 챔버 몸체의 내부에 설치되며, 공정 중에 피처리 기판의 가장자리를 커버하기 위해 사각 틀 형상으로 형성된다. 기판 지지부는 프레임부의 하부면에 형성되며, 챔버 몸체의 내부로 반입된 피처리 기판이 프레임부의 하부에 일정 거리 이격되게 배치되도록 피처리 기판의 가장자리를 지지한다. 기판 지지부는 피처리 기판의 반입 방향의 양측에 형성된다. 이와 같이, 피처리 기판의 로딩 및 언로딩 과정에서 쉐도우 프레임에 형성된 기판 지지부를 이용하여 피처리 기판을 안정적으로 지지하여 줌으로써, 리프트 핀으로 인해 발생되던 기판 손상 및 불균일 증착 등의 문제를 해결할 수 있다.

5. 发明公开

KR1020110061669A 쉐도우 프레임 및 이를 갖는 공정 챔버 有权
标题翻译：阴影框架和具有该框架的过程室
公开(公告)号：KR1020110061669A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090118138
申请日：2009-12-02
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이돈희 , 김범성 , 하주일 , 마희전 , 김동건 , 노동민
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A shadow frame and processing chamber with the same are provided to stably load and unload a large surface, thereby increasing productivity. CONSTITUTION: A shadow frame(140) comprises a frame unit and a substrate supporting unit. The frame unit is installed in a chamber body(110) and has a rectangular frame to cover an edge of a substrate to be processed during a process. A substrate support unit is formed on the bottom of the frame unit. The substrate support unit is formed on both sides of the substrate to be processed.
摘要翻译：目的：提供具有相同的阴影框架和处理室，以稳定地加载和卸载大表面，从而提高生产率。构成：阴影框架（140）包括框架单元和基板支撑单元。框架单元安装在室主体（110）中并且具有矩形框架以覆盖在处理期间待处理的基板的边缘。衬底支撑单元形成在框架单元的底部上。基板支撑单元形成在待处理基板的两侧。

6. 发明公开

KR1020110061667A 서셉터 접지유닛, 이를 이용하여 서셉터 접지의 가변방법 및 이를 갖는 공정챔버 有权
标题翻译： SUSCEPTER接地单元，用于改变使用其的SUSCEPTER的接地的方法和具有该连接器的过程室
公开(公告)号：KR1020110061667A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090118131
申请日：2009-12-02
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이돈희 , 김범성 , 하주일 , 마희전 , 김동건 , 노동민
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/4586 , H01J37/32715
摘要： PURPOSE: A susceptor grounding unit, method for changing the ground of a susceptor using the same, and a processing chamber with the same are provided to change the ground of a susceptor without replacing a susceptor ground unit, thereby increasing uniformity of a deposition film. CONSTITUTION: A ground connecting body(410) is arranged between a chamber body and a susceptor to ground the susceptor in the chamber body. A ground block(420) pressurizes a part of the ground connecting body toward one side of the susceptor. A plurality of upper connection screws(430) is connected to the ground block through the susceptor and the ground connecting body. The upper connection screws change the size of the contact area between the susceptor and the chamber body. The ground connecting body comprises an upper connecting unit, a lower connecting unit, and a central body unit which connects the upper connecting unit with the lower connecting unit.
摘要翻译：目的：提供一种基座接地单元，用于改变使用该感应器的基座的接地的方法以及具有该基座的处理室，以在不更换基座接地单元的情况下改变基座的接地，从而提高沉积膜的均匀性。构成：在室主体和基座之间设置接地连接体（410），以将基座接地于室体内。接地块（420）将接地连接体的一部分朝向基座的一侧加压。多个上连接螺钉（430）通过基座和接地连接体连接到接地块。上连接螺丝改变基座和腔体之间接触面积的大小。接地连接体包括上连接单元，下连接单元和连接上连接单元与下连接单元的中心体单元。

7. 发明授权

KR101232597B1 기판처리장치 有权
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：KR101232597B1
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：KR1020110116298
申请日：2011-11-09
申请人： 주식회사 테스
发明人： 하주일 , 마희전 , 노동민 , 윤희동 , 김수천
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/04
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly heat a substrate by preventing the substrate from being separated from a heater block due to a thermal expansion coefficient difference between the heater block and a tray. CONSTITUTION: An opening part is formed in a tray. A gate and a space(11) are formed in a chamber(10). A heater block(40) is installed in the space part of the chamber. A heating element is buried in the heating member. A susceptor member is arranged on the upper side of the heating member.
摘要翻译：目的：提供一种基板处理装置，用于通过防止由于加热器块和托盘之间的热膨胀系数差而使基板与加热器块分离而使基板均匀加热。构成：在托盘中形成开口部。在室（10）中形成有一个门和一个空间（11）。加热器块（40）安装在腔室的空间部分中。加热元件埋在加热件中。基座部件布置在加热部件的上侧。

8. 发明公开

KR1020110067939A 로드락 챔버 无效
标题翻译：负载门锁
公开(公告)号：KR1020110067939A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090124730
申请日：2009-12-15
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이돈희 , 김범성 , 하주일 , 마희전 , 김동건 , 노동민
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67201 , H01L21/67389 , H01L21/67772
摘要： PURPOSE: A load lock chamber is provided to prevent efficiently the deformation of a chamber in a slit formation area by forming a reinforcing rib in the upper unit of side walls. CONSTITUTION: A first chamber unit comprises a first plate and fours first-side wall which are perpendicular to the first plate. A first slit(222) for loading and unloading a substrate is formed in two first-side wall which are faced to each other. A second chamber includes a second plate and four second-side walls which are perpendicular to the second plate. A second slit for loading and unloading a substrate is formed in two second-side wall which are faced to each other. A first reinforcing rib is extended from the two second-side walls inward. A top cover(400) covers the opened upper part of the first chamber.
摘要翻译：目的：提供一种装载锁定室，用于通过在侧壁的上部单元中形成加强肋来有效地防止狭缝形成区域中的室的变形。构成：第一室单元包括垂直于第一板的第一板和四个第一侧壁。用于装载和卸载衬底的第一狭缝（222）形成在彼此面对的两个第一侧壁中。第二室包括垂直于第二板的第二板和四个第二侧壁。用于装载和卸载基板的第二狭缝形成在彼此面对的两个第二侧壁中。第一加强筋从两个第二侧壁向内延伸。顶盖（400）覆盖第一室的敞开的上部。

9. 发明公开

KR1020100073521A 마그네트론 스퍼터링 장치 有权
标题翻译： MAGNETRON喷射装置
公开(公告)号：KR1020100073521A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080132222
申请日：2008-12-23
申请人： 주식회사 테스
发明人： 황상수 , 노동민
IPC分类号： C23C14/35
摘要： PURPOSE: A magnetron sputtering device is provided to form a growing thickness by moving the surface of a sputtering target using an inner magnet and an outer magnet. CONSTITUTION: A magnetron sputtering device comprises a chamber, a processed article supporting part, a sputtering target, an inner and an outer magnet(1,3), a vertical movement assembly(30), and a reciprocating assembly. The processed article supporting part is arranged in the inside of a chamber. The sputtering target is arranged at the upper part of the processed article. The inner and the outer magnet have different polarities. The vertical movement assembly moves up and down the inner and outer magnet. The reciprocating assembly reciprocates a vertical movement assembly.
摘要翻译：目的：提供磁控溅射装置以通过使用内磁体和外磁体移动溅射靶的表面来形成增长的厚度。构成：磁控溅射装置包括腔室，加工物品支撑部件，溅射靶，内外磁体（1,3），垂直移动组件（30）和往复式组件。处理物品支撑部分布置在室的内部。溅射靶设置在处理物品的上部。内外磁体具有不同的极性。垂直运动组件上下移动内外磁铁。往复运动组件使垂直运动组件往复运动。

10. 发明公开

KR1020100062043A 기판처리장치 失效
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：KR1020100062043A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080120453
申请日：2008-12-01
申请人： 주식회사 테스
发明人： 황상수 , 노동민
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/00 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45591 , C23C16/52
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to obtain an optimal gas flow which enable the thin film to deposit on a substrate uniformly by freely modifying the state of a baffle. CONSTITUTION: A space part is formed inside a chamber(10). A support plate(20) supports the substrate. A shower head(30) sprays the processing gas toward the substrate. A baffle(40) is installed on the outlet side of a gas injector to be tilting. An elevation control rod(60) is combined to the baffle to be rotating.
摘要翻译：目的：提供一种基板处理装置，以获得最佳气流，使得薄膜能够通过自由地改变挡板的状态而均匀地沉积在基板上。构成：在室（10）内形成空间部分。支撑板（20）支撑基板。喷头（30）将处理气体喷射到基板。挡板（40）安装在气体喷射器的出口侧以倾斜。升降控制杆（60）与挡板组合以进行旋转。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式