专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102228517B1 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 有权
公开(公告)号：KR102228517B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020190069731
申请日：2019-06-13
申请人： 주식회사 테스
发明人： 주정명 , 오승민 , 이준희 , 이준섭 , 이승호 , 한진수
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 본발명은기판처리장치및 이를이용한기판처리방법에대한것으로서, 보다상세하게는초임계유체를이용하여기판에대한처리공정을마치고챔버를개방하는경우에챔버내부에서파티클등의이물질로인해기판손상또는오염을방지할수 있는기판처리장치및 이를이용한기판처리방법에대한것이다.

2. 发明授权

KR102120494B1 기판처리장치 有权
公开(公告)号：KR102120494B1
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：KR1020190084996
申请日：2019-07-15
申请人： 주식회사 테스
发明人： 조형진
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67

3. 发明授权

KR102053593B1 리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치 有权
公开(公告)号：KR102053593B1
公开(公告)日：2019-12-09
申请号：KR1020170162250
申请日：2017-11-29
申请人： 주식회사 테스
发明人： 손홍준
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677

4. 发明授权

KR102020188B1 기판처리장치의 기판 로딩 및 언로딩 방법 有权
公开(公告)号：KR102020188B1
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：KR1020170126626
申请日：2017-09-28
申请人： 주식회사 테스
发明人： 안명헌 , 김진영
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/02

5. 发明授权

KR101990639B1 기판검사방법 및 기판처리장치 有权
公开(公告)号：KR101990639B1
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：KR1020170147797
申请日：2017-11-08
申请人： 주식회사 테스
发明人： 조형진
IPC分类号： G02F1/13 , B65G49/06

6. 发明授权

KR101966049B1 기판처리장치 및 그 세정방법 有权
公开(公告)号：KR101966049B1
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：KR1020170109491
申请日：2017-08-29
申请人： 주식회사 테스
发明人： 김태윤
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/02

7. 发明授权

KR101855655B1 기판처리장치 有权
公开(公告)号：KR101855655B1
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：KR1020160161568
申请日：2016-11-30
申请人： 주식회사 테스
发明人： 손홍준 , 최낙구
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H05H1/46 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/02046 , H01J37/32174 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/67034 , H05H1/46
摘要： 본발명은기판처리장치에관한것이다. 본발명에따른기판처리장치는기판이처리되는처리공간을제공하는챔버, 상기처리공간의상부에구비되어공정가스또는세정가스를공급하는가스공급부, 상기기판을지지하며접지전극이구비된기판지지부, 상기챔버의상부에구비되어 RF 전원이인가되는제1 전극및 상기기판지지부의하부에구비되어 RF 전원이인가되는제2 전극을구비하는것을특징으로한다.

8. 发明授权

KR101793897B1 발광소자의 보호막 증착방법 有权
公开(公告)号：KR101793897B1
公开(公告)日：2017-11-06
申请号：KR1020160059944
申请日：2016-05-17
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이홍재 , 김종환 , 심우필 , 이우진 , 윤성연 , 이돈희
IPC分类号： H01L51/52 , H01L21/02 , H01L51/56
CPC分类号： H01L21/02 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/5256 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L2251/303 , H01L2251/558
摘要： 본발명은발광소자의보호막증착방법에대한것으로서, 상기보호막증착방법은발광소자의보호막증착방법에있어서기판의발광소자의상부에제1 무기보호막을증착하는단계및 상기제1 무기보호막보다내부응력이상대적으로작은제2 무기보호막을상기제1 무기보호막의상부에증착하는단계를포함하는것을특징으로한다.

9. 发明公开

KR1020170093003A 플라즈마를 이용한 비정질 탄소막의 증착 방법 审中-实审
标题翻译：用等离子体沉积非晶碳膜的方法
公开(公告)号：KR1020170093003A
公开(公告)日：2017-08-14
申请号：KR1020160014414
申请日：2016-02-04
申请人： 주식회사 테스
发明人： 양재영
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/115 , H05H1/46
摘要： 본발명은반도체공정에서플라즈마를이용한비정질탄소막의증착방법에관한것으로서, 더욱상세하게는종래하드마스크로사용되는탄소막의식각선택비가낮아서발생되는패턴구현상의문제점을해결하기위하여, 전구체물질을단속적으로주입하는순환주입방식을통해도펀트가주입된탄소막과도펀트가주입되지않은탄소막이교번증착된다층막구조를형성함으로써, 식각선택비가증가된비정질탄소막의증착방법에관한것이다.
摘要翻译：在本发明这不是解决，并且更具体地与图案执行蚀刻选择性比率的问题是低的一代在常规使用的作为硬掩模通过在半导体工艺中使用等离子体涉及非晶碳膜的淀积方法的碳膜，间歇地将前体材料通过形成碳膜和该掺杂剂的掺杂剂不通过注射循环植入注入碳膜的喷射方法被沉积交替的多层膜结构，本发明涉及的非晶碳膜蚀刻选择比增大的沉积方法。

10. 发明公开

KR1020170093002A 플라즈마를 이용한 금속산화물이 포함된 탄소막의 형성 방법 审中-实审
标题翻译：通过等离子体形成含有金属氧化物的碳膜的方法
公开(公告)号：KR1020170093002A
公开(公告)日：2017-08-14
申请号：KR1020160014409
申请日：2016-02-04
申请人： 주식회사 테스
发明人： 양재영
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/04 , H01J37/24 , H01J49/10
摘要： 본발명은반도체공정에서플라즈마를이용한금속산화물이포함된탄소막의형성방법에관한것으로서, 더욱상세하게는종래의탄소막을하드마스크물질로사용할때 식각선택비가낮아서발생하는패턴구현상의문제점및 탄소막의흡광계수증가로인한하부층과의정렬오류문제를해결하기위하여, 플라즈마장치에유기금속산화물전구체를적용하여플라즈마중합방식에의해탄소막에금속산화물을포함함으로써하드마스크박막의식각선택비를향상시키고, 박막의흡광계수를감소시켜하부층과의정렬오류를감소시키는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及形成含有在半导体工艺中使用等离子体的碳膜上的蚀刻选择比的金属氧化物，并且更具体地，模式实现的问题，和碳薄膜的方法是使用常规碳膜的硬掩模材料时低，消光为了解决下层的，并且由于未对准问题的系数增加，通过由等离子体聚合方法由金属氧化物的碳膜涂敷有机金属氧化物前体的等离子体装置，以改善硬掩模膜的蚀刻选择性，薄减少消光系数以减少与下层的错位。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式