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1. 发明公开

KR1020070087840A 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：用于抛光的浆料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070087840A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020050131395
申请日：2005-12-28
申请人： 주식회사 케이씨 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김용국 , 김대형 , 서명원 , 김동현 , 박재근 , 백운규
IPC分类号： C09K3/14
摘要： Provided are a method for preparing a polishing slurry, and a polishing slurry prepared by the method which reduces the generation of scratch and residual particles in CMP process. A method comprises the steps of preparing an abrasive, ultrapure water and a dispersant; milling the mixture comprising the abrasive, ultrapure water and the dispersant; optionally filtering it to remove large particle; maturing the mixture to stabilize a slurry; and controlling the average particle size of the abrasive particle to be 80-300 nm by the maturing process. Preferably the maturing process is carried out with a rotation number of a tank stirrer of 300 rpm or less at a temperature of 20-50 deg.C for 100 days or less.
摘要翻译：提供了一种制备抛光浆料的方法，以及通过减少CMP工艺中的划痕和残留颗粒的产生的方法制备的研磨浆料。一种方法包括制备磨料，超纯水和分散剂的步骤; 研磨包含研磨剂，超纯水和分散剂的混合物; 任选地过滤以除去大颗粒; 熟化混合物以稳定浆料; 并且通过熟化过程控制磨料颗粒的平均粒度为80-300nm。优选地，成熟过程在20-50℃的温度下以300rpm或更少的罐式搅拌器的转数进行100天或更少。

2. 发明授权

KR100641348B1 ＣＭＰ용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법 有权
标题翻译： CMP的浆料及其制造方法和抛光底材的方法
公开(公告)号：KR100641348B1
公开(公告)日：2006-11-03
申请号：KR1020050047646
申请日：2005-06-03
申请人： 주식회사 케이씨 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 백운규 , 박재근 , 김상균 , 김예환 , 서명원 , 김대형
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14 , B24B57/02
CPC分类号： C23F3/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C09K3/1472 , H01L21/3212
摘要： A slurry for a CMP, a manufacturing method thereof, and a method for polishing a substrate are provided to obtain a polishing slurry of improved characteristics by manufacturing the slurry using colloidal silica. A slurry for a CMP includes a polishing particle. The polishing particle includes organic-substituted colloidal silica using organic metal alkoxide. The polishing particle has a median size of 20 to 150 nm. The polishing particles have a primary particle, which has a median size of 10 to 120 nm. The organic-substituted colloidal silica is one of methyl trimethoxysilane(MTMS), phenyltrimethoxysilane(PTMS), or vinyl trimethoxysilane(VTMS).
摘要翻译：提供了一种用于CMP的浆料，其制造方法和用于研磨基材的方法，以通过使用胶体二氧化硅制备浆料来获得具有改进特性的抛光浆料。用于CMP的浆料包括抛光颗粒。抛光颗粒包括使用有机金属醇盐的有机取代的胶体二氧化硅。研磨粒子的中值粒径为20〜150nm。抛光颗粒具有初级颗粒，其中位数大小为10至120nm。有机取代的胶体二氧化硅是甲基三甲氧基硅烷（MTMS），苯基三甲氧基硅烷（PTMS）或乙烯基三甲氧基硅烷（VTMS）之一。

3. 发明授权

KR100803729B1 연마 입자, 이를 이용한 연마 슬러리 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用它的抛光谷物和抛光浆料及其制造方法
公开(公告)号：KR100803729B1
公开(公告)日：2008-02-18
申请号：KR1020060092418
申请日：2006-09-22
申请人： 주식회사 케이씨 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김동현 , 김대형 , 홍석민 , 서명원 , 김용국 , 황준하 , 백운규 , 박재근
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： A method for preparing an abrasive particle, an abrasive particle prepared by the method, a method for preparing a polishing slurry by using the abrasive particle, and a polishing slurry prepared by the method are provided to increase the size of crystal and to control the growth of abnormal particles generated under the calcination at high temperature. A method for preparing an abrasive particle comprises the steps of (S110) drying a cerium precursor; (S120) filling the dried cerium precursor into a container and sealing it; and (S130) calcining the dried cerium precursor under the sealed state. Preferably the cerium precursor comprises cerium carbonate; the drying is carried out at a temperature lower than the temperature where a crystal starts to grow; and the calcination is carried out at a temperature of 500-900 deg.C.
摘要翻译：制备磨料颗粒的方法，通过该方法制备的磨料颗粒，通过使用磨料颗粒制备抛光浆料的方法和通过该方法制备的研磨浆料被提供以增加晶体的尺寸并控制生长在高温煅烧下产生的异常颗粒。制备磨粒的方法包括以下步骤：（S110）干燥铈前体; （S120）将干燥的铈前体填充到容器中并密封; 和（S130）在密封状态下煅烧干燥的铈前体。优选地，铈前体包括碳酸铈; 干燥在比晶体开始生长的温度低的温度下进行，并且煅烧在500-900℃的温度下进行。

4. 发明授权

KR100637403B1 연마 입자, 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译： 연마입자，연마용슬러리및이의제조방법
公开(公告)号：KR100637403B1
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020050063665
申请日：2005-07-14
申请人： 주식회사 케이씨 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김대형 , 홍석민 , 김용국 , 김동현 , 서명원 , 박재근 , 백운규
IPC分类号： B24D3/14
摘要： A method for manufacturing polishing particles for slurry of a polishing agent is provided to reduce scratches generating defect of a device in a CMP process by considering the characteristics of a material precursor. A method for manufacturing polishing particles for slurry of a polishing agent includes the steps of: preparing for a material precursor(S1); forming a plurality of crystal particles by calcining the material precursor(S2); protruding the interior of the material precursor by shattering the material precursor(S3); expediting crystallization by adding and calcining the material precursor at least once(S4); and shattering the calcined material precursor(S5).
摘要翻译：通过考虑材料前体的特性，提供一种用于制造抛光剂的浆料的抛光粒子的方法，以减少CMP工艺中的设备的划痕产生缺陷。用于制造抛光剂浆料的抛光颗粒的方法包括以下步骤：准备材料前体（S1）; 通过煅烧材料前体（S2）形成多个晶体颗粒; 通过粉碎材料前体而突出材料前体的内部（S3）; 通过加入并煅烧材料前体至少一次来加速结晶（S4）; 并粉碎煅烧过的材料前体（S5）。

5. 发明授权

KR100599329B1 연마용 슬러리 및 기판 연마 방법 有权
标题翻译：抛光浆料和抛光底物的方法
公开(公告)号：KR100599329B1
公开(公告)日：2006-07-14
申请号：KR1020040033114
申请日：2004-05-11
申请人： 주식회사 케이씨 , 학교법인 한양학원
发明人： 김대형 , 홍석민 , 전재현 , 김호성 , 박현수 , 백운규 , 박재근 , 김용국
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 연마용 슬러리에 관한 것으로서, 256 메가디램급 이상의, 예를 들어, 0.13㎛ 이하의 디자인 룰을 가진 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 STI공정을 위한 CMP용 공정에 사용되는 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도가 고선택비를 가지는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 연마 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 적절하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정을 위한 CMP용 공정에 필수적인 고성능 나노 세리아 슬러리 제조에 관한 것이다.
CMP, 슬러리, 음이온계 고분자 분산제, pH, 거대 입자, 하소 온도,입자 크기, 등전점, 계면전위 거동, 밀링

6. 发明授权

KR100584007B1 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：磨料浆料及其制造方法
公开(公告)号：KR100584007B1
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040118158
申请日：2004-12-31
申请人： 주식회사 케이씨 , 학교법인 한양학원
发明人： 김대형 , 홍석민 , 김용국 , 박재근 , 백운규
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 연마용 슬러리에 관한 것으로서, 256 메가 디램급 이상의, 예를 들어, 0.13㎛ 이하의 디자인 룰을 가진 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 STI공정을 위한 CMP용 공정에 사용되는 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도가 고선택비를 가지는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 연마 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 적절하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정을 위한 CMP용 공정에 필수적인 고성능 나노 세리아 슬러리 제조에 관한 것이다.
CMP, 슬러리, 분산제, pH, 표면적, 응집, 분산안정성
摘要翻译：本发明被用于氮化物，二raemgeup 256 MB或更多，例如，基本上是施加于第二集成半导体制造工艺具有小于0.13㎛CMP工艺用于STI工艺涉及用于抛光的浆料设计规则并且氧化物层相对于该层的抛光速率具有高选择性，及其制造方法。本发明涉及一种用于研磨颗粒的预处理的方法和装置，所述分散装置和它们的操作方法，除了运样装置的化学添加剂的方法和量，诸如适当地用于0.13㎛所述第二集成半导体制造步骤的STI工艺操作用于生产CMP工艺所必需的高性能纳米球磨浆。

7. 发明公开

KR1020060056519A 화학기계적 연마용 세리아 슬러리 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020060056519A
公开(公告)日：2006-05-25
申请号：KR1020040095634
申请日：2004-11-22
申请人： 주식회사 케이씨 , 학교법인 한양학원
发明人： 김대형 , 홍석민 , 전재현 , 김용국 , 박재근 , 백운규
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02
摘要： 본 발명은 연마용 슬러리에 관한 것으로서, 256 메가 디램급 이상의, 예를 들어, 0.13㎛ 이하의 디자인 룰을 가진 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 STI공정을 위한 CMP용 공정에 사용되는 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도가 고선택비를 가지는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 연마 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 적절하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정을 위한 CMP용 공정에 필수적인 고성능 나노 세리아 슬러리 제조에 관한 것이다.
CMP, 슬러리, 표면적, 음이온계 고분자 분산제, 거대 입자, 입자 크기, 계면전위 거동, 밀링

8. 发明公开

KR1020040101666A 초임계 세정장치 및 방법 有权
标题翻译：具有提高清洁效率的超临界清洗装置和方法
公开(公告)号：KR1020040101666A
公开(公告)日：2004-12-03
申请号：KR1020030033357
申请日：2003-05-26
申请人： 주식회사 케이씨
发明人： 유경호 , 김태욱 , 김대형
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PURPOSE: An apparatus and method for supercritical cleaning are provided to simplify the structure of the apparatus and to recycle a cleaning medium by performing multi-task using a cleaning bath with an exhaust port for the cleaning medium and to improve cleaning efficiency and to reduce cleaning time by changing periodically the distance between a nozzle and an object-to-be cleaned under a cleaning process. CONSTITUTION: A supercritical cleaning apparatus includes a storage bath, a transformation mechanism, a support mechanism, a nozzle, a cleaning bath, and a condensing part. The storage bath(110) stores a liquid cleaning medium. The transformation mechanism(120) includes a pressurizing pump and a heater. The transformation mechanism transforms the cleaning medium into a supercritical state. The support mechanism(150) supports an object-to-be cleaned. The nozzle(140) sprays the supercritical cleaning medium to a surface of the object. The cleaning bath(130) accommodates airtightly the nozzle and the support mechanism. The cleaning bath includes a first exhaust port(132) for exhausting vaporized cleaning medium and a second exhaust port(134) for exhausting contaminants separated from the vaporized cleaning medium. The condensing part(160) condenses the cleaning medium and provides the cleaning medium to the storage bath.
摘要翻译：目的：提供一种用于超临界清洗的设备和方法，以简化设备的结构，并通过使用具有用于清洁介质的排气口的清洗槽执行多任务来循环清洁介质，并提高清洁效率并减少清洗时间是通过在清洁过程下周期性地改变喷嘴和待清洁物体之间的距离。构成：超临界清洗装置包括储存槽，变换机构，支撑机构，喷嘴，清洗槽和冷凝部。存储浴（110）存储液体清洁介质。变换机构（120）包括加压泵和加热器。转换机制将清洗介质转变为超临界状态。支撑机构（150）支撑待清洁的物体。喷嘴（140）将超临界清洁介质喷射到物体的表面。清洗槽（130）可以密封地容纳喷嘴和支撑机构。清洗浴包括用于排出蒸发的清洁介质的第一排气口（132）和用于排出与蒸发的清洁介质分离的污染物的第二排气口（134）。冷凝部分（160）冷凝清洁介质并将清洁介质提供到储存浴池。

9. 发明授权

KR100637400B1 화학기계적 연마용 세리아 슬러리 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：用于化学机械抛光的二氧化铈浆料及其生产方法
公开(公告)号：KR100637400B1
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020040095634
申请日：2004-11-22
申请人： 주식회사 케이씨 , 학교법인 한양학원
发明人： 김대형 , 홍석민 , 전재현 , 김용국 , 박재근 , 백운규
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 연마용 슬러리에 관한 것으로서, 256 메가 디램급 이상의, 예를 들어, 0.13㎛ 이하의 디자인 룰을 가진 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 STI공정을 위한 CMP용 공정에 사용되는 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도가 고선택비를 가지는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 연마 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 적절하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정을 위한 CMP용 공정에 필수적인 고성능 나노 세리아 슬러리 제조에 관한 것이다.
CMP, 슬러리, 표면적, 음이온계 고분자 분산제, 거대 입자, 입자 크기, 계면전위 거동, 밀링
摘要翻译：本发明被用于氮化物，二raemgeup 256 MB或更多，例如，基本上是施加于第二集成半导体制造工艺具有小于0.13㎛CMP工艺用于STI工艺涉及用于抛光的浆料设计规则并且氧化物层相对于该层的抛光速率具有高选择性，及其制造方法。本发明涉及一种用于研磨颗粒的预处理的方法和装置，所述分散装置和它们的操作方法，除了运样装置的化学添加剂的方法和量，诸如适当地用于0.13㎛所述第二集成半导体制造步骤的STI工艺操作用于生产CMP工艺所必需的高性能纳米球磨浆。

10. 发明授权

KR100599328B1 연마용 슬러리 및 기판 연마 방법 有权
标题翻译：抛光浆料和基材抛光方法
公开(公告)号：KR100599328B1
公开(公告)日：2006-07-14
申请号：KR1020040031279
申请日：2004-05-04
申请人： 주식회사 케이씨 , 학교법인 한양학원
发明人： 김대형 , 홍석민 , 전재현 , 김호성 , 박현수 , 백운규 , 박재근 , 김용국
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 화학기계적 연마용 슬러리에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 256 메가디램급 이상의, 예를 들어, 0.13㎛ 이하의 디자인 룰을 가진 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 STI공정을 위한 CMP용 공정에 사용되는 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도가 고선택비를 가지는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 연마 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 적절하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정을 위한 CMP용 공정에 필수적인 고성능 나노 세리아 슬러리 및 그의 구체적인 제조방법에 관한 것이다.
CMP, 슬러리, 음이온계 고분자 분산제, pH, 메디안 크기, 입자 크기 분포, 등전점, 계면전위 거동, 밀링, 미세입자
摘要翻译：对于STI工艺的本发明的CMP中，其涉及用于化学机械抛光淤浆，更具体地施加到必要的二raemgeup 256MB或更多，例如，在第二半导体与下面0.13㎛的制造工艺的设计规则集成本发明涉及相对于在喷涂工艺中使用的氮化物层在氧化物层的抛光速率方面具有高选择性的浆料及其生产方法。本发明涉及一种用于研磨颗粒的预处理的方法和装置，所述分散装置和它们的操作方法，除了运样装置的化学添加剂的方法和量，诸如适当地用于0.13㎛所述第二集成半导体制造步骤的STI工艺操作 CMP工艺中不可或缺的高性能纳米硅酸盐浆料及其生产方法的具体方法。

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