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1. 发明公开

KR1020140059344A 친환경 STI 공정용 연마 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：环境友好的抛光浆料用于STI工艺和基板或使用其的波浪抛光方法
公开(公告)号：KR1020140059344A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020120125345
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： The present invention relates to an environmentally-friendly polishing slurry for a STI process and a polishing method for a substrate or wafer using the same. The polishing slurry in the present invention has a narrow and uniform particle size distribution using monocrystalline polishing particles and is capable of minimizing micro scratch, alleviating dishing compared to dispersion due to positive electrostatic repulsion between the monocrystalline polishing particles, and improving cleaning property after polishing. In addition, the polishing slurry can secure long-term stability by adding a dispersion stabilizing agent, has excellent polishing rate and selection ratio, and can secure environmentally-friendly characteristics by the formation of neutral pH.
摘要翻译：本发明涉及用于STI工艺的环境友好型抛光浆料和使用其的基板或晶片的抛光方法。本发明的研磨浆料使用单晶抛光颗粒具有窄且均匀的粒度分布，并且能够使由于单晶抛光颗粒之间的正静电排斥而产生的与分散相比的微刮痕减轻凹陷，并提高抛光后的清洁性能。此外，抛光浆料可以通过添加分散稳定剂来确保长期稳定性，具有优异的抛光速率和选择比，并且可以通过形成中性pH来确保环境友好的特性。

2. 发明公开

KR1020140059345A 친환경 폴리막 정지용 슬러리 및 첨가제 조성물 有权
标题翻译：环境友好的浆液，用于多种胶片和添加剂组合物
公开(公告)号：KR1020140059345A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020120125346
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 정기화 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： The present invention relates to environmentally-friendly slurry for stopping a poly film and an additive composition. The polishing slurry of the present invention can control a poly polishing rate for reinforcing a node isolation function, minimize micro-scratches, improve dishing compared to single crystalline positive electrostatic repulsion dispersion, and improve cleanliness after polishing. Through the above, the present invention can perform a suitable polishing process for a semiconductor manufacturing process.
摘要翻译：本发明涉及用于停止聚合物膜和添加剂组合物的环保浆料。本发明的研磨浆料可以控制多孔抛光速率，以加强节点隔离功能，最小化微划痕，改善与单晶正静电排斥分散相比的凹陷，并提高抛光后的清洁度。通过上述，本发明可以进行用于半导体制造工艺的合适的抛光工艺。

3. 发明授权

KR101388106B1 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법 有权
标题翻译：抛光浆料组合物和使用其的基底或波浪抛光方法
公开(公告)号：KR101388106B1
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020120138838
申请日：2012-12-03
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 서지훈 , 한명훈 , 최낙현 , 정기화 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , B24B1/00 , H01L21/304
摘要： The present invention relates to a polishing slurry composition having a selection ratio of a nitride film and a method for polishing a wafer or a substrate using the same. The polishing slurry composition of the present invention achieves a higher polishing selection ratio of a nitride film compared to an oxide film and manufactures a polishing particle by a liquid phase method to reduce an occurrence of a micro-stretch on the surface of a substrate or a wafer. In addition, a high dispersion stability is maintained to prevent an aggregation of the polishing particle to reduce the occurrence of the micro-stretch.
摘要翻译：本发明涉及一种具有氮化物膜的选择比的抛光浆料组合物以及使用其的抛光晶片或衬底的方法。本发明的研磨浆料组合物与氧化膜相比，获得了更高的氮化膜的抛光选择比，并且通过液相法制造抛光颗粒，以减少在基材或表面上的微拉伸的发生晶圆。此外，保持高的分散稳定性以防止抛光颗粒的聚集以减少微拉伸的发生。

4. 发明授权

KR101472857B1 친환경 폴리막 정지용 슬러리 및 첨가제 조성물 有权
标题翻译：环境友好的浆液，用于多种胶片和添加剂组合物
公开(公告)号：KR101472857B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020120125346
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 정기화 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본발명은친환경폴리막정지용슬러리및 첨가제조성물에관한것으로서, 본발명의연마슬러리는, 노드(node) 분리기능강화를위하여폴리연마율조절이가능하며, 마이크로스크래치를최소화할수 있고, 단결정성양의정전기적반발력분산대비디싱 (dishing)을개선시키고, 연마후 세정성을개선시킬수 있다. 이를통하여, 반도체의제조공정에적합한연마공정을수행할수 있다.

5. 发明授权

KR101472856B1 친환경 STI 공정용 연마 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：环境友好的抛光浆料用于STI工艺和基板或使用其的波浪抛光方法
公开(公告)号：KR101472856B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020120125345
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본발명은친환경 STI 공정용연마슬러리및 이를이용한기판또는웨이퍼를연마하는방법에관한것으로서, 본발명의연마슬러리는, 단결정성연마입자를사용하여좁고균일한입도분포를지니며마이크로스크래치를최소화할수 있고, 단결정성양의정전기적반발력분산대비디싱 (dishing)을개선시키고, 연마후 세정성을개선시킬수 있다. 또한, 분산안정화제를첨가하여경시안정성확보할수 있으며, 우수한연마속도와선택비를가지며, 중성 pH 구현으로환경친화성확보할수 있다.

6. 发明授权

KR101406760B1 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법 有权
标题翻译：抛光浆料和基材或波浪抛光方法
公开(公告)号：KR101406760B1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：KR1020120125189
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 서지훈 , 한명훈 , 최낙현 , 정기화 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본 발명은 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 연마 슬러리는, 패턴 밀도별 균일한 연마속도를 갖는 슬러리 조성물로 웨이퍼 연마 속도의 센터 언더(center under) 또는 에지 패스트(edge fast) 현상을 억제하여 상기 슬러리 조성물을 이용한 연마 공정 진행 후 기판 또는 웨이퍼 표면의 프로파일이 우수한 효과가 있고, 슬러리의 pH를 중성 영역으로 설정함으로써 친환경적인 효과가 있다.

7. 发明公开

KR1020140059331A 연마 슬러리 및 이를 이용한 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법 有权
标题翻译：抛光浆料和基材或波浪抛光方法
公开(公告)号：KR1020140059331A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020120125198
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 서지훈 , 한명훈 , 최낙현 , 황준하 , 정기화
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： The present invention relates to polishing slurry and a polishing method for a substrate or a wafer using the polishing slurry. The polishing slurry in the present invention has polishing particles with positive surface charges and dispersed therein, and has a high polishing rate even in a low-pressure process, thereby securing excellent process margin. When performing a polishing process using the polishing slurry in the present invention, the distribution of the polishing particles is increased in a high-step height area to obtain a high polishing rate, and the distribution of the polishing particles is decreased in a low-step height area to obtain a low polishing rate, thereby increasing removal efficiency for stepped portions.
摘要翻译：本发明涉及使用抛光浆料的抛光浆料和用于基材或晶片的抛光方法。本发明的研磨浆料具有正表面电荷并分散在其中的抛光颗粒，即使在低压处理中也具有高抛光速率，从而确保了优异的加工余量。当在本发明中进行使用研磨浆料的抛光处理时，抛光颗粒的分布在高阶高度区域增加，以获得高抛光速率，并且抛光颗粒的分布在低步以获得低抛光速率，从而提高阶梯部分的去除效率。

8. 发明授权

KR100803729B1 연마 입자, 이를 이용한 연마 슬러리 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用它的抛光谷物和抛光浆料及其制造方法
公开(公告)号：KR100803729B1
公开(公告)日：2008-02-18
申请号：KR1020060092418
申请日：2006-09-22
申请人： 주식회사 케이씨 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김동현 , 김대형 , 홍석민 , 서명원 , 김용국 , 황준하 , 백운규 , 박재근
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： A method for preparing an abrasive particle, an abrasive particle prepared by the method, a method for preparing a polishing slurry by using the abrasive particle, and a polishing slurry prepared by the method are provided to increase the size of crystal and to control the growth of abnormal particles generated under the calcination at high temperature. A method for preparing an abrasive particle comprises the steps of (S110) drying a cerium precursor; (S120) filling the dried cerium precursor into a container and sealing it; and (S130) calcining the dried cerium precursor under the sealed state. Preferably the cerium precursor comprises cerium carbonate; the drying is carried out at a temperature lower than the temperature where a crystal starts to grow; and the calcination is carried out at a temperature of 500-900 deg.C.
摘要翻译：制备磨料颗粒的方法，通过该方法制备的磨料颗粒，通过使用磨料颗粒制备抛光浆料的方法和通过该方法制备的研磨浆料被提供以增加晶体的尺寸并控制生长在高温煅烧下产生的异常颗粒。制备磨粒的方法包括以下步骤：（S110）干燥铈前体; （S120）将干燥的铈前体填充到容器中并密封; 和（S130）在密封状态下煅烧干燥的铈前体。优选地，铈前体包括碳酸铈; 干燥在比晶体开始生长的温度低的温度下进行，并且煅烧在500-900℃的温度下进行。

9. 发明公开

KR1020150053048A 연마 슬러리용 첨가제 및 이를 포함하는 슬러리 조성물 审中-实审
标题翻译：抛光浆添加组合物和浆料组合物，包括抛光浆料添加剂组合物
公开(公告)号：KR1020150053048A
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：KR1020130134737
申请日：2013-11-07
申请人： 주식회사 케이씨 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 백운규 , 서지훈 , 이재학 , 황준하 , 황진명 , 권창길
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09K3/1409 , H01L21/31051
摘要： 본발명에의한연마슬러리용첨가제및 이를포함하는슬러리조성물은, 산화막의연마또는평탄화에적용되었을때, 디싱발생량을줄일수 있다. 보다구체적으로연마슬러리용첨가제는폴리아크릴산계열의부동화제및 글리콜계열의복합체형성제를포함하며, 슬러리조성물은연마입자와분산제를포함하는연마액및 폴리아크릴산계열의부동화제와글리콜계열의복합체형성제를포함하는연마슬러리용첨가제를포함함으로서, 폴리아크릴산계-글리콜계복합체가디싱현상을감소시킬수 있으므로초미세소자에있어서소자의성능을개선시킬수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于研磨浆料的添加剂和含有该添加剂的浆料组合物，其可以减少当用于抛光或调平抗氧化膜时产生的凹陷量，更具体地说，涉及一种用于研磨浆料的添加剂，其包含聚丙烯酸类固定剂和二醇类复合成型剂，以及浆料组合物，其包含用聚丙烯酸类固定剂研磨浆料的添加剂，二醇系复合成型剂和具有研磨粒子和分散剂的研磨液从而减少凹陷情况，提高超精密设备的性能。

10. 发明授权

KR101472858B1 친환경 STI 공정용 슬러리 및 첨가제 조성물 有权
标题翻译：环境友好的浆料用于STI工艺和添加剂组合物
公开(公告)号：KR101472858B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020120125347
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 정기화 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본발명은친환경 STI 공정용슬러리및 첨가제조성물에관한것으로서, 본발명의액상법을이용하여제조된연마입자를포함하는슬러리조성물은적은양의연마첨가제의사용으로도우수한공용선택비(universal selectivity) 특성, 높은연마속도및 세정성능등의우수한연마특성을나타낼수 있으며, 카르복실기를포함하는음이온성고분자의카르복실기의수소와비이온성고분자(polyoxyethylene oxide; PEO)의산소간의수소결합(hydrogen bond)을포함하는연마첨가제를사용하여연마공정을수행하면, 음이온성고분자와비이온성고분자의착체(complexation)의고희석비적용으로공용선택비를구현할수 있으며, 질화막에대한선택비제어및 폴리막의선택비를조절할수 있다. 또한폴리막정지공정뿐만아니라질화막정지공정에적용이가능하다.

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