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1. 发明授权

KR102265901B1 뇌전증 측정기기 및 뇌전증 측정 시스템 有权
公开(公告)号：KR102265901B1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：KR1020190059123
申请日：2019-05-20
申请人： 이화여자대학교 산학협력단 , 한국과학기술원
发明人： 이향운 , 강제원 , 김지훈 , 제민규 , 강승균
IPC分类号： A61B5/00 , A61B5/369 , A61N1/36 , A61N1/05

2. 发明授权

KR100407193B1 온도 적응형 커패시터 블록 및 이를 이용한 온도 보상 수정발진기 失效
标题翻译： 온도적응형커패시터블록및이를이용한온도보상수정발진기
公开(公告)号：KR100407193B1
公开(公告)日：2003-11-28
申请号：KR1019990017281
申请日：1999-05-14
申请人： 한국과학기술원 , 신성전자공업 주식회사
发明人： 신형철 , 유회준 , 제민규 , 한승호
IPC分类号： H03B5/30
CPC分类号： H01L27/0629 , H03J2200/10 , H03L1/026
摘要： A temperature-adaptive capacitor array used in a TCXO so that the TCXO effectively conducts temperature-compensating in the resonant frequency without the non-monotonicity while a smaller silicon area is used in producing the capacitor array. A number of capacitor arrays allocated in two capacitor banks. Each of the capacitor arrays comprises two or more unit cells, and in turn each unit cell consists of a unit capacitor and a switching element, respectively. All of unit capacitors included in the capacitor arrays are connected each other through a decoder assembly to provide a crystal oscillator with a load capacitance. The unit capacitors belonging to one of the capacitor arrays have the same capacitance with each other. Two unit capacitors belonging to different capacitor arrays, however, have different capacitances from each other. The capacitance of the unit capacitors belonging to each capacitor array is set in consideration of control preciseness required in compensating a frequency deviation in the resonant frequency of the crystal oscillator as the temperature varies in at least a portion of a practical temperature range, within which the crystal oscillator operates.
摘要翻译：在TCXO中使用的温度自适应电容器阵列使得TCXO有效地在谐振频率下进行温度补偿而没有非单调性，而在生产电容器阵列中使用更小的硅面积。多个电容器阵列分配在两个电容器组中。每个电容器阵列包括两个或更多个单元电池，并且每个单元电池又分别由单元电容器和开关元件组成。包含在电容器阵列中的所有单元电容器通过解码器组件相互连接以提供具有负载电容的晶体振荡器。属于其中一个电容器阵列的单位电容器具有彼此相同的电容。然而，属于不同电容器阵列的两个单元电容器具有彼此不同的电容。考虑到当温度在实际温度范围的至少一部分中变化时补偿晶体振荡器的谐振频率中的频率偏差所需的控制精度，设置属于每个电容器阵列的单位电容器的电容，晶体振荡器工作。

3. 发明授权

KR102092446B1 환자 맞춤형 도구의 좌표 등록을 위한 수술 항법 시스템 有权
公开(公告)号：KR102092446B1
公开(公告)日：2020-03-23
申请号：KR1020170170779
申请日：2017-12-12
申请人： 경북대학교 산학협력단 , 한국과학기술원
发明人： 김준영 , 김신윤 , 서안나 , 김현문 , 김현덕 , 제민규 , 최재석
IPC分类号： A61B34/20

4. 发明授权

KR101972207B1 스마트 스크류 有权
公开(公告)号：KR101972207B1
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：KR1020160167921
申请日：2016-12-09
申请人： 경북대학교 산학협력단 , 재단법인대구경북과학기술원 , 한국과학기술원
发明人： 김신윤 , 김준영 , 서안나 , 이희성 , 황재윤 , 윤상연 , 최재석 , 제민규
IPC分类号： A61B17/68 , A61F2/32 , A61B8/00 , A61F2/48

5. 发明授权

KR102173007B1 센서 인터페이스 장치 및 이를 포함하는 방사선 검출 장치 有权
公开(公告)号：KR102173007B1
公开(公告)日：2020-11-02
申请号：KR1020200086598
申请日：2020-07-14
申请人： 한국원자력연구원 , 한국과학기술원
发明人： 권인용 , 전현탁 , 제민규 , 김덕현 , 신동성
IPC分类号： G01T1/17 , G01T7/00 , G01T1/02

6. 发明公开

KR1020200088256A 센서 인터페이스 장치 및 이를 포함하는 방사선 검출 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020200088256A
公开(公告)日：2020-07-22
申请号：KR1020200086598
申请日：2020-07-14
申请人： 한국원자력연구원 , 한국과학기술원
发明人： 권인용 , 전현탁 , 제민규 , 김덕현 , 신동성
IPC分类号： G01T1/17 , G01T7/00 , G01T1/02

7. 发明授权

KR102092445B1 무전원 전자기 센서 및 이를 포함하는 수술 항법 시스템 有权
公开(公告)号：KR102092445B1
公开(公告)日：2020-03-23
申请号：KR1020170170670
申请日：2017-12-12
申请人： 한국과학기술원 , 경북대학교 산학협력단
发明人： 제민규 , 김준영 , 박철준 , 최재석 , 신홍석 , 김신윤
IPC分类号： A61B34/20 , H02J50/12

8. 发明授权

KR101837301B1 수술 항법 시스템 有权
标题翻译：手术导航系统
公开(公告)号：KR101837301B1
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR1020160141973
申请日：2016-10-28
申请人： 경북대학교 산학협력단 , 한국과학기술원
发明人： 김준영 , 제민규 , 서안나 , 김신윤 , 김현덕 , 김현문
IPC分类号： A61B34/20 , A61B90/00 , A61F2/32
CPC分类号： A61B34/20 , A61B90/00 , A61F2/32 , A61B90/36 , A61B90/37 , A61B2034/2048 , A61B2034/2051 , A61B2090/365 , A61B2090/3954
摘要： 일실시예에따른수술항법시스템은, 전자기파발생부; 대상체의수술부위에부착되어상기수술부위에부착된위치를감지하는제1감지부; 상기수술부위로삽입되는맞춤형수술가이드도구에설치되고, 전자기파를수신하고상기맞춤형수술가이드도구의위치를감지하는제2감지부; 상기수술부위로삽입되는보조수술도구에설치되고, 상기보조수술도구의위치를감지하는제3감지부; 상기맞춤형수술가이드도구가상기수술부위로삽입된경우의상기맞춤형수술가이드도구의위치를기준위치로설정하여상기제1감지부의위치및 상기제3감지부의위치를등록하고, 상기제1감지부가상기수술부위에부착된위치를기준으로상기보조수술도구의위치를추적하는정보처리부; 및상기대상체, 상기맞춤형수술가이드도구의위치및 상기보조수술도구의위치를포함하는정보를표시하는표시부를포함할수 있다.
摘要翻译：根据一个实施例的手术导航系统包括电磁波发生器; 它连接到手术部位在受试者中所述外科手术部位，用于感测附着到位置的第一感测单元; 其设置在所述定制手术工具导引件的第二感测单元插入到外科手术部位，以接收和感测所述定制手术工具的位置引导的电磁波; 它被设置在辅助刀具作为插入到外科手术部位，用于感测的所述辅助的外科手术工具的位置的第三感测单元; 当插入到外科手术部位，其中，所述第一感测单元，其中，所述定制手术引导工具以通过设置引导工具到第一检测位置和第三检测部部的基准位置的位置寄存器的定制操作的位置基于附加到手术部位处理器用于跟踪的辅助外科手术工具的位置的位置信息; 以及显示单元，用于显示包括对象，定制操作引导工具的位置以及辅助操作工具的位置的信息。

9. 发明公开

KR1020000073779A 온도 적응형 커패시터 블록 및 이를 이용한 온도 보상 수정발진기 失效
标题翻译：用于温度适应和温度补偿晶体振荡器的电容器块
公开(公告)号：KR1020000073779A
公开(公告)日：2000-12-05
申请号：KR1019990017281
申请日：1999-05-14
申请人： 한국과학기술원 , 신성전자공업 주식회사
发明人： 신형철 , 유회준 , 제민규 , 한승호
IPC分类号： H03B5/30
CPC分类号： H01L27/0629 , H03J2200/10 , H03L1/026
摘要： PURPOSE: A capacitor block for temperature adaptation and a temperature compensated crystal oscillator using thereof are provided to perform the error compensation of the resonance frequency according to the temperature variation efficiently and to solve the non-monotonic while the silicon area is deceased. CONSTITUTION: A temperature compensated crystal oscillator using capacitor block for temperature adaptation comprises a crystal oscillator(60), a temperature sensing circuit(61), an analog-digital converter(62), a controller(63), a memory(64) and a decoder(65). The crystal oscillator(60) outputs the variable resonance frequency according to the temperature and load capacitor. The temperature sensing circuit(61) senses the around temperature of the crystal oscillator(60) and outputs the electrical signal. The analog-digital converter(62) converts the sensed signal to digital type. The controller(63) reads a unit capacitor switch control code by using the present temperature sensed from the analog-digital convertor(62) and the temperature area boundary value stored at the memory(64), controls the unit capacitor and varies the load capacitance of the crystal oscillator(60). The memory(64) stores the unit capacitor switch control code according to the temperature. The decoder(65) provides the switch control code provided from the controller(63) to two capacitor bank(66,67).
摘要翻译：目的：提供一种用于温度适应的电容器块和使用其的温度补偿晶体振荡器，以有效地根据温度变化执行谐振频率的误差补偿，并且在硅面积下降时解决非单调谐波。构成：使用电容器块进行温度补偿的温度补偿晶体振荡器包括晶体振荡器（60），温度感测电路（61），模拟数字转换器（62），控制器（63），存储器（64）和解码器（65）。晶体振荡器（60）根据温度和负载电容输出可变谐振频率。温度检测电路（61）感测晶体振荡器（60）的周围温度并输出电信号。模拟数字转换器（62）将感测到的信号转换为数字类型。控制器（63）通过使用从模拟数字转换器（62）感测的当前温度和存储在存储器（64）中的温度区域边界值来读取单位电容器开关控制代码，控制单位电容器并改变负载电容的晶体振荡器（60）。存储器（64）根据温度存储单位电容器开关控制代码。解码器（65）将从控制器（63）提供的开关控制代码提供给两个电容器组（66,67）。

10. 发明授权

KR100271207B1 보조 트랜지스터를 구비한 고속/저전력 전계효과트랜지스터 失效
标题翻译：具有辅助MOSFET的高速和低功率电源FET
公开(公告)号：KR100271207B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019980007771
申请日：1998-03-09
申请人： 한국과학기술원
发明人： 신형철 , 길준호 , 제민규 , 이종호
IPC分类号： H01L29/78
摘要： PURPOSE: A high speed and low electric power FET with a subsidiary MOSFET is provided to be capable of implementing a fast operation by lowering a threshold voltage in transient of logic values since a source of a subsidiary transistor is connected to a body of a main transistor and a gate is connected to a source or a drain of the main transistor to apply a bias to the body of the main transistor, and of reducing leakage current without limiting operational voltage by maintaining high threshold voltage. CONSTITUTION: Two MOS transistors are respectively used as a main transistor(21) having general functions and a subsidiary transistor(22) for applying bias to a body portion of the main transistor(21). A source of the subsidiary transistor(22) is connected to a gate of the main transistor(21), and a gate of the subsidiary transistor(22) is connected to a drain or a source of the main transistor(21).
摘要翻译：目的：提供具有辅助MOSFET的高速和低功率FET，以便能够通过降低逻辑值瞬态中的阈值电压来实现快速操作，因为辅助晶体管的源极连接到主晶体管的主体并且栅极连接到主晶体管的源极或漏极，以向主晶体管的主体施加偏压，并且通过保持高阈值电压来减小漏电流而不限制工作电压。构成：两个MOS晶体管分别用作具有一般功能的主晶体管（21）和用于向主晶体管（21）的主体部分施加偏压的辅助晶体管（22）。辅助晶体管（22）的源极连接到主晶体管（21）的栅极，并且辅助晶体管（22）的栅极连接到主晶体管（21）的漏极或源极。

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