专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101998287B1 반도체 장치의 리프레쉬 제어 회로 有权
公开(公告)号：KR101998287B1
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：KR1020120125570
申请日：2012-11-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만
IPC分类号： G11C7/22 , G11C11/406

2. 发明授权

KR101949216B1 반도체 장치의 전압 트리밍 회로 有权
公开(公告)号：KR101949216B1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：KR1020120016312
申请日：2012-02-17
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만
IPC分类号： G11C5/14 , G05F3/20 , G05F3/24

3. 发明公开

KR1020140071081A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译： SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：KR1020140071081A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020120139020
申请日：2012-12-03
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만
IPC分类号： G11C5/14
CPC分类号： G11C5/147 , G05F1/465 , G11C2207/2227
摘要： A semiconductor device includes a first memory cell block, a second memory cell block, a control voltage generating unit, a first internal voltage driving unit, and a second internal voltage driving unit. The control voltage generating unit generates a control voltage by receiving a reference voltage. The first internal voltage driving unit drives a first internal voltage in response to the control voltage and applies the first internal voltage to the first memory cell block. The second internal voltage driving unit drives a second internal voltage in response to the control voltage and applies the second internal voltage to the second memory cell block.
摘要翻译：半导体器件包括第一存储单元块，第二存储单元块，控制电压产生单元，第一内部电压驱动单元和第二内部电压驱动单元。控制电压产生单元通过接收参考电压来产生控制电压。第一内部电压驱动单元响应于控制电压驱动第一内部电压，并将第一内部电压施加到第一存储器单元块。第二内部电压驱动单元响应于控制电压驱动第二内部电压，并将第二内部电压施加到第二存储单元块。

4. 发明授权

KR101145315B1 내부전압발생회로 失效
公开(公告)号：KR101145315B1
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR1020090133464
申请日：2009-12-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만 , 권기창
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/20 , G11C7/10
CPC分类号： H02M3/07
摘要： 본 발명은 제품 내 사용되는 내부전압의 종류를 간소화시켜서, 회로를 간단하게 구성시킬 수 있는 내부전압발생회로에 관한 것이다. 본 발명은 제 1 파워 인에이블 신호에 의해 동작되어 제 1 전압을 발생하는 제 1 전압발생수단; 상기 제 1 전압의 레벨을 검출하는 레벨검출수단; 상기 레벨검출수단의 검출레벨값에 의해서 동작되어 상기 제 1 전압보다 낮은 레벨의 제 2 전압을 발생하는 제 2 전압발생수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 센스앰프 BLEQ 바이어스 전압을 형성하는 내부전압발생회로에서 사용되는 전압의 수를 간소화시켜서 파워 라인의 구성을 탄력적으로 조정하는 것이 가능한 효과를 얻는다. 이러한 본 발명은 소형화, 저전력화 추세에 적합한 제품을 구현할 수 있도록 한다.
반도체, 메모리장치, 내부전압, BLEQ,
摘要翻译：内部电压生成电路包括：第一电压生成单元，被配置为响应于第一电力使能信号而操作以生成第一电压;电平检测单元，被配置为检测第一电压的电平;以及第二电压生成单元，响应于从电平检测单元输出的电平检测值来操作以产生低于第一电压的第二电压。

5. 发明公开

KR1020100069819A 기준 전압 발생장치 无效
标题翻译：参考电压发生器
公开(公告)号：KR1020100069819A
公开(公告)日：2010-06-25
申请号：KR1020080128352
申请日：2008-12-17
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/04 , G11C11/4074
CPC分类号： G11C5/147 , G05F3/16 , G11C11/4074 , H03F3/45
摘要： PURPOSE: A reference voltage generator is provided to maintain the level of a reference voltage of a certain degree by generating a reference voltage according to a combination current of a current proportion to temperature rise and a current inverse proportion to temperature rise. CONSTITUTION: A current generating unit(110) generates a current proportion to temperature rise according to the difference of a first voltage and a second voltage. A current generating unit(120) generates a current reverse proportion to temperature rise according to the difference of a first and a third voltage. A referent voltage generating unit(130) generates a reference voltage a combination current of a current proportion to temperature rise and a current inverse proportion to temperature rise. A first input node receives a first voltage. A second input terminal receives a second voltage.
摘要翻译：目的：提供参考电压发生器，通过根据与温度上升的电流比例的组合电流和与温度上升的电流反比来产生参考电压，来保持一定程度的参考电压电平。构成：电流产生单元（110）根据第一电压和第二电压的差产生与温度上升的电流比例。电流产生单元（120）根据第一和第三电压的差产生与温度上升的电流反比例。指示电压产生单元（130）产生与温度上升的电流比例的组合电流和与温度上升的电流反比例的组合电流的参考电压。第一输入节点接收第一电压。第二输入端子接收第二电压。

6. 发明公开

KR1020160099757A 전원 발생 장치 审中-实审
标题翻译：电压发生器电路
公开(公告)号：KR1020160099757A
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020150021434
申请日：2015-02-12
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만 , 최웅규
IPC分类号： H02M3/07
CPC分类号： H02M3/073 , H02M3/07
摘要： 외부전압을펌핑하여내부전압을생성하기위한내부전압생성부;및펌핑주기신호를수신받아상기내부전압생성부로전달하는용량성소자부를포함하며, 상기외부전압에기초하여상기용량성소자부의캐패시턴스를선택적으로조절하기위한캐패시턴스조절부를포함하며, 상기내부전압생성부는상기캐패시턴스조절부로부터출력된상기펌핑주기신호에응답하여펌핑동작을수행하는전원발생장치를제공하며, 면적을증가시키지않고높은용량의캐패시턴스를확보하여, 펌핑구동능력을향상시킬수 있다.
摘要翻译：根据本发明的电压产生装置包括：内部电压产生单元，其泵送外部电压以产生内部电压; 以及电容调整单元，其包括电容性负载单元，其接收泵浦周期信号并将泵送周期信号传递到内部电压产生单元，并且基于外部电压选择性地调整电容性负载单元的电容。内部电压产生单元响应于从电容调整单元输出的泵浦周期信号进行泵浦操作。根据本发明，可以在不增加面积的情况下获得大的电容，这增强了泵送驱动能力。

7. 发明公开

KR1020160074968A 반도체 장치 및 그의 구동방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020160074968A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020140184287
申请日：2014-12-19
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만 , 박준철
IPC分类号： G11C5/14
CPC分类号： G05F5/00 , G11C5/145 , G11C5/141 , G11C5/142 , G11C5/146 , G11C5/147
摘要： 외부전압을이용하는반도체장치및 그의구동방법에관한것으로, 파워업구간(power-up)이서로다른제1 및제2 외부전압을이용하여내부전압을생성하기위한내부전압생성블록; 및상기제1 외부전압의제1 파워업구간과상기제2 외부전압의제2 파워업구간을포함하는제어구간동안상기내부전압을예정된전압레벨로고정시키기위한제어블록을포함하는반도체장치가제공된다.
摘要翻译：本发明涉及使用外部电压的半导体器件及其操作方法。该半导体器件包括：内部电压产生块，用于通过使用上电部分彼此不同的第一和第二外部电压来产生内部电压; 以及用于在包括第一外部电压的第一上电部分和第二外部电压的第二上电部分的控制部分期间将内部电压固定为预定电压电平的控制块。

8. 发明授权

KR101039868B1 반도체 메모리장치의 내부전압 발생회로 및 제어방법 失效
标题翻译：用于半导体存储器内部电压的产生电路和控制方法
公开(公告)号：KR101039868B1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：KR1020090060081
申请日：2009-07-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/10
摘要： 본 발명은 반도체 메모리 장치에서 회로 설계에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 빠른 응답특성을 갖는 내부전압 발생회로 및 제어방법에 관한 것이다. 본 발명은 내부전압을 감시하고, 내부전압 발생여부에 따른 인에이블신호를 발생하는 증폭수단; 상기 증폭수단의 인에이블신호를 받아 내부전압 발생을 위하여 구동되는 내부전압 출력 드라이버; 내부전압의 변화에 연동되어 상기 증폭수단의 인에이블신호의 발생속도를 조절하는 조절수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체 메모리 장치, 코아전압, 응답속도

9. 发明公开

KR1020110002564A 반도체 메모리장치의 내부전압 발생회로 및 제어방법 失效
标题翻译：用于半导体存储器内部电压的产生电路和控制方法
公开(公告)号：KR1020110002564A
公开(公告)日：2011-01-10
申请号：KR1020090060081
申请日：2009-07-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/10
CPC分类号： G11C5/147 , G05F1/465 , G11C11/4074
摘要： PURPOSE: An internal voltage generating circuit and a control method thereof are provided to rapidly generate a stable core voltage by rapidly controlling the operation time point of a driving device when the drop phenomenon of the core voltage is generated. CONSTITUTION: An amplifying part(100) monitors an internal voltage and generates an enable signal according to the internal voltage. An internal voltage output driving part(200) is driven by generating the internal voltage after receiving the enable signal. A control part(400) controls the generation speed of the enable signal by being interconnected to the internal voltage. A pre-charging part pre-charges an external power supply part in order to drive a comparison part.
摘要翻译：目的：提供一种内部电压产生电路及其控制方法，以便在产生核心电压的下降现象时通过快速地控制驱动装置的工作时间点来快速产生稳定的核心电压。构成：放大部（100）监视内部电压，并根据内部电压产生使能信号。内部电压输出驱动部分（200）通过在接收到使能信号之后产生内部电压来驱动。控制部分（400）通过与内部电压互连来控制使能信号的产生速度。预充电部分预充电外部电源部分以驱动比较部分。

10. 发明授权

KR101006091B1 온도감지회로 有权
标题翻译：温度感应电路
公开(公告)号：KR101006091B1
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：KR1020080134582
申请日：2008-12-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G01K7/01 , Y10S323/907
摘要： 본 발명은 높은 정확도를 가지며 적은 면적을 차지하는 온도감지회로를 제공하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 온도감지회로는, 온도에 따라 레벨이 변하는 복수의 온도전압을 생성하는 온도전압 생성부; 및 상기 복수의 온도전압 각각과 소정 전압의 레벨을 비교해 온도정보를 출력하는 비교부를 포함한다.
온도감지회로, 정확도, 밴드갭

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式