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1. 发明授权

KR102152690B1 래치 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102152690B1
公开(公告)日：2020-09-07
申请号：KR1020140078680
申请日：2014-06-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박준철 , 지성수
IPC分类号： G11C29/04 , G11C29/00

2. 发明公开

KR1020170047447A 반도체 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：KR1020170047447A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150147301
申请日：2015-10-22
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박가람 , 박준철
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/02 , G11C29/18 , G11C29/00
CPC分类号： G11C17/16 , G11C11/40622 , G11C11/4072 , G11C17/18 , G11C29/783 , G11C29/785
摘要： 리페어동작을위한회로의면적을감소시킬수 있는반도체메모리장치에관한것으로, 노멀셀들및 상기노멀셀들중 리페어대상셀들과대체된리던던시셀들이구비된메모리어레이영역; 상기리페어대상셀들의리페어어드레스를리페어정보로프로그램하는다수의퓨즈셋을구비하고, 부트업신호에응답하여상기다수의퓨즈셋에프로그램된리페어정보를출력하는리페어퓨즈부; 상기리페어퓨즈부로부터출력되는상기리페어정보를저장하기위한다수의메모리셀들을포함하고, 상기다수의메모리셀들은상기메모리어레이영역의노멀셀들및 리던던시셀들과동시에리프레쉬되는퓨즈정보저장부; 및상기퓨즈정보저장부에저장된리페어정보와외부에서입력되는어드레스를비교하여, 상기리페어대상셀들과상기리던던시셀들간의리던던트경로를선택적으로활성화하기위한리페어제어신호를생성하는리페어제어부를포함하는반도체메모리장치가제공된다.
摘要翻译： 1。一种半导体存储装置，其能够缩小修复动作的电路面积，其特征在于，具备：存储器阵列区域，其具有正常单元和冗余单元被所述通常单元中的修复对象单元置换; 具有多个熔丝组的修复熔丝单元，用于利用修复信息对修复目标单元的修复地址进行编程，并响应于引导信号输出编程到所述多个熔丝组中的修复信息; 多个存储单元，用于存储从修复熔丝单元输出的修复信息，所述多个存储单元与存储器阵列区域的正常单元和冗余单元同时被刷新; 修复控制单元，用于将存储在所述熔丝信息存储单元中的修复信息与外部输入的地址进行比较，以生成用于选择性地激活所述修复目标单元与所述冗余单元之间的冗余路径的修复控制信号，提供了一种半导体存储器件。

3. 发明公开

KR1020160074968A 반도체 장치 및 그의 구동방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020160074968A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020140184287
申请日：2014-12-19
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만 , 박준철
IPC分类号： G11C5/14
CPC分类号： G05F5/00 , G11C5/145 , G11C5/141 , G11C5/142 , G11C5/146 , G11C5/147
摘要： 외부전압을이용하는반도체장치및 그의구동방법에관한것으로, 파워업구간(power-up)이서로다른제1 및제2 외부전압을이용하여내부전압을생성하기위한내부전압생성블록; 및상기제1 외부전압의제1 파워업구간과상기제2 외부전압의제2 파워업구간을포함하는제어구간동안상기내부전압을예정된전압레벨로고정시키기위한제어블록을포함하는반도체장치가제공된다.
摘要翻译：本发明涉及使用外部电压的半导体器件及其操作方法。该半导体器件包括：内部电压产生块，用于通过使用上电部分彼此不同的第一和第二外部电压来产生内部电压; 以及用于在包括第一外部电压的第一上电部分和第二外部电压的第二上电部分的控制部分期间将内部电压固定为预定电压电平的控制块。

4. 发明公开

KR1020160001032A 래치 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：锁存电路和半导体器件，包括它们
公开(公告)号：KR1020160001032A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：KR1020140078680
申请日：2014-06-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박준철 , 지성수
IPC分类号： G11C29/04 , G11C29/00
CPC分类号： G11C17/18 , G11C17/16 , G11C2029/4402
摘要： 본발명은래치회로및 이를포함하는반도체장치에관한것으로넷 다이(Net die)를증가시킬수 있도록하는기술이다. 이러한본 발명은부트업 동작시퓨즈셋선택신호에대응하여퓨즈데이터를부트업 데이터로출력하는라이트구동부및 부트업 동작시래치선택신호가활성화되면부트업 데이터를래치하고, 노말동작시래치선택신호가활성화되어래치된데이터를리페어컬럼어드레스로출력하는래치셋을포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种锁存电路及包括该锁存电路的半导体器件。本发明涉及增加网模的技术。本发明包括一个光启动部分，其在引导操作中通过与保险丝组选择信号相对应地输出具有引导数据的熔丝数据，以及锁存器，其锁存引导数据并输出具有修复的锁存数据在正常操作中激活锁存器选择信号。

5. 发明公开

KR1020160069086A 리페어 정보 저장 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：维修信息存储电路和半导体器件包括其中
公开(公告)号：KR1020160069086A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：KR1020140174410
申请日：2014-12-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 최웅규 , 임종만 , 박준철
IPC分类号： G11C29/02 , G11C29/00 , G11C29/44 , G11C5/14 , G11C29/04
CPC分类号： G11C29/78 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C2029/4402 , G11C29/027 , G11C5/148 , G11C29/04 , G11C29/44 , G11C29/787 , G11C2029/0401 , G11C2029/0403
摘要： 본기술은퓨즈블록에서제공된붓업인에이블신호에응답하여전압제어신호를생성하도록구성되는제어부; 및상기퓨즈블록에서제공된리페어정보를저장하고, 상기전압제어신호에따라문턱전압이조정되도록구성된퓨즈래치어레이를포함할수 있다.
摘要翻译：修理信息存储电路技术领域本发明涉及一种维修信息存储电路，包括：控制单元，被配置为响应于从熔丝块提供的引导启动信号产生电压控制信号; 以及保险丝闩锁阵列，其被配置为存储从所述熔丝块提供的修复信息，并且根据所述电压控制信号调整阈值电压。因此，维修信息存储电路可以减少由启动操作引起的电流消耗。

6. 发明授权

KR102239755B1 리페어 정보 저장 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102239755B1
公开(公告)日：2021-04-14
申请号：KR1020140174410
申请日：2014-12-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 최웅규 , 임종만 , 박준철
IPC分类号： G11C29/02 , G11C29/00 , G11C29/44 , G11C5/14 , G11C29/04
摘要： 본기술은퓨즈블록에서제공된붓업인에이블신호에응답하여전압제어신호를생성하도록구성되는제어부; 및상기퓨즈블록에서제공된리페어정보를저장하고, 상기전압제어신호에따라문턱전압이조정되도록구성된퓨즈래치어레이를포함할수 있다.

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