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1. 发明公开

KR1020130015940A 온도센서 테스트회로를 포함하는 반도체메모리장치 无效
标题翻译：包含TEPERATURE测试电路的半导体存储器件
公开(公告)号：KR1020130015940A
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：KR1020110078292
申请日：2011-08-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭
IPC分类号： G11C29/08 , G11C11/406 , G11C5/14
CPC分类号： G01K13/00 , G01K3/005
摘要： PURPOSE: A semiconductor memory device including a temperature sensor testing circuit is provided to reduce testing time by controlling a level of an input reference voltage through first to fourth counting signals. CONSTITUTION: A temperature sensor(1) receives a test mode pulse(TMP) in a test mode when a test mode enable signal is enabled, generates first to fourth counting signals which are successively counted, and generates a temperature flag signal including internal temperature information. A temperature sensor test circuit(2) outputs the first to fourth counting signals to first to fourth data pads when the level of the temperature flag signal is transited. [Reference numerals] (1) Temperature sensor; (2) Temperature sensor test circuit
摘要翻译：目的：提供一种包括温度传感器测试电路的半导体存储器件，通过第一至第四计数信号控制输入参考电压的电平来减少测试时间。构成：当测试模式使能信号被使能时，温度传感器（1）在测试模式下接收测试模式脉冲（TMP），产生连续计数的第一至第四计数信号，并产生包括内部温度信息的温度标志信号。温度传感器测试电路（2）当温度标志信号的电平转换时，将第一至第四计数信号输出到第一至第四数据焊盘。（附图标记）（1）温度传感器; （2）温度传感器测试电路

2. 发明授权

KR101197272B1 데이터출력회로 有权
标题翻译：数据输出电路
公开(公告)号：KR101197272B1
公开(公告)日：2012-11-05
申请号：KR1020090104365
申请日：2009-10-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭 , 김생환
IPC分类号： G11C11/4093 , G11C11/4096 , G11C7/10
CPC分类号： H03K19/018507 , H03K19/09425
摘要： 데이터출력회로는 전치풀업신호가 인에이블되는 경우 제1 레벨로 구동되고, 제1 지연구간 경과 후 제2 레벨로 구동되는 풀업신호를 생성하는 풀업신호생성부; 전치풀다운신호가 인에이블되는 경우 제3레벨로 구동되고, 제2 지연구간 경과 후 제4 레벨로 구동되는 풀다운신호를 생성하는 풀다운신호생성부; 및 상기 풀업신호 및 상기 풀다운신호를 입력받아 출력데이터를 구동하는 구동부를 포함한다.
데이터출력회로, 슬루우 레이트(slew rate)
摘要翻译：数据输出电路的上拉预信号被驱动为第一电平当使能时，第一延迟间隔过去上拉信号发生器，用于产生第二电平之后被驱动上拉信号; 下拉信号发生器，其在转置下拉信号被使能时被驱动到第三电平并且在经过第二延迟时段之后生成由第四电平驱动的下拉信号; 以及接收上拉信号和下拉信号并驱动输出数据的驱动单元。

3. 发明授权

KR101047005B1 내부커맨드 생성장치 失效
标题翻译：内部命令生成器
公开(公告)号：KR101047005B1
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090131272
申请日：2009-12-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭
IPC分类号： G11C7/00 , G11C7/20
CPC分类号： G11C11/4072 , G11C11/406 , G11C11/40615
摘要： 내부커맨드 생성장치는 리셋커맨드에 응답하여 리셋구간을 설정하는 리셋플래그신호를 생성하는 제1 플래그신호 생성부와 상기 리셋플래그신호에 응답하여 제1 초기펄스신호 및 제2 초기펄스신호를 생성하는 초기펄스신호 생성부와 상기 제1 초기펄스신호에 응답하여 초기안정화구간을 설정하는 초기안정화 플래그신호를 생성하는 제2 플래그신호 생성부 및 상기 제2 초기펄스신호에 응답하여 상기 초기안정화구간 내에서 인에이블되는 내부리프레쉬 커맨드를 생성하는 내부커맨드 생성부를 포함한다.
내부커맨드, 리프레쉬, 리셋
摘要翻译：内部命令产生装置产生最初在响应于所述第一标志信号发生器和用于产生重置标志信号来设置复位周期的复位标志信号响应于复位命令的第一初始脉冲信号和第二初始脉冲信号脉冲信号发生器，第二个是在第一初始第二标志信号产生单元，并且响应所述第二初始脉冲到初始稳定期的信号，以响应于脉冲信号而产生一个初始稳定标志信号设置初始的稳定期以及内部命令生成部分，用于生成要启用的内部刷新命令。

4. 发明公开

KR1020110074341A 내부커맨드 생성장치 失效
标题翻译：内部命令生成设备
公开(公告)号：KR1020110074341A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：KR1020090131272
申请日：2009-12-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭
IPC分类号： G11C7/00 , G11C7/20
CPC分类号： G11C11/4072 , G11C11/406 , G11C11/40615
摘要： PURPOSE: An internal command generation device is provided to stabilize an internal voltage by generating a refresh command in the device and performing refreshing. CONSTITUTION: In an internal command generation device, a first flag generating unit(1) generates a reset flag signal. The reset flag signal sets a reset section in response to the reset command. An initial pulse signal generator(2) generates first and second initial pulse signals. A second flag signal generating unit(3) generates the initial stabilization flag signal. The initial stabilization flag signal establishes an initial stabilization section. An internal command generating unit(4) generates a refresh command which is enable in the initial stabilization section.
摘要翻译：目的：提供内部命令生成装置，通过在装置中产生刷新命令并执行刷新来稳定内部电压。构成：在内部命令生成装置中，第一标志生成部（1）生成复位标志信号。复位标志信号根据复位指令设定复位部分。初始脉冲信号发生器（2）产生第一和第二初始脉冲信号。第二标志信号产生单元（3）产生初始稳定标志信号。初始稳定标志信号建立初始稳定部分。内部指令生成部（4）生成在初始稳定部中使能的刷新命令。

5. 发明授权

KR100924357B1 기준전압 생성회로 失效
标题翻译：参考电压发生电路
公开(公告)号：KR100924357B1
公开(公告)日：2009-11-02
申请号：KR1020080063584
申请日：2008-07-01
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/06 , G11C7/10
CPC分类号： G05F3/16 , G01R31/2817 , G11C5/147 , G11C29/12005
摘要： PURPOSE: A reference voltage generating circuit is provided to solve a problem in a transmission gate to transmit a reference voltage selectively by implementing a differential amplifier with a MOS transistor. CONSTITUTION: A test signal input unit produces a control signal by receiving a test signal. A first switch unit(22) is connected between a first node and a second node and receives a first reference voltage in response to the control signal. A second switch unit(23) is connected between the first node and the second node and receives a second reference voltage in response to the control signal. A current mirror is connected to the first node and the second node. A driver drives a fourth node outputting the output reference voltage in response to the signal of the first node. An internal voltage input unit(25) is connected between the second node and the third node and receives the signal of the fourth node.
摘要翻译：目的：提供一种参考电压产生电路，以解决传输门极通过用MOS晶体管实现差分放大器选择性地传输参考电压的问题。构成：测试信号输入单元通过接收测试信号产生控制信号。第一开关单元（22）连接在第一节点和第二节点之间，并响应于控制信号接收第一参考电压。第二开关单元（23）连接在第一节点和第二节点之间，并且响应于控制信号接收第二参考电压。当前镜像连接到第一节点和第二节点。驱动器驱动响应于第一节点的信号而输出输出参考电压的第四节点。内部电压输入单元（25）连接在第二节点和第三节点之间，并接收第四节点的信号。

6. 发明授权

KR100878298B1 반도체 메모리 장치의 입출력 모드 선택 회로 失效
标题翻译：半导体存储器的输入和输出模式选择电路
公开(公告)号：KR100878298B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020070003438
申请日：2007-01-11
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭
IPC分类号： G11C29/00 , G11C7/10
摘要： 본 발명은 테스트시 테스트 펄스를 입력되면 상기 테스트 펄스의 라이징 타이밍에 테스트 모드 입출력 모드 제어 신호를 인에이블시키고 상기 테스트 펄스의 폴링 타이밍에 레벨이 천이되는 테스트 입출력 모드 선택 신호를 생성하는 테스트 입출력 모드 선택 수단, 테스트 종료후 퓨즈의 연결 상태에 따라 입출력 모드를 변경하기 위한 퓨즈 입출력 모드 선택 신호를 생성하는 퓨즈 입출력 모드 선택 수단, 및 상기 테스트 입출력 모드 제어 신호, 상기 테스트 입출력 모드 선택 신호, 상기 퓨즈 입출력 모드 선택 신호, 및 입출력 모드 선택 패드 레벨에 응답하여 입출력 모드 선택 신호를 생성하는 입출력 모드 선택 신호 생성 수단을 포함한다.
테스트, 데이터 입출력 모드

7. 发明公开

KR1020080113733A 디코더 失效
标题翻译：解码器
公开(公告)号：KR1020080113733A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020070062552
申请日：2007-06-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭 , 김창일
IPC分类号： G11C8/10
CPC分类号： G11C8/10 , G11C2207/2227 , H03K19/01721
摘要： A decoder is provided to reduce layout dimensions and current consumption of chip by reducing the number of MOS transistor used for decoding. A decoder comprises a driving signal generator, a first decoding signal generator, and a second decoding signal generator. The driving signal generator receives a first input signal, and generates a first driving signal operating a first node and a second driving signal operating a second node. The first decoding signal generator is driven with the first and the second driving signals, and generates a first and a second decoding signal in response to a second input signal. The second decoding signal generator is driven with the first and the second driving signals, and generates a third and a fourth decoding signal in response to a second input signal.
摘要翻译：提供了一种解码器，通过减少用于解码的MOS晶体管的数量来减少芯片的布局尺寸和电流消耗。解码器包括驱动信号发生器，第一解码信号发生器和第二解码信号发生器。驱动信号发生器接收第一输入信号，并产生操作第一节点的第一驱动信号和操作第二节点的第二驱动信号。利用第一和第二驱动信号驱动第一解码信号发生器，并响应于第二输入信号产生第一和第二解码信号。利用第一和第二驱动信号驱动第二解码信号发生器，并且响应于第二输入信号产生第三和第四解码信号。

8. 发明授权

KR101020282B1 온도센서 有权
标题翻译：温度传感器
公开(公告)号：KR101020282B1
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020080066608
申请日：2008-07-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭
IPC分类号： G01K7/00 , G01K7/28
CPC分类号： G11C29/02 , G01K15/00 , G11C5/143 , G11C29/028 , G11C2029/5002
摘要： 본 발명은 반도체 메모리 장치의 내부온도를 센싱하여 센싱레벨을 생성하는 온도 감지부; 퓨즈를 포함하여, 테스트모드신호 및 온도검출신호에 응답하여 상기 반도체 메모리 장치의 내부온도에 따라 설정된 다수의 기준전압 중 하나를 선택하여 기준레벨을 설정하는 기준레벨 생성부; 및 상기 센싱레벨과 상기 기준레벨의 레벨을 비교하여 상기 온도검출신호를 생성하는 비교부를 포함하는 온도센서를 제공한다.
온도검출신호, 테스트모드 인에이블신호, 온도센서, 기준레벨
摘要翻译：本发明涉及一种半导体存储器件，包括：温度感测单元，用于感测半导体存储器件的内部温度以产生感测电平; 参考电平生成单元，包括用于响应于测试模式信号和温度检测信号来选择根据半导体存储器件的内部温度设置的多个参考电压中的一个参考电压以设置参考电平的熔丝; 以及比较器，用于将感测电平与参考电平的电平进行比较以生成温度检测信号。

9. 发明授权

KR100955685B1 신호입력회로 失效
标题翻译：信号输入电路
公开(公告)号：KR100955685B1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：KR1020080109088
申请日：2008-11-04
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭 , 이상권
IPC分类号： G11C7/10 , G11C5/14
CPC分类号： G11C7/1078 , G11C7/22 , H03K19/0016 , H03K19/0185
摘要： PURPOSE: A signal inputting circuit is provided to reduce the greatly delay time required for generating an output signal by simultaneously operating a level shifter and a latch circuit. CONSTITUTION: A level shifter(2) generates an internal enable signal by performing a level shifting process on an enable signal. A latch circuit(3) is driven by the internal enable signal and the enable signal. The latch circuit maintains the input signal. The level shifter generates the internal enable signal by level shifting the enable signal which swings between a first drive voltage and the ground voltage.
摘要翻译：目的：提供信号输入电路，通过同时操作电平转换器和锁存电路来减少产生输出信号所需的大大延迟时间。构成：电平移位器（2）通过对使能信号执行电平转换处理来产生内部使能信号。锁存电路（3）由内部使能信号和使能信号驱动。锁存电路维持输入信号。电平转换器通过电平移位在第一驱动电压和接地电压之间摆动的使能信号来产生内部使能信号。

10. 发明公开

KR1020100006398A 온도센서 有权
标题翻译：温度感应器
公开(公告)号：KR1020100006398A
公开(公告)日：2010-01-19
申请号：KR1020080066608
申请日：2008-07-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭
IPC分类号： G01K7/00 , G01K7/28
CPC分类号： G11C29/02 , G01K15/00 , G11C5/143 , G11C29/028 , G11C2029/5002 , G01K15/007
摘要： PURPOSE: A temperature sensor setting a reference lever through a test mode without an additional process are provided to reduce the test mode progress time by generating the test pulse. CONSTITUTION: A temperature sensor comprises a temperature sensing part(2), a reference level generating part(3) and a comparison part(4). The temperature sensing part generate a sensing level by sensing the inside temperature of a semiconductor memory device. The reference level generating part comprises a fuse. The reference level generating part selects one from the multiple preset reference voltages according to the inside temperature of the semiconductor memory device. The reference level generating part establishes the reference level. The comparison part compares the reference level and sensing level. The comparison part creates a temperature detection signal.
摘要翻译：目的：提供通过测试模式设置参考杆的温度传感器，而不需要额外的过程，以通过产生测试脉冲来减少测试模式进行时间。构成：温度传感器包括温度检测部分（2），基准电平产生部分（3）和比较部分（4）。温度感测部件通过感测半导体存储器件的内部温度来产生感测电平。参考电平产生部分包括保险丝。参考电平产生部分根据半导体存储器件的内部温度从多个预置参考电压中选择一个。参考电平生成部分建立参考电平。比较部分比较参考电平和感测电平。比较部分产生温度检测信号。

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