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1. 发明授权

KR102462503B1 수직형 구조를 가지는 불휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 有权
公开(公告)号：KR102462503B1
公开(公告)日：2022-11-02
申请号：KR1020170159694
申请日：2017-11-27
IPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , G11C5/06 , G11C8/10
摘要： 불휘발성메모리장치가개시된다. 본개시의실시예에따른불휘발성메모리장치는, 제1 방향으로연장되는복수의워드라인들및 제2 방향으로연장되는복수의비트라인들이배열되고, 상기제1 방향으로인접하게배치된제1 및제2 상부기판과, 상기제1 상부기판상에배치되는제1 수직구조체및 상기제2 상부기판상에배치되는제2 수직구조체를포함하는메모리셀 어레이가형성된제1 반도체층; 및하부기판을포함하고, 상기제1 반도체층 하부에상기제1 및제2 방향과수직인제3 방향으로배치되고, 상기메모리셀 어레이를제어하는복수의로우디코더회로들및 복수의페이지버퍼회로들이형성된제2 반도체층을포함하고, 상기제1 수직구조체는, 상기제1 수직구조체를관통하여상기비트라인들중 적어도일부와상기페이지버퍼회로들중 적어도일부를연결하는하나이상의관통홀 비아(Through Hole Via)가배치된제1 비아영역을포함하고, 상기제2 수직구조체는, 적어도일부가상기제1 비아영역과상기제1 방향으로오버랩되는하나이상의부분블록을포함할수 있다.

2. 发明授权

KR102374066B1 반도체 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102374066B1
公开(公告)日：2022-03-14
申请号：KR1020170034421
申请日：2017-03-20
IPC分类号： G11C5/06 , G11C16/04 , G11C8/10
摘要： 본실시예에따른반도체메모리장치는, 기판상에제1 방향으로배치된메모리셀 어레이및 로우디코더와, 상기메모리셀 어레이와상기로우디코더를전기적으로연결하기위한복수의연결배선들을포함할수 있다. 상기각각의연결배선들은상기제1 방향으로배치된제1 도전라인과, 상기제1 도전라인과나란하게배치된제2 도전라인과, 상기제1 도전라인과상기제2 도전라인간을연결하며컨택플러그를통해서상기메모리셀 어레이또는상기로우디코더에접속된패드를포함할수 있다. 상기연결배선들은상기제1 방향을따라서상기패드의양측으로라우팅될수 있다.

3. 发明授权

KR102370156B1 메모리 시스템, 및 이를 위한 메모리 모듈과 반도체 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102370156B1
公开(公告)日：2022-03-07
申请号：KR1020170106776
申请日：2017-08-23
IPC分类号： G11C7/22 , G11C7/10 , G11C8/10 , G11C8/12
摘要： 메모리시스템은제어부, 제1 랭크, 제2 랭크, 명령/어드레스신호라인들, 및데이터라인들을포함한다. 제1 랭크는복수개의제1 반도체메모리장치들을포함하고, 제2 랭크는복수개의제2 반도체메모리장치들을포함한다. 명령/어드레스신호라인들및 데이터라인들은제어부, 제1 랭크, 및제2 랭크사이에공유된다. 제1 랭크및 제2 랭크는제어부에의해서리드레이턴시, 라이트레이턴시, 및버스트길이의값들이설정된다. 제1 랭크와상기제2 랭크사이에데이터를이동하는데이터이동동작을수행할때, 제어부가제1 랭크와제2 랭크중 하나로명령/어드레스신호라인들을통하여쉬프트리드명령을인가하고, 리드레이턴시의값에서라이트레이턴시의값을뺀 값에해당하는시간후에제1 랭크와제2 랭크중 다른하나로명령/어드레스신호라인들을통하여노말라이트명령또는쉬프트라이트명령을인가함에의해서하나의랭크로부터리드되는버스트길이의값에해당하는갯수의데이터가데이터라인들을통하여다른하나의랭크로라이트된다.

4. 发明授权

KR102342471B1 반도체 기입 장치 및 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102342471B1
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：KR1020170099686
申请日：2017-08-07
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/10
摘要： 본발명의일 실시예에따른반도체기입장치는, 라이트커맨드에기초하여예비구동신호및 예비컬럼선택신호를생성하는제어신호생성부; 상기예비구동신호의활성화구간을조정함으로써, 라이트드라이버를구동하기위한구동신호를생성하는구동신호생성부; 및상기예비컬럼선택신호에기초하여순차적으로활성화되는복수의컬럼선택신호를생성하는컬럼선택신호생성부를포함한다.

5. 发明授权

KR102288783B1 공유 디코더 회로 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102288783B1
公开(公告)日：2021-08-12
申请号：KR1020190157759
申请日：2019-11-29
IPC分类号： G11C8/10 , G11C8/06 , G11C8/08 , G11C7/22
摘要： 회로는선택회로를포함하고, 선택회로는제 1 입력부에서제 1 어드레스를그리고제 2 입력부에서제 2 어드레스를수신하고, 선택신호가제 1 논리상태를가질때 제 1 어드레스를출력부에전달하고, 선택신호가제 1 논리상태와상이한제 2 논리상태를가질때 제 2 어드레스를출력부에전달하도록구성된다. 상기회로는또한전달된제 1 어드레스또는제 2 어드레스를디코딩하도록구성된디코더를포함한다.

6. 发明授权

KR102282580B1 비휘발성 메모리 어레이에서 피크 전력 요구 및 잡음을 관리하기 위한 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102282580B1
公开(公告)日：2021-07-28
申请号：KR1020207023530
申请日：2019-01-28
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/32 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , G11C16/04 , G11C8/10 , G11C8/12
摘要： 메모리디바이스는메모리셀들의로우들및 컬럼들, 메모리셀 로우에각각접속된워드라인들, 메모리셀 컬럼에각각접속된비트라인들, 워드라인들에접속된워드라인드라이버, 비트라인들에접속된비트라인드라이버, 하나의메모리셀 로우를워드라인드라이버에선택적으로접속하기위해워드라인들중 하나상에각각배치된워드라인스위치들, 및하나의메모리셀 컬럼을비트라인드라이버에선택적으로접속하기위해비트라인들중 하나상에각각배치된비트라인스위치들을포함한다. 컨트롤러가제1 시점에메모리셀들의로우들중 일부만을워드라인드라이버에접속하도록워드라인스위치들을제어하고, 제2 시점에메모리셀들의컬럼들중 일부만을비트라인드라이버에접속하도록비트라인스위치들을제어한다.

7. 发明授权

KR102160598B1 반도체 메모리 장치 및 이의 동작방법 有权
公开(公告)号：KR102160598B1
公开(公告)日：2020-09-28
申请号：KR1020140100378
申请日：2014-08-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박가람
IPC分类号： G11C29/00 , G11C8/10

8. 发明授权

KR102133573B1 반도체 메모리 및 반도체 메모리를 포함하는 메모리 시스템 有权
公开(公告)号：KR102133573B1
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：KR1020130020503
申请日：2013-02-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서승영 , 박철우
IPC分类号： G11C8/04 , G11C8/08 , G11C8/10

9. 发明授权

KR102115638B1 OTP 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102115638B1
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：KR1020160095665
申请日：2016-07-27
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 정덕주
IPC分类号： G11C17/18 , G11C17/16 , G11C8/10

10. 发明授权

KR102093143B1 동시적 메모리 판독 및 기록 동작들을 지원하기 위한 메모리 시스템에서의 별개의 판독 및 기록 어드레스 디코딩 有权
公开(公告)号：KR102093143B1
公开(公告)日：2020-03-25
申请号：KR1020197009516
申请日：2017-09-05
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 가그,매니쉬
IPC分类号： G11C11/418 , G11C11/419 , G11C7/10 , G11C8/08 , G11C8/10

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