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1. 发明授权

KR101132795B1 온도센서 失效
公开(公告)号：KR101132795B1
公开(公告)日：2012-04-02
申请号：KR1020100017333
申请日：2010-02-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이성섭 , 김생환
IPC分类号： G11C11/406 , H03K3/02 , G01K7/00 , G01K7/16
CPC分类号： G11C7/04 , G01K1/026 , G11C11/406 , G11C11/40626
摘要： A temperature sensor includes a selection signal generation unit and a reference voltage selection unit. The selection signal generation unit is configured to generate first and second selection signals in response to a fuse cutting or an input of a test mode pulse in a test mode. The reference voltage selection unit is configured to output a first reference voltage or a second reference voltage as a first selection reference voltage, and output a third reference voltage or a fourth reference voltage as a second selection reference voltage in response to the first and second selection signals.
摘要翻译：温度传感器包括选择信号生成单元和参考电压选择单元。选择信号生成单元被配置为响应于测试模式下的熔丝切断或测试模式脉冲的输入而生成第一和第二选择信号。参考电压选择单元被配置为响应于第一选择和第二选择而输出第一参考电压或第二参考电压作为第一选择参考电压并输出第三参考电压或第四参考电压作为第二选择参考电压信号。

2. 发明授权

KR101020280B1 레벨시프터 失效
标题翻译：水平移位器
公开(公告)号：KR101020280B1
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020080037410
申请日：2008-04-22
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김생환
IPC分类号： H03K19/0175
CPC分类号： H03K19/01721 , H03K19/01707
摘要： 레벨시프터는 제1 레벨 및 접지전압으로 구동되어, 입력신호를 버퍼링하여 제1 노드로 전달하는 제1 버퍼; 상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되어, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이의 전위차를 일정하게 유지하는 커플링 소자; 상기 제2 노드와 접지전압 사이에 연결되어, 상기 입력신호에 응답하여 상기 제2 노드를 풀다운구동하는 풀다운소자를 포함한다.
레벨시프터, 커플링 현상

3. 发明公开

KR1020090126551A 레벨 시프터 회로 失效
标题翻译：水平变化
公开(公告)号：KR1020090126551A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020080052692
申请日：2008-06-04
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김생환
IPC分类号： H03K19/0175
CPC分类号： H03K3/356113
摘要： PURPOSE: A level shifter is provided to improve current performance by boosting the level of an input signal, so it is stably operated in low voltage. CONSTITUTION: In a level shifter circuit, a level shifting unit increases the level of an input signal, generates a boost voltage, and outputs it by shifting the boosted voltage level. The level shifting unit includes a voltage booster and a level shifting unit. The voltage booster(10) increases the level of the input signal and outputs the boosted voltage. The level shifting unit(20) shifts the boosted voltage by a level and outputs it. The voltage boosting unit includes a voltage setting unit, a delay unit, and a pumping unit. The voltage setting unit receives the input signal and sets the voltage of the first and second node in response to a power voltage signal. The delay unit delays the input signal and outputs it. The pumping unit boosts the voltage of the first and second node in response to an output of the delay unit, and it outputs the boosted voltage.
摘要翻译：目的：提供电平转换器，通过提高输入信号的电平来提高电流性能，从而稳定地工作在低电压。构成：在电平移位器电路中，电平移位单元增加输入信号的电平，产生升压电压，并通过移位升压电压来输出。电平移位单元包括升压器和电平转换单元。升压器（10）增加输入信号的电平并输出升压电压。电平移位单元（20）将升压电压移位一个电平并输出。升压单元包括电压设定单元，延迟单元和泵送单元。电压设定单元接收输入信号，并根据电源电压信号设定第一和第二节点的电压。延迟单元延迟输入信号并输出。泵送单元响应于延迟单元的输出而升高第一和第二节点的电压，并且其输出升压电压。

4. 发明授权

KR100440262B1 온도 감지 회로 失效
标题翻译： 온도감지회로
公开(公告)号：KR100440262B1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：KR1020020042179
申请日：2002-07-18
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김생환
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G01K1/026 , G01K7/425 , G01K15/00
摘要： A temperature detector includes a pulse generator adapted to generate pulse signals based on temperature detecting signals, a first delay circuit adapted to delay the temperature detecting signals in accordance with different delay times and generate a plurality of first delayed signals, a second delay circuit adapted to delay the temperature detecting signals and generate a plurality of second delayed signals, a plurality of detectors adapted to compare the plurality of first delayed signals from the first delay circuit and the plurality of second delayed signals from the second delay circuit and generate compared values based on the pulse signals, a plurality of pads adapted to read outputs generated by the plurality of detectors, and a comparison unit adapted to compare temperature values read from the plurality of pads and current temperature values to determine an optimum detector that generates an optimum temperature value.
摘要翻译：温度检测器包括：脉冲发生器，适于基于温度检测信号产生脉冲信号;第一延迟电路，适于根据不同的延迟时间延迟温度检测信号并产生多个第一延迟信号;第二延迟电路，适于延迟温度检测信号并产生多个第二延迟信号;多个检测器，适于比较来自第一延迟电路的多个第一延迟信号和来自第二延迟电路的多个第二延迟信号，并基于脉冲信号，适于读取由多个检测器产生的输出的多个焊盘以及比较单元，该比较单元适于比较从多个焊盘读取的温度值和当前温度值以确定产生最佳温度值的最佳检测器。

5. 发明授权

KR100319164B1 다중레벨검출에의한다중구동장치및그방법 有权
标题翻译：多级检测装置及其方法
公开(公告)号：KR100319164B1
公开(公告)日：2002-04-22
申请号：KR1019970081299
申请日：1997-12-31
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김학수 , 김생환
IPC分类号： G11C5/14
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 전압 발생 회로에 관한 것으로, 특히 전압 발생 회로에서 전압 발생기를 효율적으로 동작시키기 위하여 검출 레벨을 다원화하여 제어함으로써, 레벨 변동을 최소화하여 장치의 전체적인 동작에 영향을 미치는 노이즈를 감소시키고 장치의 신뢰성을 증진시킴과 동시에 전력 소모를 줄일 수 있도록, 기설정된 기준전압 레벨과 피드백 입력되는 승압전압(VPP) 또는 백바이어스 전압(VBB) 레벨을 비교하여 레벨 검출 신호를 출력하는 레벨 검출부와, 레벨 검출부로부터 레벨 검출 신호를 입력받아 두 개 이상의 서로 다른 레벨 전위 제어신호를 출력하는 레벨 전위 출력부를 구비하는 레벨 검출 회로 블록과, 레벨 검출 회로 블록에서 인가되는 서로 다른 레벨 전위 제어신호를 논리 연산하고, 지연 회로를 사용하여 일정 지연 시간차에 따라 선택적인 인에이블 신호 및 발진 인에이블 신호를 출력하는 제어 회로 블록과, 제어 회로 블록으로부터 출력되는 발진 인에이블 신호에 의해 발진되어 전기적 진동을 갖는 발진 신호를 발생시키는 발진 회로 블럭 및 제어 회로 블록으로부터 인가되는 선택적인 인에이블 신호에 의해 구동 시점이 각각 다르게 제어되고, 발진 회로 블럭으로부터 출력되는 발진 신호에 의해 각각 동작되는 복수개의 제너레이터로 구성된 발생 회로 블럭을 구비함을 특징으로 하는 다중 레벨 검출에 의한 다중 구동 장치 및 그 방법에 관한 것이다.

6. 发明授权

KR100324937B1 반도체 메모리 장치의 데이타 레지스터 회로 失效
标题翻译：半导体存储器件的数据寄存器电路
公开(公告)号：KR100324937B1
公开(公告)日：2002-02-28
申请号：KR1019990025227
申请日：1999-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김생환 , 이준근
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C7/1087 , G11C7/1078
摘要： 본발명은반도체메모리장치의데이타레지스터회로에관한것으로, 데이타신호가제 1 전위레벨을가질때데이타저장명령에의해제 1 출력노드로제 1 전원전압원을출력하고제 2 출력노드로제 2 전원전압원을출력하며, 데이타리셋신호가입력되면상기제 1, 제 2 출력노드로제 2 전원전압원을출력하는입력수단과, 상기입력수단의제 1 및제 2 출력노드로부터수신된첫번째데이타신호를상기데이타리셋신호가입력되기전까지래치시키고이 래치된데이타신호를출력하고다른데이타의입력을차단하는데이타래치수단과, 상기데이타래치수단으로부터출력된신호를데이타출력명령에의해완충시켜출력단자로각각출력하는버퍼수단으로구성함으로써, 레지스터에데이타가일단저장되면데이타를리셋하기전에는데이타를변경하기못하게하여노이즈나주파수증가에따른오동작을방지시킬수 있는효과가있다.

7. 发明公开

KR1020010004667A 카운터 失效
标题翻译：计数器
公开(公告)号：KR1020010004667A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990025370
申请日：1999-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김생환
IPC分类号： H03K21/10
摘要： PURPOSE: A counter is provided to allow to carry out a high speed of counting operation by using two counter parts wherein each of the two counter parts increases the number of the count during two times of time period of the clock frequency and switches the outputs of the respective counter parts per clocks to output. CONSTITUTION: In a counter, a counter set section(30) includes an up-counter part(32) having a multi-bits structure and a down-counter part(34) to carry out a counting operation. A switching section(40) outputs the selected address of an internal addresses generated from the up-counter part and the down-counter part. A control section(50) controls the counting operation of the counter set section and the output operation of the switching section. Therefore, the counter carries out a high speed of counting operation.
摘要翻译：目的：提供一个计数器，通过使用两个计数器部件来实现高速计数操作，其中两个计数器中的每一个在时钟频率的两个时间段内增加计数次数，并切换输出每个时钟的相应计数器输出。构成：在计数器中，计数器设置部分（30）包括具有多位结构的上计数器部分（32）和用于执行计数操作的向下计数器部分（34）。切换部分（40）输出从上计数器部分和递减计数器部分产生的内部地址的所选地址。控制部（50）控制计数器设定部的计数动作和切换部的输出动作。因此，计数器执行高速的计数操作。

8. 发明公开

KR1020010004538A 반도체 메모리 장치의 데이타 레지스터 회로 失效
标题翻译：半导体存储器件的数据寄存器电路
公开(公告)号：KR1020010004538A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990025227
申请日：1999-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김생환 , 이준근
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C7/1087 , G11C7/1078
摘要： PURPOSE: A data register circuit of a semiconductor memory device is provided to prevent the mis-operation according to the increase of frequency or noise. CONSTITUTION: The memory device is made not to vary data before resetting the data if the data is stored in a register. The data register circuit comprises: an input unit(10) which outputs the first power source voltage source to the first output node by a data store command when a data signal has the first logic value, and outputs the second power source voltage source to the second output node, and outputs the power source voltage source to the first and the second output node if a data reset signal is inputted; a store unit which stores each of the first data signal being output to the first and the second output node and latches the stored data continuously until the data reset signal is inputted; and a buffer unit(30) buffering a signal being output from the store unit by a data output command and outputting it to the output terminal.
摘要翻译：目的：提供半导体存储器件的数据寄存器电路，以防止随着频率或噪声的增加而发生误操作。构成：如果数据存储在寄存器中，存储器件在复位数据之前不会改变数据。数据寄存器电路包括：输入单元（10），当数据信号具有第一逻辑值时，通过数据存储命令将第一电源电压源输出到第一输出节点，并将第二电源电压源输出到如果输入数据复位信号，则将电源电压源输出到第一和第二输出节点; 存储单元，其存储正被输出到第一和第二输出节点的第一数据信号，并连续锁存所存储的数据，直到输入数据复位信号; 以及缓冲单元（30），其通过数据输出命令缓冲从存储单元输出的信号，并将其输出到输出端子。

9. 发明授权

KR100245086B1 반도체 메모리 소자의 리던던시 장치 및 그 제어 방법 失效
标题翻译：用于半导体存储器件的冗余装置及其控制方法
公开(公告)号：KR100245086B1
公开(公告)日：2000-03-02
申请号：KR1019960053614
申请日：1996-11-13
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김생환 , 황용
IPC分类号： G11C29/00
摘要： 본 발명은 반도체 메모리 소자의 리던던시 장치 및 그 제어 방법에 관한 것으로 특히 리페어 디세이블 장치를 사용하여 리페어 인에이블 신호를 디세이블 시키므로써 절단된 퓨즈로 인하여 재차 리페어가 불가능했던 종래의 회로와는 달리 재차 리페어가 가능하게 하기 위한 반도체 메모리 소자의 리던던시 장치 및 그 제어 방법에 관한 것으로 상기 목적 달성을 위하여 제 1 리페어 디세이블 수단, 제 2 리페어 디세이블 수단, 제 3 리페어 디세이블 수단을 구비하였으며 본 발명을 반도체 메모리 소자에 구현하게 되면 리페어율이 증가하게 되어 결국 수율 향상에 기여하는 효과가 있다.

10. 发明公开

KR1020000004713A 일정한지연을갖는지연회로 有权
标题翻译：具有恒定延迟的延迟电路
公开(公告)号：KR1020000004713A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019980026206
申请日：1998-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김생환 , 홍현성 , 김학수
IPC分类号： H03K5/13 , H03H11/26
CPC分类号： H03K5/08 , H03K5/133 , H03K2005/00045 , H03K2005/0013 , H03K2005/00195
摘要： PURPOSE: A delay circuit having a constant delay regardless of a driving voltage is provided. CONSTITUTION: The delay circuit comprises: a wire(200) for transferring a driving signal; a load capacitor(201) connected between the wire and a ground, and for delaying a transfer time for the driving signal; and a current source(211) parallel connected to the load capacitor, and for constantly maintaining current applied to the load capacitor when the driving signal value applied to the load capacitor vary. The current source(211) is a voltage controlled current source controlled by a current output by a voltage applied.
摘要翻译：目的：提供无论驱动电压如何的恒定延迟的延迟电路。构成：延迟电路包括：用于传送驱动信号的线（200）; 连接在电线和地之间的负载电容器（201），用于延迟驱动信号的传送时间; 以及并联连接到负载电容器的电流源（211），并且用于在施加到负载电容器的驱动信号值变化时不断维持施加到负载电容器的电流。电流源（211）是由施加的电压由电流输出控制的电压控制电流源。

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