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1. 发明授权

KR101285923B1 연마장치 및 연마장치의 드레싱기어 有权
标题翻译：研磨装置及其相关齿轮
公开(公告)号：KR101285923B1
公开(公告)日：2013-07-12
申请号：KR1020110143291
申请日：2011-12-27
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 장유신
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
摘要： 본 발명에 따른 드레싱 기어에는, 상기 연마장치의 기어에 치합되는 치차가 적어도 마련되는 지지체; 및 상기 지지체에 교체가능하게 결합되는 교체가능부재가 포함된다. 본 발명에 따르면 볼록하게 마모되는 연마장치의 상정반 및 하정반을 오목하게 가공할 수 있는 효과가 있다. 본 발명에 따르면 상정반 및 하정반의 변형에 대응하여 드레싱 기어 전체를 변경할 필요가 없이 교체가능부재만을 바꾸어 끼면 되는 효과가 있다.

2. 发明公开

KR1020100052831A 반도체 웨이퍼용 래핑 후 세정 방법 및 장치 无效
标题翻译：后切割清洗工艺和半导体滤波器的设备
公开(公告)号：KR1020100052831A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080111693
申请日：2008-11-11
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 장유신 , 남병욱
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67046 , B08B3/12 , H01L21/02052 , H01L21/67057
摘要： PURPOSE: A post-lapping cleaning method and an apparatus for cleaning a semiconductor wafer using the same are provided to automate a first cleaning process, a second process and a drying process by transferring a wafer. CONSTITUTION: A lapping process is performed for a semiconductor wafer. A first cleaning process for the wafer is performed in a cleaning bath in which deionized water-contained cleaning solution(t1). A second cleaning process for the wafer is performed with a roll brush and a two-fluid nozzle(t2). The wafer is dried(t3). The first cleaning process and the second cleaning process and the dry process are automatically performed by transferring the wafer.
摘要翻译：目的：提供一种后研磨方法和使用其的半导体晶片的清洗装置，用于通过转印晶片来自动化第一清洗处理，第二处理和干燥处理。构成：对半导体晶片进行研磨处理。在清洗浴中进行晶片的第一清洗处理，其中去离子水包含的清洁溶液（t1）。用辊刷和双流体喷嘴（t2）进行晶片的第二清洗处理。将晶片干燥（t3）。通过转移晶片来自动执行第一清洁处理和第二清洁处理以及干燥处理。

3. 发明授权

KR101151000B1 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 제조 방법 有权
标题翻译：抛光抛光装置
公开(公告)号：KR101151000B1
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020100132228
申请日：2010-12-22
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 장유신
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/04 , H01L21/02024
摘要： PURPOSE: A wafer polishing apparatus and a wafer manufacturing method using the same are provided to prevent environmental contamination and reduce manufacturing costs by manufacturing a wafer without slurry. CONSTITUTION: An upper plate(110) and a lower plate(120) are respectively formed into a disk plate shape. A pad(111,121) is respectively attached on the surfaces of the upper plate and the lower plate. A sun gear is combined with a central shaft(131) inserted into the upper plate in order to be able to rotate. An inner circumferential gear is arranged in order to convert the circumference of the lower plate. A wafer carrier(150) is located between the sun gear and the inner circumferential gear.
摘要翻译：目的：提供使用其的晶片抛光装置和晶片制造方法，以通过制造没有浆料的晶片来防止环境污染并降低制造成本。构成：上板（110）和下板（120）分别形成盘形。衬垫（111,121）分别安装在上板和下板的表面上。太阳齿轮与插入上板的中心轴（131）组合以便能够旋转。布置内周齿轮以便转换下板的圆周。晶片载体（150）位于太阳轮和内周齿轮之间。

4. 发明授权

KR101105698B1 슬러리 재생 장치 有权
标题翻译：回收浆料的设备
公开(公告)号：KR101105698B1
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：KR1020100033741
申请日：2010-04-13
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 남병욱 , 장유신
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/20
摘要： 본 발명은 웨이퍼 랩핑 장치의 슬러리의 재생에 관한 것이다.
본 발명은 랩핑 장치의 연직 하방에 구비되고, 에어(Air) 공급부를 포함하는 슬러리 수거부; 상기 슬러리 수거부와 연결되고, 상기 슬러리를 필터링하는 필터링부를 포함하는 슬러리 탱크; 및 상기 슬러리 수거부에서 필터링된 슬러리를 상기 랩핑 장치로 공급하는 순환 펌프를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 슬러리 재생 장치를 제공한다.
따라서, 폐슬러리를 용이하게 필터링부로 포집하고, 필터링부의 기계적, 전기적 작용 및 에지테이어의 작용에 의하여 폐슬러리 내의 정반이나 웨이퍼의 조각을 필터링하고, 랩핑 장치에서 슬러리를 재생하여 사용함으로써 슬러리의 추가 비용 및 폐슬러리의 처리 비용을 절감할 수 있다.

5. 发明公开

KR1020110073846A 래핑장치용 싱글 캐리어 및 이를 이용한 래핑 장치 无效
标题翻译：用于使用它的单个装置和使用装置的单载体
公开(公告)号：KR1020110073846A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：KR1020090130613
申请日：2009-12-24
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 장유신 , 남병욱
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/12
摘要： PURPOSE: A single carrier for a lapping device and the lapping device using the same are provided to prevent a plate from deflected due to stress concentration by improving the structure of a carrier interposed between top plate and a bottom plate. CONSTITUTION: In a single carrier for a lapping device and the lapping device using the same, a top plate and bottom plate performs lapping of a wafer. A circular plate(110) forms a carrier body. A power supply unit(120) receives an external driving force for the rotation of the carrier. A plurality of wafer mounting holes(130) are formed in the plate. At least one slurry hole(140) is formed in order to enhance mixing and exhaust efficiency of the slurry.
摘要翻译：目的：提供用于研磨装置的单个载体和使用其的研磨装置，以通过改善介于顶板和底板之间的载体的结构来防止板由于应力集中而偏转。构成：在用于研磨装置的单个载体和使用其的研磨装置中，顶板和底板执行研磨晶片。圆板（110）形成载体主体。电源单元（120）接收用于载体旋转的外部驱动力。在该板上形成多个晶片安装孔（130）。形成至少一个浆料孔（140）以增强浆料的混合和排出效率。

6. 发明公开

KR1020100068559A 래핑 캐리어 无效
标题翻译：快速携带
公开(公告)号：KR1020100068559A
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020080126957
申请日：2008-12-15
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 장유신
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： B24B37/28
摘要： PURPOSE: A lapping carrier is provided to reduce scratches and damages on a wafer in the case of the escape of the wafer by preventing the warpage of the lapping carrier. CONSTITUTION: A polarity of wafer maintaining holes(60) is placed between the upper plate and the lower plate of a double-sided lapping device. A slurry hole(70) is arranged in the central part of a lapping carrier(50). A wafer is inserted into and held in the disk-shaped body of the lapping carrier. Additional slurry holes are arranged in each interval between two neighboring wafer maintaining holes.
摘要翻译：目的：提供研磨载体，以通过防止研磨载体的翘曲而在晶片逸出的情况下减少晶片上的划痕和损伤。构成：晶片维持孔（60）的极性位于双面研磨装置的上板和下板之间。浆料孔（70）布置在研磨载体（50）的中心部分。将晶片插入并保持在研磨载体的盘形体中。在两个相邻的晶片维持孔之间的每个间隔中布置另外的浆料孔。

7. 发明授权

KR101296538B1 연마장치 및 연마장치의 제어장치 有权
标题翻译：研磨装置及其控制装置
公开(公告)号：KR101296538B1
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020120000817
申请日：2012-01-04
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 장유신
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 많은 수의 웨이퍼를 연마할 수 있고, 웨이퍼의 연마성능을 향상시킬 수 있고 연마장치를 보다 오랫동안 사용할 수 있고, 연마장치의 파손을 방지하기 위하여, 상정반 및 하정반; 상기 하정반의 안쪽과 바깥쪽에 마련되는 외주기어 및 내주기어; 및 상기 하정반에 지지되는 다수개의 캐리어가 포함되고, 상기 캐리어에는 각각 하나의 웨이퍼가 지지되는 연마장치가 개시된다.

8. 发明公开

KR1020130075087A 연마장치 및 연마장치의 드레싱기어 有权
标题翻译：研磨装置及其相关齿轮
公开(公告)号：KR1020130075087A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020110143291
申请日：2011-12-27
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 장유신
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/12
摘要： PURPOSE: A grinding apparatus and a dressing gear thereof are provided to easily improve the deformation of an upper and lower plate by selecting and operating an optimum dressing gear according to the deformation of the upper and lower plate. CONSTITUTION: A supporter (51) includes a frame (511) and a holding part (512). At least two holding parts are formed in the frame. A replaceable member (52) is detachably fixed to the supporter. The replaceable member includes a holding part (523) and a concave part (524).
摘要翻译：目的：提供磨削装置及其修整齿轮，通过根据上下板的变形选择和操作最佳的修整齿轮来容易地改善上板和下板的变形。构成：支撑件（51）包括框架（511）和保持部（512）。在框架中形成至少两个保持部件。可替换构件（52）可拆卸地固定到支撑件。可替换构件包括保持部（523）和凹部（524）。

9. 发明公开

KR1020110057533A 웨이퍼의 습식 처리 장치 无效
标题翻译：湿处理方法的设备
公开(公告)号：KR1020110057533A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090113977
申请日：2009-11-24
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 남병욱 , 장유신
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67086 , H01L21/67057 , H01L21/68714
摘要： PURPOSE: A wet treating device of a wafer is provided to obtain the wafer with uniform flatness and cleanness by uniformly supplying the chemical to form a laminar flow. CONSTITUTION: A processing bath receives a plurality of wafers(10). A wafer support rod(33) is arranged in the process bath and receives a plurality of wafers in parallel. An etching supply tube(50) supplies the chemical from the lower side of the wafer support rod. A chemical diffusion plate(40) includes a plurality of through holes through which the chemical passes through. The positions of the plurality of through holes formed on the chemical diffusion plate correspond to the receiving positions of the plurality of wafers on the wafer support rod.
摘要翻译：目的：提供晶片的湿处理装置，通过均匀地供应化学品以形成层流，获得具有均匀平坦度和清洁度的晶片。构成：处理槽容纳多个晶片（10）。晶片支撑杆（33）布置在处理槽中并且平行地容纳多个晶片。蚀刻供给管（50）从晶片支撑杆的下侧供给化学品。化学扩散板（40）包括多个通孔，化学品通过该通孔。形成在化学扩散板上的多个通孔的位置对应于晶片支撑杆上的多个晶片的接收位置。

10. 发明授权

KR101033060B1 알칼리 에칭방법 및 이를 이용한 웨이퍼 가공방법 有权
标题翻译： ALKALI蚀刻方法和使用该方法的制造方法
公开(公告)号：KR101033060B1
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：KR1020090006467
申请日：2009-01-28
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 남병욱 , 장유신
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 알칼리 에칭방법 및 이를 이용한 웨이퍼 가공방법이 개시된다. 본 발명에 따른 웨이퍼의 알칼리 에칭방법은 실리콘 웨이퍼를 알칼리 에칭액을 사용하여 식각하는 알칼리 에칭 방법에 있어서, 킬레이트제를 첨가하여 상기 에칭액속의 금속이온의 농도를 낮추어, 상기 웨이퍼와의 반응을 억제시키는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 초고순도 에칭액을 사용하지 않아도 사용하는 것과 같은 이득을 획득할 수 있으며, 알칼리 에칭액 중 금속이온을 킬레이트제로 제어하여 금속오염을 억제할 수 있고, 웨이퍼의 품질향상에 기여할 수 있으며, 결과적으로 생산단가를 절감할 수 있다.
알칼리 에칭법, 킬레이트제, 금속오염

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