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1. 发明授权

KR101229971B1 잉곳 절단 방법 失效
标题翻译：铸块切割方法
公开(公告)号：KR101229971B1
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020110011217
申请日：2011-02-08
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이경무 , 정환연 , 윤용균
IPC分类号： B28D5/04 , B24B27/06 , H01L21/304
摘要： 본 발명은 잉곳을 절단하여 낱장의 웨이퍼를 생산하기 위한 잉곳 절단 방법에 관한 것이다. 상기 잉곳 절단 방법은, 육면체 형상을 갖는 잉곳의 한 면을 부착대에 부착하는 단계; 이격된 다수의 와이어를 고속으로 진행시키는 단계; 상기 부착대에 부착된 잉곳을 상기 와이어를 향해 하강하는 단계; 다수의 이격된 와이어에 의해 상기 잉곳을 웨이퍼 형태로 절단하는 단계; 를 포함하고, 상기 잉곳은, 상기 부착대에 부착되는 부착면의 길이방향 길이가 상기 부착면과 마주보는 대향면의 길이방향 길이보다 짧도록 상기 부착대에 부착되는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 따르면, 잉곳 절단 공정 중 와이어가 단선되는 경우를 최소화할 수 있는 잉곳 절단 방법을 제공할 수 있다.

2. 发明公开

KR1020120090669A 잉곳 절단 방법 失效
标题翻译：切割的方法
公开(公告)号：KR1020120090669A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020110011217
申请日：2011-02-08
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이경무 , 정환연 , 윤용균
IPC分类号： B28D5/04 , B24B27/06 , H01L21/304
CPC分类号： B28D5/045 , B28D5/007
摘要： PURPOSE: An ingot cutting method is provided to attach an ingot to an attachment block and then cut the ingot, thereby minimizing the cut of a wire. CONSTITUTION: An ingot cutting method comprises the steps of: attaching one side of an ingot(20) having a hexahedral shape to an attachment block, transferring separated wires(10) at high speed, lowering the ingot attached to the attachment block to the wires, and cutting the ingot with the wires into wafers. When attaching the ingot to the attachment block, the length of an attachment side(21) of the ingot is shorter than the length of an opposed side(22) opposite to the attachment block.
摘要翻译：目的：提供一种铸锭切割方法，将锭子连接到附接块上，然后切割锭块，从而使钢丝切割最小化。构成：锭切割方法包括以下步骤：将具有六面体形状的锭（20）的一侧连接到附接块，高速传送分离的线（10），将附接到附接块的锭子下降到线，并将钢丝切割成晶圆。当将锭附接到附接块时，锭的附接侧（21）的长度短于与附接块相对的相对侧（22）的长度。

3. 发明公开

KR1020120094240A 잉곳 조립체 및 잉곳 절단 방법 无效
标题翻译：一个装配组件和一个插入方法
公开(公告)号：KR1020120094240A
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020110013611
申请日：2011-02-16
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이경무 , 정환연 , 윤용균
IPC分类号： B28D7/04 , B28D5/04
CPC分类号： B28D5/045 , B28D5/0082
摘要： PURPOSE: An ingot assembly and a method for cutting an ingot are provided to improve the thickness uniformity of a wafer by controlling the separation of a wire when an ingot body is cut by guiding of a cutting path. CONSTITUTION: An ingot assembly(101) comprises an ingot body(110), ingot units(208), a beam, and a work plate. The ingot units are formed into a line having the length longer than a width. The ingot unit comprises one or more guide beams(101,103) being arranged in one side of the ingot body. The other side of the ingot body is attached to the beam. The work plate supports the beam.
摘要翻译：目的：提供锭组件和切割锭的方法，以通过控制通过切割路径的引导切割锭体时控制线的分离来提高晶片的厚度均匀性。构成：铸锭组件（101）包括锭体（110），锭单元（208），梁和工作板。锭单元形成为长度大于宽度的线。锭单元包括一个或多个引导梁（101,103），其布置在锭体的一侧。铸锭体的另一面附着在梁上。工作板支撑梁。

4. 发明公开

KR1020100065562A 래핑 캐리어 无效
标题翻译：快速携带
公开(公告)号：KR1020100065562A
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020080123943
申请日：2008-12-08
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 윤용균
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B24B37/28 , B24B37/08
摘要： PURPOSE: A lapping carrier is provided to reduce the generation of a scratch by smoothly discharging sludge through a sludge hole. CONSTITUTION: A wafer maintaining hole(60) is supported between the upper plate and the lower plate of a wafer lapping apparatus. A plurality of wafer maintaining holes is formed on a disc shape body to the circumference direction of the body. A wafer is inserted into the wafer maintaining holes to be maintained. One or more sludge holes(70, 90) discharge the sludge of lap slurry. The thickness of the body is thinner than that of the wafer.
摘要翻译：目的：提供研磨载体，通过平滑地将污泥排出污泥孔，减少划痕的产生。构成：在晶片研磨装置的上板和下板之间支撑晶片维持孔（60）。多个晶片保持孔相对于本体的圆周方向形成在盘形体上。将晶片插入晶片保持孔中。一个或多个污泥孔（70,90）排出搭接浆料的污泥。身体的厚度比晶片的厚度薄。

5. 发明授权

KR101680216B1 뷰 포트 및 이를 포함하는 잉곳 성장 장치 有权
标题翻译：查看包含它的锅和锭生长装置
公开(公告)号：KR101680216B1
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020140195176
申请日：2014-12-31
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 윤용균
IPC分类号： C30B15/26 , C30B15/00 , C30B29/06
摘要： 실시예의뷰 포트및 이를포함하는잉곳성장장치는챔버내부와연결된홀을구비하는바디부; 바디부의홀에삽입되어챔버와밀봉상태를유지하고, 빛을투과시키는윈도우; 및상기바디부상에배치되는쿨링워터퍼지(cooling water purge); 를포함하여, 챔버로부터발생되어윈도우로향하는오염원을증착하여불순물에의한오염을최소화함으로써챔버내부에서진행되는잉곳성장공정의관찰및 성장하는잉곳의품질관리를용이하게할 수있다.
摘要翻译：本实施方式的观察口及具有该观察口的铸锭成长装置包括：具有与腔室内连通的孔的主体; 插入主体部分的孔中以保持与腔室的密封状态并透射光的窗口; 并且设置在主体部分上的冷却水净化器; 有可能观察在腔室内生长锭块的过程，并通过沉积从腔室产生并引导到窗口的污染物来最小化杂质的污染来管理生长锭块的质量。

6. 发明公开

KR1020160081399A 뷰 포트 및 이를 포함하는 잉곳 성장 장치 有权
标题翻译：查看港口和INGOT生长装置，包括它们
公开(公告)号：KR1020160081399A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140195176
申请日：2014-12-31
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 윤용균
IPC分类号： C30B15/26 , C30B15/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/00 , C30B29/06
摘要： 실시예의뷰 포트및 이를포함하는잉곳성장장치는챔버내부와연결된홀을구비하는바디부; 바디부의홀에삽입되어챔버와밀봉상태를유지하고, 빛을투과시키는윈도우; 및상기바디부상에배치되는쿨링워터퍼지(cooling water purge); 를포함하여, 챔버로부터발생되어윈도우로향하는오염원을증착하여불순물에의한오염을최소화함으로써챔버내부에서진행되는잉곳성장공정의관찰및 성장하는잉곳의품질관리를용이하게할 수있다.
摘要翻译：本发明涉及一种观察口和包括该视口的锭生长装置。根据示例性实施例，视口包括：身体单元，其具有连接到内腔的孔; 插入身体单元孔中的窗口，以保持与腔室的密封和透光; 以及设置在身体单元中的冷却水吹扫。锭生长装置具有以下效果：观察内室中的锭生长过程; 并且通过最小化由外部物质引起的污染，通过沉积从室产生的污染源并朝向窗口移动来促进对生长锭的质量的管理。

7. 发明授权

KR101443489B1 단결정 제조장비의 도펀트 주입장치 有权
标题翻译：单晶生产设备的供货商
公开(公告)号：KR101443489B1
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020130007291
申请日：2013-01-23
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 윤용균 , 이상준 , 김정열
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
摘要： 본 발명은 저융점의 도펀트가 액화 또는 기화되더라도 안정적으로 균일하게 실리콘 융액에 투입할 수 있는 단결정 제조장비의 도펀트 주입장치에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘 융액이 담겨진 도가니; 상기 실리콘 융액에 도핑될 도펀트가 올려지고, 액화된 도펀트가 흘러내리도록 안내하는 홀이 구비된 로더(Loader); 상기 로더를 수용하고, 상기 로더로부터 기화된 도펀트를 실리콘 융액으로 안내하는 커버(Cover); 및 상기 커버와 로더를 상기 도가니 측의 실리콘 융액에 근접하도록 승강시키는 승강부;를 포함하는 단결정 제조장비의 도펀트 주입장치를 제공한다.

8. 发明公开

KR1020140094803A 단결정 제조장비의 도펀트 주입장치 有权
标题翻译：单晶生产设备的供货商
公开(公告)号：KR1020140094803A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020130007291
申请日：2013-01-23
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 윤용균 , 이상준 , 김정열
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
摘要： The present invention relates to a dopant feeder for a single crystal manufacturing apparatus that can input a low-melting-point dopant into silicon melt stably and uniformly even if the low-melting-point dopant is liquefied or gasified. The present invention provides a dopant feeder for a single crystal manufacturing apparatus, comprising: a crucible for containing silicon melt; a loader having a dopant to be doped with the silicon melt mounted thereon and including holes for guiding the liquefied dopant to flow down; a cover for accommodating the loader and guiding the dopant gasified from the loader into the silicon melt; and an elevation part for elevating the cover and the loader to approach the silicon melt at the side of the crucible.
摘要翻译：本发明涉及一种即使低熔点掺杂剂液化或气化也能够稳定均匀地将低熔点掺杂剂输入到硅熔体的单晶制造装置中。本发明提供了一种用于单晶制造装置的掺杂剂进料器，包括：用于容纳硅熔体的坩埚; 一种装载器，其具有掺杂有安装在其上的硅熔体的掺杂剂，并且包括用于引导液化掺杂剂向下流动的孔; 用于容纳装载器并将从装载器气化的掺杂剂引导到硅熔体中的盖; 以及用于升高盖和装载机以在坩埚侧面接近硅熔体的高度部分。

9. 发明公开

KR1020090085330A 웨이퍼 산화막 형성장치 无效
标题翻译：氧气预处理设备
公开(公告)号：KR1020090085330A
公开(公告)日：2009-08-07
申请号：KR1020080011165
申请日：2008-02-04
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 윤용균 , 이영래 , 강희명
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/4587 , C23C16/46
摘要： An apparatus of oxygen precipitating for a wafer is provided to improve the quality of a wafer by forming a space between the wafer and an internal side of the slot wide and reducing a Quartz mark. In an apparatus of oxygen precipitating for a wafer, a tube(110) comprises a receiving part(112A). A boat(120) is formed in longitudinal direction of a task, and the boat comprises a plurality of slots in which wafer is inserted. A gas service pipe(130) is connected to a receiving part while supplying the gas to the receiving part. A heating element(140) is arranged in order to surround the boat. The heating element heats the wafer, and the width of the slot is more widely formed than the thickness of wafer with 200~250um.
摘要翻译：提供用于晶片的氧沉淀装置，以通过在晶片与槽宽的内侧之间形成空间并减少石英标记来提高晶片的质量。在用于晶片的氧沉淀装置中，管（110）包括接收部（112A）。在任务的纵向上形成船（120），并且船包括多个槽，其中插入有晶片。气体管道（130）在将气体供应到接收部件的同时连接到接收部件。布置加热元件（140）以围绕船。加热元件加热晶片，槽的宽度比200〜250um的晶圆厚度形成得更宽。

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