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1. 发明授权

KR102391127B1 단결정 실리콘으로 제조된 반도체 웨이퍼 및 이를 생성하기 위한 프로세스 有权
公开(公告)号：KR102391127B1
公开(公告)日：2022-04-27
申请号：KR1020207003356
申请日：2018-06-25
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/20 , C30B25/20 , C30B33/02 , H01L21/322
摘要： 반도체웨이퍼는새로운 ASTM에따라 4.9 x 1017 원자/cm3 이상및 6.5 x 1017 원자/cm3 이하의산소농도및 새로운 ASTM에따라 8 x 1012 원자/cm3 이상및 5 x 1013 원자/cm3 이하의질소농도를갖는단결정실리콘으로제조되며, 반도체웨이퍼의전면은실리콘으로제조된에피택셜층으로덮여있고, 반도체웨이퍼는 IR 단층촬영에의해결정된, 평균크기가 13 내지 35 nm이고평균밀도가 3 x 108 cm-3 이상및 4 x 109 cm-3 이하의, 팔면체형상의 BMD를포함한다.

2. 发明授权

KR102367644B1 단결정 인상장치 有权
公开(公告)号：KR102367644B1
公开(公告)日：2022-02-28
申请号：KR1020197011998
申请日：2017-09-19
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
摘要： 본발명은, 단결정인상장치로서, 도펀트공급수단은, 챔버의외부에마련되고, 도펀트를수납하고, 챔버내에투입하는투입장치와, 챔버의내부에마련되고, 투입장치로부터투입된도펀트를유지하여승화시키는승화실과, 이승화실에캐리어가스를도입하는캐리어가스도입장치와, 캐리어가스와함께, 승화실에서승화된도펀트를원료융액면에분사하는분사장치를구비하고, 분사장치는, 승화실과연결되는튜브와복수의분사구를구비하고, 원료융액면에승화된도펀트를, 튜브를개재하여복수의분사구로부터분산하여분사하는단결정인상장치를제공한다. 이에따라, 승화성도펀트를도프함에있어서, 도펀트를가능한한 단시간에효율좋게도프할수 있는단결정인상장치가제공된다.

3. 发明公开

KR20210033272A 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 실리콘카바이드 단결정 审中-公开
公开(公告)号：KR20210033272A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR20190114793
申请日：2019-09-18
IPC分类号： C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/36
摘要： 본발명의일 실시예에따른실리콘카바이드단결정의제조방법은 Si 및인화물을포함하는원료물질을가열하여실리콘계용융액을제공하는단계; 및종결정을상기실리콘계용융액과접촉시켜, 상기종결정상에실리콘카바이드단결정을성장시키는결정성장단계를포함하고, 상기인화물은 Fe 및 Cr 중적어도하나를포함한다.

4. 发明授权

KR102090084B1 반절연 탄화규소 단결정 잉곳을 성장시키는 방법 有权
公开(公告)号：KR102090084B1
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：KR1020180102806
申请日：2018-08-30
申请人： 에스케이씨 주식회사
发明人： 최정우 , 김정규 , 구갑렬 , 고상기 , 장병규
IPC分类号： C30B15/04 , C30B15/14 , C30B29/36 , C30B15/20

5. 发明授权

KR101953782B1 단결정 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101953782B1
公开(公告)日：2019-03-04
申请号：KR1020177020697
申请日：2015-04-08
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 나루시마야스히토 , 우토마사유키 , 쿠보타토시미치
IPC分类号： C30B15/04 , H01L21/02 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B25/02

6. 发明授权

KR101762220B1 실리콘 단결정의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101762220B1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020177005106
申请日：2015-08-27
申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마
发明人： 야스무라겐 , 다치바나쇼지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/22 , C30B29/06 , H01L31/028 , H01L31/1804
摘要： 탄소를함유시킴에의해, 결정결함을억제한실리콘단결정의제조방법에있어서, 탄소의실리콘융액에의혼합, 용해가용이한방법을개발하는것을목적으로한다. 본발명의실리콘단결정의제조방법은, 도가니에수용된실리콘융액으로부터실리콘단결정을인상(引上)하면서성장시키는실리콘단결정체의제조방법에있어서, 당해실리콘원료의적어도일부로서, 지멘스법에의해제조된다결정실리콘로드에있어서의, 로드말단에위치하는카본제심선(芯線) 유지부재와의접촉근방부의파쇄물을사용한다.

7. 发明公开

KR1020170046135A 저항률 제어방법 및 n형 실리콘 단결정 审中-实审
标题翻译：电阻率控制方法和n型硅单晶
公开(公告)号：KR1020170046135A
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020177005206
申请日：2015-08-14
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 호시,료지 , 카마다,히로유키 , 타카노,키요타카
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , H01L29/167 , H01L29/7393
摘要： 본발명은, CZ법에의해실리콘단결정을육성할때에, 육성되는실리콘단결정의저항률을도펀트에의해제어하는방법으로서, 상기실리콘단결정이소정의도전형을갖도록주도펀트를초기도핑하는공정과, 상기실리콘단결정을육성하면서, (결정화한중량)/(초기실리콘원료의중량)으로표시되는고화율에따라, 상기주도펀트와반대의도전형을갖는부도펀트를, 연속적또는단속적으로추가도프하는공정을가지며, 상기추가도프하는공정에있어서, 상기고화율이소정값α 이상일때에상기부도펀트를추가도프하고, 상기고화율이상기소정값α가되기전에는상기부도펀트를도프하지않는것을특징으로하는저항률제어방법이다. 이에따라, 실리콘단결정육성중에유전위화가발생하여도수율의저하를억제할수 있으며, 또한, 실리콘단결정의저항률을정도좋게제어할수 있는저항률제어방법이제공된다.
摘要翻译：本发明中，通过CZ法生长硅单晶时上，由所述硅单晶的电阻率控制，生长掺杂剂的方法，掺杂有主掺杂剂的最初的步骤，以具有硅单晶yisojeong的典型视图，在子的掺杂剂，具有的传导取决于高在相反主掺杂物和生长单晶硅，由下式表示（按重量计结晶）/（重量初始硅原料）比，连续地或间歇地添加到涂料的工序，所述其中，当凝固速率等于或大于预定值α时，添加剂掺杂步骤进一步掺杂添加剂，并且在达到凝固速率相位设定值α之前不掺杂添加剂一。因此，可以提供即使在硅单晶生长期间出现电介质污染时也能够抑制产率降低并且高度控制硅单晶的电阻率的电阻率控制方法。

8. 发明公开

KR1020170038017A 질소 도핑 및 공공 지배 실리콘 잉곳 및 그로부터 형성된, 반경방향으로 균일하게 분포된 산소 석출 밀도 및 크기를 갖는 열 처리 웨이퍼 审中-实审
标题翻译：氮掺杂并且公开控制的硅锭和具有径向均匀分布的氧沉淀密度和尺寸的热处理晶片
公开(公告)号：KR1020170038017A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020177005228
申请日：2015-07-29
申请人： 썬에디슨 세미컨덕터 리미티드
发明人： 사만타,가우라브 , 루,체-웨이 , 차이,펑-치엔 , 루,정
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/02 , H01L21/02 , H01L29/167
CPC分类号： C30B33/02 , C30B15/203 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/167 , H01L29/32
摘要： 반경방향으로실질적으로균일하게분포된산소석출물밀도및 크기를가지며유의한에지효과의결여를나타내는후속에피택셜열 처리웨이퍼를제공하는, 질소-도핑 CZ 실리콘결정잉곳및 그로부터슬라이싱된웨이퍼가개시되어있다. 용융된실리콘으로부터의인상속도, 온도구배및 질소농도를제어함으로써이러한 CZ 실리콘결정잉곳을제조하는방법이또한제공된다. 질소-도핑 CZ 실리콘결정으로부터슬라이싱된후속에피택셜열 처리웨이퍼의반경방향벌크미세결함크기분포, 반경방향벌크미세결함밀도분포및 산소석출밀도분포를시뮬레이션하는방법이또한제공된다.
摘要翻译：具有大致氧析出物的密度和大小，均匀地分布在半径方向上的氮以提供随后的外延syeolyeol处理后的晶片示出了缺少的显著边缘效应 - 掺杂的CZ硅晶锭，并从切片晶片中公开。本发明还提供一种用于生产通过控制提拉速度，温度梯度，并且从熔融硅中的氮浓度，例如CZ硅晶体锭料的方法。用于模拟从硅晶体切片随后的外延处理syeolyeol晶片径向整体微缺陷尺寸分布的氮掺杂的CZ法中，径向整体微缺陷密度分布和氧沉淀物密度分布也被提供。

9. 发明授权

KR101722030B1 잉곳 성장기용 리차저 有权
标题翻译：钢锭生长机的充电器
公开(公告)号：KR101722030B1
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150075970
申请日：2015-05-29
申请人： 주식회사 대진기계
发明人： 배민욱
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
摘要： 본발명은잉곳성장기용리차저에관한것으로, 본발명에따른잉곳성장기용리차저(1000)는이동수단이구비되어이동가능한이동부(200), 이동부(200)로부터상측으로연장되고, 이동부(200)에대해서회동가능한지지부(300), 지지부(300)에지지되고, 원료가저장된충진탱크(400), 충진탱크(400)의내부에서일방향을따라연장되고, 일단에충진탱크(400)의내부와소통하는유입홀(510)이형성된공급관(500), 공급관(500)의내부에서공급관(500)의길이방향을따라연장되고, 중심축(610)과중심축(610)의외주면을따라나선형으로연장된나선부(620)를포함하며, 회전하면서유입홀(510)로유입된원료를공급관(500)의일단에서타단으로이송하는이송장치(600), 및공급관(500)의타단과연결되어이송장치(600)로이송한원료를전달받아, 잉곳성장기(100)에원료를공급하는피딩튜브(700, feeding tube)를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及铸锭生长单元洗提充电器，根据本发明的铸锭生长单元洗提充电器1000包括具有移动装置的移动部件200，从移动部件200向上延伸的可移动部件200，转弯可能部分300，支撑部分300不是边缘，所述材料储存蓄水箱400，填充罐（400）沿着从内侧，填充罐（的400至一端）相对于200）的一个方向延伸供给管500的流入孔510的可释放的供给线500，用于传送的内部uigil的供给管500的内部沿着中心轴线610重心轴610奇怪主表面的螺旋状的方向延伸通过包括细长螺旋部分而连接所述原料流入入口孔510，用于从供给管500的一端传送到另一端的传送装置600，和一个供给管500 uita端620被转动以及供给管700，其接收转移到转移装置600的原料并将原料供应到锭生长装置100。

10. 发明公开

KR1020150103177A 단결정 반도체 재료의 제어된 도핑을 위한 액체 도핑 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：液晶显示系统和单晶半导体材料的控制方法
公开(公告)号：KR1020150103177A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：KR1020157020544
申请日：2013-12-31
申请人： 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼스 쏘시에떼 퍼 아찌오니
发明人： 하린게르,스테판 , 기안나타시오,아르만도 , 스칼라,로베르토 , 보난노,루이기 , 모세르,발렌티노
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06 , H01L21/22 , H01L21/02
CPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06 , Y10T117/1056
摘要： 반도체 또는 태양전지-급 재료의 용융액에 액체 도펀트를 도입하기 위한 도핑 시스템은 도펀트를 보유하기 위한 도펀트 저장소 및 공급 튜브를 포함한다. 도펀트 저장소는 몸체, 및 몸체의 단면적보다 더 작은 단면적을 갖는 개구부를 정의하는 테이퍼 단부를 포함한다. 공급 튜브는 저장소의 개구부로부터 연장되는 제1 단부, 제1 단부로부터 먼 제2 단부, 공급 튜브의 제2 단부에 배치된 각진 팁, 공급튜브를 통한 고체 도펀트의 통과를 억제하기 위한 제1 제한부, 및 공급 튜브의 제2 단부 근방에 배치된, 액체 도펀트의 흐름을 제어하기 위한 제2 제한부를 포함한다.

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