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1. 发明授权

KR100911598B1 버블 발생유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 에칭 장치 有权
标题翻译：气泡发生单元和包括其的基板蚀刻装置
公开(公告)号：KR100911598B1
公开(公告)日：2009-08-07
申请号：KR1020080002673
申请日：2008-01-09
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 강희명
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/304
摘要： 평탄도 개선을 위한 버블 발생유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 에칭 장치가 개시된다. 본 발명의 웨이퍼 에칭 장치는 웨이퍼를 에칭하기 위한 에칭액을 저장하는 베스(Bath), 베스의 내부공간에 위치하되 파이프 형태로 형성되고 에칭액에 버블을 생성하기 위한 기체를 제공하는 버블파이프(Bubble pipe), 베스의 외측에 위치하여 버블파이프와 연결되는 파이프홀더(Pipe holder), 파이프홀더와 결합하되 외면으로 나사산이 형성된 스크류 샤프트(Screw shaft) 및 스크류 샤프트의 일측에 결합되고 회전에 의해 파이프홀더를 스크류 샤프트를 따라 전진 또는 후진시키는 볼륨 다이얼(Volume dial)를 포함한다. 따라서, 최적의 위치로 버블파이프를 위치시킬 수 있어 웨이퍼의 모든 면을 향해 버블을 균일하게 공급할 수 있고, 웨이퍼의 모든 면이 균일하게 식각되게 할 수 있으며, 안전한 작업환경을 구축할 수 있다.
웨이퍼, 에칭, 베스, 파이프, 스크류, 다이얼

2. 发明公开

KR1020090085330A 웨이퍼 산화막 형성장치 无效
标题翻译：氧气预处理设备
公开(公告)号：KR1020090085330A
公开(公告)日：2009-08-07
申请号：KR1020080011165
申请日：2008-02-04
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 윤용균 , 이영래 , 강희명
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/4587 , C23C16/46
摘要： An apparatus of oxygen precipitating for a wafer is provided to improve the quality of a wafer by forming a space between the wafer and an internal side of the slot wide and reducing a Quartz mark. In an apparatus of oxygen precipitating for a wafer, a tube(110) comprises a receiving part(112A). A boat(120) is formed in longitudinal direction of a task, and the boat comprises a plurality of slots in which wafer is inserted. A gas service pipe(130) is connected to a receiving part while supplying the gas to the receiving part. A heating element(140) is arranged in order to surround the boat. The heating element heats the wafer, and the width of the slot is more widely formed than the thickness of wafer with 200~250um.
摘要翻译：提供用于晶片的氧沉淀装置，以通过在晶片与槽宽的内侧之间形成空间并减少石英标记来提高晶片的质量。在用于晶片的氧沉淀装置中，管（110）包括接收部（112A）。在任务的纵向上形成船（120），并且船包括多个槽，其中插入有晶片。气体管道（130）在将气体供应到接收部件的同时连接到接收部件。布置加热元件（140）以围绕船。加热元件加热晶片，槽的宽度比200〜250um的晶圆厚度形成得更宽。

3. 发明公开

KR1020090076623A 버블 발생유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 에칭 장치 有权
标题翻译：泡沫发生单元和基板蚀刻装置，包括它们
公开(公告)号：KR1020090076623A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002673
申请日：2008-01-09
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 강희명
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67075 , H01L21/67086
摘要： A bubble generation unit and an apparatus for etching wafer including the same are provided, which can improve the plane of wafer by precisely controlling the originating site of the bubble. The bubble generation unit unites with the bath(110) and generates the bubble. Bath stores the etchant for etching wafer. The bubble pipe(120) is positioned in the internal space of bath and provides the gas for producing the bubble to etchant. The pipe holder(130) is positioned in the outer side of bath and is connected to the bubble pipe. The screw shaft unites with the pipe holder and forms the screw thread at the outside. The volume dial is combined with one side of the screw shaft. The volume dial moves the pipe holder forward and backward along the screw shaft.
摘要翻译：提供了一种气泡生成单元和用于蚀刻包括该气泡的晶片的设备，其可以通过精确地控制气泡的起始位置来改善晶片的平面。气泡生成单元与浴（110）结合并产生气泡。 Bath存储刻蚀晶片的蚀刻剂。气泡管（120）位于浴室的内部空间中，并提供用于产生气泡的气体到蚀刻剂。管支架（130）位于浴的外侧，并连接到气泡管。螺杆轴与管座结合在一起，并在外部形成螺纹。音量表与螺杆轴的一侧相结合。音量刻度盘沿着螺丝轴向前和向后移动管支架。

4. 发明公开

KR1020030056658A 실리콘 웨이퍼 제조 방법 有权
标题翻译：制造硅波的方法
公开(公告)号：KR1020030056658A
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020010086932
申请日：2001-12-28
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 강희명
IPC分类号： H01L21/302
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a silicon wafer is provided to be capable of flatly forming the wafer by polishing the center portion more deeply than the edge portion of the wafer using a hexagonal panel-type polishing powder when lapping the wafer before the following polishing process. CONSTITUTION: A slicing process is carried out at a silicon ingot for forming a wafer(S101). A lapping process is carried out for polishing both sides of the wafer using a polishing solution mixed with a hexagonal panel-type polishing power(S102). Then, a damaged layer generated in the wafer, is removed by carrying out an etching process(S103). A polishing process is carried out on the surface of the wafer(S104). Then, a cleaning process is carried out at the resultant structure(S105).
摘要翻译：目的：提供一种制造硅晶片的方法，以便能够在随后的抛光工艺之前研磨晶片时，使用六边形面板型抛光粉末来研磨比晶片的边缘部分更深的中心部分来平坦地形成晶片。构成：在用于形成晶片的硅锭中进行切片处理（S101）。使用与六边形面板型研磨用电力混合的研磨液，对晶片的两面进行研磨，进行研磨处理（S102）。然后，通过进行蚀刻处理去除在晶片中产生的损伤层（S103）。在晶片的表面进行研磨处理（S104）。然后，在所得到的结构中进行清洁处理（S105）。

5. 发明公开

KR1020090070302A 휠 링이 교체가능한 웨이퍼 에지 연삭 휠 无效
标题翻译：带可更换轮圈的波浪磨边轮
公开(公告)号：KR1020090070302A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070138264
申请日：2007-12-27
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 최창석 , 이영래 , 강희명
IPC分类号： B24B9/06 , B24D5/00
CPC分类号： B24B9/065
摘要： A wafer edge grinding wheel with a replaceable wheel ring is provided to replace only the worn wheel ring, not the wheel body, by detachably fitting the wheel ring to the wheel body. A wafer edge grinding wheel(100) with a replaceable wheel ring comprises a wheel body(110), a sintered wheel ring(120) which has a plurality of grooves on the outer circumference and is detachably inserted to surround the circumference of the wheel body, and a cover unit(130) combined to the top and bottom of the wheel body.
摘要翻译：提供具有可更换轮环的晶片边缘砂轮，以通过将轮环可拆卸地装配到轮体而仅替换磨损的轮环而不是轮体。具有可替换的轮环的晶片边缘砂轮（100）包括轮体（110），烧结轮环（120），其在外圆周上具有多个凹槽，并且可拆卸地插入以围绕轮体的周边，以及组合到车轮主体的顶部和底部的盖单元（130）。

6. 发明公开

KR1020050051296A 나노토포그라피를 향상시키는 웨이퍼 제조방법 无效
标题翻译：用于加强纳米光刻的波形制造方法
公开(公告)号：KR1020050051296A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：KR1020030085063
申请日：2003-11-27
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 강희명
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 본 발명은 나노토포그라피를 향상시키는 웨이퍼 제조방법에 대한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 제조방법에서 에칭과정은, 웨이퍼의 나노토포그라피 향상을 위한 에칭과정으로, 상기 웨이퍼를 염기성 용액에 담구어 에칭하는 알칼리에칭단계와; 상기 알칼리에칭단계를 거친 웨이퍼를 산성 용액에 담구어 에칭하는 액시드에칭단계와; 상기 액시드에칭단계를 거친 웨이퍼를 세정액에 담구어 세정하는 세정단계를 포함하여 구성되는 에칭과정을 거치는 것을 특징으로 한다.

7. 发明授权

KR100938115B1 노치가 있는 웨이퍼를 진공 흡착하는 척 有权
标题翻译：具有凹口的晶片真空吸盘
公开(公告)号：KR100938115B1
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：KR1020080002922
申请日：2008-01-10
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이형호 , 이영래 , 강희명
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 본 발명은 노치가 있는 웨이퍼를 진공 흡착하는 척에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 척은, 웨이퍼를 흡착하여 고정시키는 웨이퍼 척으로서, 노치가 형성된 웨이퍼를 흡착하는 진공 척; 및 상기 웨이퍼를 흡착하는 진공 척의 가장자리를 따라 부착된 오링;을 구비하고, 상기 오링은 웨이퍼 노치부분을 커버할 수 있도록 노치의 곡률반경 또는 노치의 깊이 보다 큰 폭으로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 웨이퍼의 노치에 따른 웨이퍼의 정렬공정 없이 웨이퍼를 흡착 고정할 수 있다.
웨이퍼, 척, 노치, 오링

8. 发明公开

KR1020030047493A 반도체 실리콘 웨이퍼의 세정방법 无效
标题翻译：清洗半导体硅氧烷膜的方法
公开(公告)号：KR1020030047493A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：KR1020010078022
申请日：2001-12-11
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 지동욱 , 강희명
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PURPOSE: A method for cleaning a semiconductor silicone wafer is provided to be capable of removing the chuck mark of the wafer caused by a grinding process. CONSTITUTION: An impurity removing process is carried out at a silicone wafer completed with a grinding process(S1). At this time, the silicone wafer is cleaned by removing the impurities of the silicone wafer using a basic cleaning solution for 5 minutes, wherein the impurities are caused by the grinding process. The basic cleaning solution remaining on the surface of the silicone wafer, is removed by carrying out the first rinsing process using deionized water(S2). A chuck mark removing process is then carried out at the silicone wafer(S3). At this time, the chuck mark of the silicone wafer is removed by cleaning the silicone wafer using potassium hydroxide cleaning solution for 3 minutes. The potassium hydroxide cleaning solution remaining on the surface of the silicone wafer, is removed by carrying out the second rinsing process using the deionized water(S4).
摘要翻译：目的：提供一种用于清洁半导体硅胶晶片的方法，以能够去除由研磨过程引起的晶片的卡盘标记。构成：在用研磨工艺完成的硅胶晶片上进行杂质去除工艺（S1）。此时，通过使用碱性清洗溶液除去硅树脂晶片的杂质5分钟来清洁硅晶片，其中杂质由研磨过程引起。通过使用去离子水（S2）进行第一冲洗处理，残留在硅树脂晶片的表面上的基本清洁溶液被除去。然后在硅胶晶片上进行卡盘标记去除工艺（S3）。此时，通过使用氢氧化钾清洗溶液清洗硅胶晶片3分钟来除去硅胶晶片的卡盘标记。通过使用去离子水进行第二冲洗处理，去除残留在硅胶片表面上的氢氧化钾清洗液（S4）。

9. 发明授权

KR100942144B1 더블 쏘우 와이어 잉곳 절단장치 失效
标题翻译：使用双电源线切割插座的设备
公开(公告)号：KR100942144B1
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：KR1020070129165
申请日：2007-12-12
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김성호 , 이영래 , 강희명
IPC分类号： B28D5/04 , H01L21/304 , B28D5/00
摘要： 본 발명은 더블 쏘우 와이어 잉곳 절단장치를 개시한다. 본 발명에 따른 더블 쏘우 와이어 잉곳 절단장치는, 잉곳을 절단하는 쏘우 와이어; 상부와 하부에 2개의 절단 구간을 제공하도록 상기 쏘우 와이어를 감아서 폐루프로 회전시키는 복수의 와이어롤러; 및 제1 잉곳이 장착된 상부테이블이 설치된 상부유닛과, 제2 잉곳이 장착된 하부테이블이 설치된 하부유닛, 및 상기 하부유닛을 기준으로 상부유닛이 상하 직선 이동이 가능하도록 상기 상부 유닛과 하부 유닛을 상호 결합시키는 직선 이동 가이더를 구비하고, 상기 제1 및 제2 잉곳을 각각 상기 상부 절단 구간 및 하부 절단 구간으로 동시에 이동시키는 잉곳 이동유닛을 포함한다.
본 발명에 따르면, 메인 롤러의 그루브를 재형성한 후 수행하는 갭(Gap) 조정 작업 시 스페이서를 사용하지 않고 조정을 용이하게 수행할 수 있다. 따라서, 작업자가 무거운 잉곳 이동유닛을 취급할 필요가 없고, 갭 조정 작업에 소요되는 시간 또한 현저히 단축시킬 수 있다.
잉곳, 쏘우 와이어, 잉곳 절단장치, 웨이퍼

10. 发明公开

KR1020090077141A 노치가 있는 웨이퍼를 진공 흡착하는 척 有权
标题翻译：真空卡盘
公开(公告)号：KR1020090077141A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：KR1020080002922
申请日：2008-01-10
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이형호 , 이영래 , 강희명
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6838 , H01L21/68757
摘要： A vacuum chuck for wafer is provided, which can simplify equipment by making the centering unit settling and rotating the sensor and wafer unnecessary. The wafer chuck adsorbing and fixing wafer comprise vacuum chuck(110) and O-rings(120,120a,120b). The vacuum chuck adsorbs wafer in which notch is formed. The O-ring is adhered along the edge of the vacuum chuck adsorbing wafer. The O-ring is formed in a width larger than the depth or the radius of curvature of notch in order to cover the wafer notch part. The vacuum chuck is formed to have the diameter bigger than the diameter of wafer. The vacuum chuck is made of the PVC material. The O-ring is made of the viton material.
摘要翻译：提供了用于晶片的真空吸盘，其可以通过使定心单元沉降和旋转传感器和晶片而不必要地简化设备。晶片卡盘吸附固定晶片包括真空卡盘（110）和O形环（120,120a，120b）。真空吸盘吸附形成有凹口的晶片。 O形环沿着真空吸盘吸附晶片的边缘粘附。为了覆盖晶片切口部分，O形环形成为比凹口的深度或曲率半径大的宽度。真空吸盘形成为具有大于晶片直径的直径。真空吸盘由PVC材料制成。 O形圈由维生素材料制成。

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