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1. 发明授权

KR101962174B1 웨이퍼 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101962174B1
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：KR1020160102269
申请日：2016-08-11
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김인겸 , 김재선 , 류경민 , 장규일
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/304 , H01L21/306

2. 发明授权

KR101487407B1 서셉터 처리 장치 및 방법 有权
标题翻译：感受器的处理装置和方法
公开(公告)号：KR101487407B1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：KR1020130004762
申请日：2013-01-16
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김재선
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683
摘要： 실시예는 서셉터를 하우징 내부에 배치하는 단계; 상기 하우징 내부를 800℃ 내지 1200℃의 온도로 가열하는 단계; 상기 하우징 내부를 감압하는 단계; 상기 하우징 내부에 불활성 기체를 공급하는 단계; 및 상기 하우징 내에서 상기 서셉터를 베이킹하여 상기 서셉터로부터 불순물을 확산시키는 단계를 포함하는 서셉터의 처리 방법을 제공한다.

3. 发明授权

KR101022567B1 에피택셜 웨이퍼 제조 방법 有权
标题翻译：制造外延片的方法
公开(公告)号：KR101022567B1
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020090007998
申请日：2009-02-02
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김재선 , 심정진
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 에피택셜 웨이퍼 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 방법은, 확산로를 이용하는 LPCVD 공정으로 실리콘 웨이퍼의 전면 및 후면에 동시에 오토도핑 방지용 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 웨이퍼 후면의 에지부 및 웨이퍼 전면에 형성된 실리콘 산화막을 동시에 에칭하여 제거하는 단계; 및 실리콘 산화막이 제거된 웨이퍼 전면에 실리콘 에피택셜 층을 성장시키는 단계;를 포함한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 후면에 오토도핑 방지용 실리콘 산화막을 형성하는 과정에서 트레이로 인하여 웨이퍼의 전면이 손상되는 것을 방지하고, 웨이퍼의 평탄도를 향상시킬 수 있다.
에피택셜 웨이퍼, 오토도핑, LPCVD, 산화막, 에칭

4. 发明授权

KR100999361B1 웨이퍼 제조 방법 有权
标题翻译：制造晶圆的方法
公开(公告)号：KR100999361B1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：KR1020080076094
申请日：2008-08-04
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김재선 , 이창훈 , 김현우
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 본 발명은 에지 프로파일(edge profile)이 웨이퍼 전체 둘레에 걸쳐 실질적으로 일정한 웨이퍼 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 웨이퍼 제조 방법에서는 웨이퍼 에지 그라인딩(grinding)을 1차, 2차로 나누어 진행한다. 1차 에지 그라인딩은 래핑(lapping) 전에 실시하며, 2차 에지 그라인딩은 래핑 후 코스틱 에칭(caustic etching)까지 진행한 다음에 실시한다. 1차 에지 그라인딩에서는 목표 프로파일에 대응하는 프로파일을 생성하며, 2차 에지 그라인딩에서는 코스틱 에칭으로 유발된 웨이퍼 둘레 상의 프로파일 변경점을 제거하여 목표 프로파일을 얻는다. 이와 같이 본 발명은, 최종 제품에 에지 치수 변화가 발생하는 것을 억제하기 위하여 에지 그라인딩 공정을 두 번으로 나누어 진행하는 것이며, 특히 결정학적 차이에 따라 발생하는 웨이퍼 지점별 BC 값의 변동을 제거하기 위하여 두 번째의 에지 그라인딩 공정은 그러한 BC 값의 변동을 가져오는 코스틱 에칭 다음에 실시함에 특징이 있다.

5. 发明授权

KR100920885B1 에픽텍셜 웨이퍼의 제작 방법 有权
标题翻译：外延波的制造方法
公开(公告)号：KR100920885B1
公开(公告)日：2009-10-09
申请号：KR1020070098331
申请日：2007-09-28
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김재선 , 서상훈 , 지은상 , 이창훈
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 에픽텍셜 웨이퍼의 제작 방법이 개시된다. 에픽텍셜 성장 전에 폴리싱 과정을 생략하며, 에픽텍셜 성장 후에 폴리싱 공정을 추가하거나, 에픽텍셜 성장 과정 전후에 각각 폴리싱 공정을 추가한다. 이에 따라, 평탄도가 우수하고 파티클이 미미하여 고품질의 웨이퍼를 생산할 수 있을 뿐만 아니라, 에픽텍셜 성장 과정에서 평탄도가 악화되는 문제를 해결하며, 에픽텍셜 성장에서 가스 흐름(gas flow)에 의한 파티클의 혼입 현상과 성장 전에 잔존된 물질에 의하여 성장 후에 결정기인성 결점을 완화 또는 제거할 수 있으며, 고품질의 웨이퍼를 제공할 수 있다.
에픽텍셜 웨이퍼, 폴리싱, 성장, 평탄도

6. 发明公开

KR1020070066329A 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법 有权
标题翻译：外延波形及其制作方法
公开(公告)号：KR1020070066329A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020050127359
申请日：2005-12-21
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 구영수 , 김재선
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/02274
摘要： An epitaxial wafer and a method for manufacturing the same are provided to solve wafer warpage and epitaxial haze due to an auto-doping phenomenon by using a double layered backside seal layer. A plasma enhanced chemical vapor deposition(CVD) scheme is used to form a double layered backside seal layer for anti-auto-doping onto a rear surface of an epitaxial wafer(1). The double layered backside seal layer includes a first SiO2 layer(3) and a second SiO2 layer(4) whose refractive indexes are different from each other. The first SiO2 layer is in contact with the rear surface of the epitaxial layer while the second SiO2 layer is in contact with the first SiO2 layer. The refractive index of the first SiO2 layer is larger than that of the second SiO2 layer.
摘要翻译：提供外延晶片及其制造方法，以通过使用双层背面密封层来解决由于自掺杂现象引起的晶片翘曲和外延雾。使用等离子体增强化学气相沉积（CVD）方案来形成用于在外延晶片（1）的后表面上进行反自动掺杂的双层背面密封层。双层背面密封层包括折射率彼此不同的第一SiO 2层（3）和第二SiO 2层（4）。第一SiO 2层与外延层的后表面接触，而第二SiO 2层与第一SiO 2层接触。第一SiO 2层的折射率大于第二SiO 2层的折射率。

7. 发明授权

KR101862158B1 에피텍셜 웨이퍼의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101862158B1
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：KR1020170017392
申请日：2017-02-08
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김재선
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/66 , H01L21/02 , H01L21/673
CPC分类号： H01L21/02293 , H01L21/2018 , H01L21/67346 , H01L22/12
摘要： 실시예는기재기판의 ESFQD를획득하는단계, 상기획득된 ESFQD에기초하여, 상기기재기판의 ESFQD 평균을산출하는단계, 산출된 ESFQD 평균에기초하여, 상기기재기판의형상을분류하는단계, 및상기분류된기재기판의형상에대응하여상기분류된기재기판에성장시킬에피텍셜층에대한델타 ESFQD 평균을설정하는단계를포함하고, 상기델타 ESFQD 평균은상기성장시킬에피텍셜층의 ESFQD 평균에서상기획득된기재기판의 ESFQD 평균을뺀 값이다.

8. 发明公开

KR1020130069935A 웨이퍼 제조 방법 审中-实审
标题翻译：波形制作方法
公开(公告)号：KR1020130069935A
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：KR1020110136993
申请日：2011-12-19
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이동규 , 김재선
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3221 , H01L21/02002 , H01L21/324
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing wafer is provided to effectively control impurity by preventing diffusion of impurity existing in a wafer to a wafer before thermal processing. CONSTITUTION: A wafer is cleaned(S110). The wafer is loaded to a thermal processing apparatus(S120). The wafer is first thermal processed at first temperature(S130). The wafer is etched(S140). The wafer is second thermal processed at second temperature(S150). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Finish; (S110) Wafer is cleaned; (S120) Thermal processing apparatus; (S130) Wafer is first processed at first temperature; (S140) Wafer is etched; (S150) Wafer is second thermal processed at second temperature
摘要翻译：目的：提供一种制造晶片的方法，以通过在热处理之前防止在晶片中存在的杂质扩散到晶片来有效地控制杂质。构成：清洁晶片（S110）。将晶片装载到热处理装置（S120）。首先在第一温度下对晶片进行热处理（S130）。蚀刻晶片（S140）。晶片在第二温度下进行第二次热处理（S150）。（附图标记）（AA）开始; （BB）完成; （S110）清洁晶片; （S120）热处理装置; （S130）晶片首先在第一温度下进行处理; （S140）晶片被蚀刻; （S150）晶片在第二温度下进行第二次热处理

9. 发明公开

KR1020080063045A 에픽텍셜 웨이퍼의 제작 방법 有权
标题翻译：外延波的制造方法
公开(公告)号：KR1020080063045A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020070098331
申请日：2007-09-28
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김재선 , 서상훈 , 지은상 , 이창훈
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02024 , H01L21/02043 , H01L21/02658
摘要： A method for manufacturing an epitaxial wafer is provided to prevent the mixing of particles due to a gas flow during an epitaxial growing process by adding a polishing process before and after the epitaxial growing process. An ingot is sliced by a preset thickness to form a wafer and the sliced ingot is shaped to form a flatness(S11). A polishing process is performed on both sides of the wafer to determine the flatness and shape of the wafer(S12). An epitaxial growing process is performed on a surface of the wafer(S13). The surface of the wafer is finally polished(S14). The surface of the wafer is cleaned with SC1 and SC2. The final polishing of the wafer is performed to remove a thickness of 0.1 to 0.4 mum. A first polishing process for polishing the surface of the wafer is performed before the epitaxial growing process is performed.
摘要翻译：提供一种制造外延晶片的方法，以通过在外延生长工艺之前和之后添加抛光工艺来防止在外延生长过程中由于气流而引起的颗粒混合。将铸锭切成预定厚度以形成晶片，并将切片铸锭形成平坦度（S11）。在晶片的两侧进行抛光处理以确定晶片的平坦度和形状（S12）。在晶片的表面上进行外延生长处理（S13）。最后抛光晶片的表面（S14）。用SC1和SC2清洁晶片的表面。进行晶片的最终抛光以去除0.1至0.4μm的厚度。在进行外延生长处理之前进行用于抛光晶片表面的第一抛光工艺。

10. 发明授权

KR100839657B1 에피텍셜 웨이퍼의 제작 방법 有权
标题翻译：外延波的制造方法
公开(公告)号：KR100839657B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060136730
申请日：2006-12-28
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김재선 , 지은상
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02019 , H01L21/02013
摘要： A method for manufacturing an epitaxial wafer is provided to minimize damages to a surface of the wafer without leaving residual particles, through chemical etching process and double side grinding process using a wheel of mesh number 8000 or more. A method for manufacturing an epitaxial wafer comprises the steps of: slicing an ingot by a predetermined thickness for preparing a wafer(S11); lapping a surface of the wafer(S12); subjecting the wafer to a caustic etching process for removing mechanical damages on the lapped surface of the wafer(S13); subjecting the both sides of the wafer to a double side grinding process by using a wheel(mesh number 8000 or more)(S14).
摘要翻译：提供一种制造外延晶片的方法，以通过化学蚀刻工艺和使用8000以上的网格的双面研磨工艺来最小化对晶片表面的损伤而不留下残余颗粒。制造外延晶片的方法包括以下步骤：将晶锭切割预定厚度以制备晶片（S11）; 研磨晶片的表面（S12）; 对晶片进行苛刻蚀刻工艺以去除晶片的重叠表面上的机械损伤（S13）; 通过使用车轮（网格数8000以上）对晶片的两侧进行双面研磨处理（S14）。

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