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1. 发明公开

KR1020140020862A 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법 有权
标题翻译：单晶生产设备和单晶生产方法
公开(公告)号：KR1020140020862A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：KR1020137020713
申请日：2012-01-05
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이와사키,아츠시 , 소노카와,스스무 , 타케야스,시노부
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/32 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/30 , C30B29/06 , Y10T117/1072 , C30B15/32
摘要： 본 발명은, 원료 용융액을 유지하기 위한 도가니와, 상기 도가니를 지지하고, 승강 가능한 받침대와, 상기 받침대를 통해 상기 도가니를 회전시키기 위한 도가니 회전축과, 상기 도가니의 하향에 배치되며, 상기 받침대를 둘러싸도록 센터 슬리브가 설치된 누출 열수 받이를 구비하는 CZ법에 의한 단결정 제조장치로서, 상기 받침대의 외주부에, 상기 도가니로부터 누출되는 상기 원료 용융액이 적하되는 것을 방지하기 위한 그루브가 2개 이상 설치된 것임을 특징으로 하는 단결정 제조장치이다. 이를 통해, 불의의 사고 등으로 도가니의 원료 용융액이 도가니 외부에 유출하고, 받침대를 따라 흘러 경우에도, 받침대 하향의 금속부를 용융이 도달할 것을 확실하게 방지하고, 장치 손상이나 사고의 발생을 미연에 억제할 수 있는 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법이 제공된다.

2. 发明公开

KR1020110085992A 단결정 직경의 검출방법, 이를 이용한 단결정의 제조방법 및 단결정 제조장치 有权
标题翻译：确定单晶直径的方法，使用其制造单晶的方法和用于生产单晶的装置
公开(公告)号：KR1020110085992A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020117008904
申请日：2009-09-24
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오츠나,히로시 , 이와사키,아츠시
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26 , G01N21/01
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要： 본 발명은 쵸크랄스키법에 의해 도가니 내에 수용된 실리콘융액에서 단결정을 인상할 때 단결정의 직경을 검출하는 방법으로, 적어도 상기 단결정의 직동부 형성시의 목표직경과 동일한 거리만큼 이격되어 상기 단결정과 융액면과의 접점인 단결정의 성장점에서의 상기 단결정의 직경의 양단에 각각 정면으로 대향하여 설치한 2대의 카메라를 사용하여 상기 단결정의 성장점의 양단을 각각 노 밖에서 촬영하고 이 촬영한 화상으로부터 상기 단결정의 직경을 검출하는 것을 특징으로 하는 단결정 직경의 검출방법이다. 이에 의해 단결정 직경의 검출 정밀도를 향상시키는 검출방법 및 이 검출결과에 기초하여 좋은 정밀도로 직경을 제어하고, 단결정을 수율이 좋고, 공업적으로 안정하게 육성하는 단결정의 제조방법 및 그 제조장치가 제공된다.

3. 发明公开

KR1020160075498A 실리콘 단결정 인상장치 审中-实审
标题翻译：硅单晶水龙头
公开(公告)号：KR1020160075498A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020167006418
申请日：2014-09-01
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 타케야스,시노부 , 이와사키,아츠시
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/206 , C30B29/06
摘要： 본발명은, 원료를수용하는도가니와, 이원료를가열하여원료융액으로하는히터를격납하는메인챔버와, 상기히터와상기메인챔버의사이에배치되고, 상기히터로부터의복사열을차단하는쉴드를구비하는쵸크랄스키법에의한실리콘단결정인상장치로서, 상기히터및 상기쉴드를하방으로부터지지하는지지부재를갖고, 상기지지부재가승강가능함으로써, 상기히터와상기쉴드가함께승강가능한것을특징으로하는실리콘단결정인상장치이다. 이에따라, 열이력의조절을하면서, 실리콘단결정의인상속도의향상이나산소농도의저감을용이하게할 수있는실리콘단결정인상장치가제공된다.

4. 发明授权

KR101579780B1 단결정 직경의 검출방법, 이를 이용한 단결정의 제조방법 및 단결정 제조장치 有权
标题翻译：确定用于生产单晶的单晶工艺的直径的方法和用于生产单晶的装置
公开(公告)号：KR101579780B1
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020117008904
申请日：2009-09-24
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오츠나,히로시 , 이와사키,아츠시
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26 , G01N21/01
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要： 본발명은쵸크랄스키법에의해도가니내에수용된실리콘융액에서단결정을인상할때 단결정의직경을검출하는방법으로, 적어도상기단결정의직동부형성시의목표직경과동일한거리만큼이격되어상기단결정과융액면과의접점인단결정의성장점에서의상기단결정의직경의양단에각각정면으로대향하여설치한 2대의카메라를사용하여상기단결정의성장점의양단을각각노 밖에서촬영하고이 촬영한화상으로부터상기단결정의직경을검출하는것을특징으로하는단결정직경의검출방법이다. 이에의해단결정직경의검출정밀도를향상시키는검출방법및 이검출결과에기초하여좋은정밀도로직경을제어하고, 단결정을수율이좋고, 공업적으로안정하게육성하는단결정의제조방법및 그제조장치가제공된다.

5. 发明公开

KR1020110015526A 단결정의 성장방법 및 단결정의 인상장치 有权
标题翻译：用于生产单晶的方法和用于拉出单晶的装置
公开(公告)号：KR1020110015526A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：KR1020107024138
申请日：2009-03-24
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 수가와라,코세이 , 호시,료지 , 타카자와,마사노리 , 미야하라,유이치 , 이와사키,아츠시
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , C30B15/00 , H01L21/02
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 본 발명은 쵸크랄스키법에 의해 석영도가니 내에서 용융한 실리콘원료의 용융액에서 단결정을 인상하여 성장시키는 방법에 있어서, 상기 석영도가니의 외벽측이 양극, 상기 단결정을 인상하는 인상축과는 별도로 설치되며, 상기 실리콘원료의 용융액에 침지된 전극측이 음극이 되도록 직류전압을 인가하고 상기 전극에서 전류를 흐르게 하면서 상기 인상축에 의해 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 성장방법과 그 인상장치이다. 이에 의해 실리콘 단결정의 성장과정에서 석영도가니의 내벽표면에 적절한 결정화층, 즉 실투를 발생시킴과 동시에 실리콘 단결정 중에 Li 등의 알카리금속이 취입되는 것을 방지함으로써 단결정수율과 생산성을 향상시킬 수 있으며, 또한 웨이퍼로 잘라내 후의 열산화처리에서의 산화막의 이상성장을 억제할 수 있는 실리콘단결정의 성장방법 및 인상장치가 제공된다.

6. 发明授权

KR101901874B1 원료 충전방법 및 단결정의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101901874B1
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：KR1020130066972
申请日：2013-06-12
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 호시,료지 , 이와사키,아츠시 , 이마이,타카키
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06
摘要： 본발명의과제는단결정의제조시, 석영도가니내로의투입원료의높이불균일을억제할수 있는방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명의해결수단은, 석영도가니내에원료를충전하는공정에서, 상기원료를수용하는석영제의원통부재와상기원통부재의하단개구부를개폐하기위한원뿔밸브를갖는리차지관에상기원료를수용하고, 상기원료를수용한리차지관을챔버내에세팅하고, 상기원뿔밸브에서상기원통부재의개구부를개방하여서상기석영도가니내에상기리차지관 내에수용한원료를투입하는원료충전을연속하여 2회이상실행하는원료충전방법이며, 상기연속하여 2회이상실행하는원료충전중 적어도 1회의상기원료충전에서, 상기원뿔밸브의원뿔각도가상이한상기리차지관을이용하여상기원료를충전하는것을특징으로하는원료충전방법이다.

7. 发明授权

KR101387423B1 단결정의 성장방법 및 단결정의 인상장치 有权
标题翻译：单晶和单晶拉丝装置的生长方法
公开(公告)号：KR101387423B1
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020097020176
申请日：2008-02-28
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 미야하라,유이치 , 이와사키,아츠시 , 오다,테츠히로
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10 , C30B15/20 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要： 본 발명은 쵸크랄스키법에 의해 석영도가니 내에서 용융한 실리콘원료의 용융액에서 단결정을 인상해 성장시키는 방법에서, 상기 석영도가니의 외벽측이 양극, 실리콘 단결정을 인상하는 인상와이어 또는 인상샤프트측이 음극이 되도록 직류전압을 인가하고, 단결정인상 중에 실리콘 단결정에 흐르는 전류를 일정하게 해서 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 성장방법과 그 인상장치이다. 이에 의해 실리콘 단결정의 성장과정에서, 석영도가니의 내벽표면에 적절한 결정화층 즉, 실투를 발생시킴과 동시에 실리콘 단결정 중의 Li농도를 제어 가능하게 함으로써 단결정육성 시의 유전위화를 방지하고 단결정의 수율과 생산성을 향상시킬 수 있으며 또한 웨이퍼로 잘라낸 후의 열산화처리로 산화막 두께의 불균일을 억제할 수 있는 실리콘 단결정의 성장방법 및 인상장치가 제공된다.
실리콘, 단결정, 석영도가니, 산화막

8. 发明公开

KR1020130100998A 반도체 단결정의 제조 장치 및 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造半导体单晶的装置和方法
公开(公告)号：KR1020130100998A
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020137004869
申请日：2011-07-06
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 타카시마,쇼우 , 미야하라,유이치 , 이와사키,아츠시 , 미타무라,노부아키 , 소노카와,수수무
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/30
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/30 , C30B29/06 , Y10T117/1068
摘要： 본 발명은, 육성로 본체의 내부에, 도가니와 해당 도가니의 주위에 배치된 가열 히터를 구비하는 반도체 단결정의 제조 장치에 있어서, 상기 육성로 본체 내의 상기 가열 히터의 주위에 보온통이 배치되어 있고, 해당 보온통은 내측면에 상부와 하부를 나누는 단차부를 가지며, 상기 하부의 내경이 상기 상부의 내경보다 크고, 상기 육성로 본체 내에 있어서 상기 가열 히터의 하방 또한 상기 보온통의 하부의 내측에 단열판이 배치되어 있고, 해당 단열판의 외경이, 상기 보온통의 상부의 내경보다 크고, 또한 상기 보온통의 하부의 내경 보다도 작은 반도체 단결정의 제조 장치이다. 이에 의해, 원료 융액을 수용하는 도가니 주위의 보온 효과를 높이고, 또한 도가니의 외측에 배치된 가열 히터의 발열량(즉 소비 전력)을 억제해도, 반도체 단결정의 성장 속도의 고속화와 품질의 안정화를 충분히 도모할 수 있는 반도체 단결정의 제조 장치가 제공된다.

9. 发明公开

KR1020090127295A 단결정의 성장방법 및 단결정의 인상장치 有权
标题翻译：单晶和单晶拉丝装置的生长方法
公开(公告)号：KR1020090127295A
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：KR1020097020176
申请日：2008-02-28
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 미야하라,유이치 , 이와사키,아츠시 , 오다,테츠히로
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10 , C30B15/20 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要： A method of growing a silicon single crystal through pulling of a single crystal from a melt of silicon raw material made in a quartz crucible according to the Czochralski technique, characterized in that the growth of single crystal is carried out while a direct-current voltage is applied between the external wall side of the quartz crucible as a positive electrode and the side of pulling wire or pulling shaft for pulling of silicon single crystal as a negative electrode so that the electric current flowing through the silicon single crystal is constant throughout the single crystal pulling; and a relevant silicon single crystal pulling apparatus. Accordingly, there are provided a method of growing a silicon single crystal and silicon single crystal pulling apparatus, with which in the stage of growth of silicon single crystal, not only can an appropriate crystallized layer, namely, devitrification be generated on the internal wall surface of the quartz crucible but also the Li concentration of the silicon single crystal can be controlled, thereby attaining prevention of the occurrence of dislocation at single crystal growth and enhancements of single crystal yield and production efficiency and further, in thermal oxidation treatment after wafer cutout, inhibition of fluctuation of oxide film thickness.
摘要翻译：通过根据切克劳斯基技术从石英坩埚中制造的硅原料的熔体中拉出单晶而生长硅单晶的方法，其特征在于，单晶的生长在直流电压为施加在作为正极的石英坩埚的外壁侧和用于牵引硅单晶作为负极的牵引线或牵引轴的一侧，使得流过单晶硅的电流在整个单晶中是恒定的拉动; 和相关的硅单晶拉制装置。因此，提供了一种生长硅单晶和硅单晶拉制装置的方法，其在硅单晶生长阶段不仅可以在内壁表面上产生适当的结晶层，即失透的石英坩埚，而且可以控制硅单晶的Li浓度，从而可以防止单晶生长发生位错，提高单晶产率和生产效率，此外，在晶片切断后的热氧化处理中，抑制氧化膜厚度的波动。

10. 发明授权

KR102043652B1 실리콘 단결정 인상장치 有权
公开(公告)号：KR102043652B1
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：KR1020167006418
申请日：2014-09-01
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 타케야스,시노부 , 이와사키,아츠시
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06

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