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1. 发明授权

KR101376489B1 웨이퍼 지지 지그, 및 이를 구비한 종형 열처리용 보트 그리고 웨이퍼 지지 지그의 제조 방법 有权
标题翻译：散热器支架，垂直式热处理船及其制造方法
公开(公告)号：KR101376489B1
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020097022939
申请日：2008-04-14
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 고바야시,타케시
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67309 , H01L21/324 , H01L21/67306 , Y10T29/49826 , Y10T29/49885 , Y10T29/4997
摘要： 본발명은, 적어도, 열처리할때에피처리웨이퍼를재치하여지지하는지지면을가지는웨이퍼지지지그로서, 상기피처리웨이퍼를지지하는지지면에서의스큐니스(R)가 0

2. 发明授权

KR101396850B1 종형 열처리용 보트와, 반도체 웨이퍼의 열처리 방법 有权
标题翻译：垂直热处理炉和半导体波浪热处理方法
公开(公告)号：KR101396850B1
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：KR1020097018865
申请日：2008-02-28
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 고바야시,타케시
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/31 , H01L21/22 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67309
摘要： 본 발명은, 적어도, 피처리 기판을 수평으로 지지하기 위한 지지부를, 지지하는 피처리 기판 한 장 근처에서 4개 이상 가지고 있고, 상기 4개 이상의 지지부에는, 각각, 상기 피처리 기판이 재치되는 지지 보조 부재가 탈착가능하게 장착되고 있는 종형 열처리용 보트로서, 상기 4개 이상의 지지부의 각각의 형상에 맞추어, 상기 지지 보조 부재의 두께를 조절하거나, 상기 지지부와 상기 지지 보조 부재 사이에 스페이서를 개재시킴으로써, 상기 피처리 기판이 재치되는 각각의 지지 보조 부재의 면 모두로부터 얻을 수 있는 평면도가 조정되는 것을 특징으로 하는 종형 열처리용 보트를 제공한다. 이에 의해, 종형 열처리로에 의해 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판을 열처리할 때, 피처리 기판의 지지에 있어서의 평면도를 용이하게 개선할 수 있어서, 슬립 전위의 발생을 효과적으로 방지하는 것이 가능한 종형 열처리용 보트 및 반도체 웨이퍼의 열처리 방법이 제공된다.

3. 发明授权

KR101537960B1 종형 열처리용 보트 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 有权
标题翻译：垂直热处理船和硅波热处理方法
公开(公告)号：KR101537960B1
公开(公告)日：2015-07-20
申请号：KR1020107022245
申请日：2009-04-09
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 고바야시,타케시
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/22 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/4581 , C23C16/4583 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67306 , H01L21/67309
摘要： 본발명은, 보트본체의지지부의각각에탈착가능하게장착되어, 피처리기판이재치되는지지보조부재를구비한종형열처리용보트로서, 지지보조부재는, 지지부에장착되는가이드부재와, 피처리기판이재치되는판 형상의기판지지부재를가지며, 가이드부재는상면에구멍이형성되고기판지지부재는가이드부재의구멍에끼워넣어져서위치되고, 피처리기판의재치면의높이위치가, 가이드부재의상면의높이위치보다높고, 기판지지부재는, 탄화규소등으로이루어지고, 가이드부재는, 석영등으로이루어지는종형열처리용보트이다. 이에의해, 지지보조부재를구비한종형열처리용보트에실리콘웨이퍼와같은피처리기판을실어아르곤등을이용한열처리를실시할때의, 실리콘웨이퍼로의 Fe 오염전사와실리콘웨이퍼이면의면 거칠어짐의양자를억제할수 있는종형열처리용보트및 이를이용한실리콘웨이퍼의열처리방법이제공된다.

4. 发明公开

KR1020100134010A 종형 열처리용 보트 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 有权
标题翻译：垂直热处理船和硅波热处理方法
公开(公告)号：KR1020100134010A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：KR1020107022245
申请日：2009-04-09
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 고바야시,타케시
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/22 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/4581 , C23C16/4583 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67306 , H01L21/67309
摘要： 본발명은, 보트본체의지지부의각각에탈착가능하게장착되어, 피처리기판이재치되는지지보조부재를구비한종형열처리용보트로서, 지지보조부재는, 지지부에장착되는가이드부재와, 피처리기판이재치되는판 형상의기판지지부재를가지며, 가이드부재는상면에구멍이형성되고기판지지부재는가이드부재의구멍에끼워넣어져서위치되고, 피처리기판의재치면의높이위치가, 가이드부재의상면의높이위치보다높고, 기판지지부재는, 탄화규소등으로이루어지고, 가이드부재는, 석영등으로이루어지는종형열처리용보트이다. 이에의해, 지지보조부재를구비한종형열처리용보트에실리콘웨이퍼와같은피처리기판을실어아르곤등을이용한열처리를실시할때의, 실리콘웨이퍼로의 Fe 오염전사와실리콘웨이퍼이면의면 거칠어짐의양자를억제할수 있는종형열처리용보트및 이를이용한실리콘웨이퍼의열처리방법이제공된다.

5. 发明公开

KR1020100016158A 웨이퍼 지지 지그, 및 이를 구비한 종형 열처리용 보트 그리고 웨이퍼 지지 지그의 제조 방법 有权
标题翻译：散热器支架，垂直式热处理船及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100016158A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020097022939
申请日：2008-04-14
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 고바야시,타케시
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67309 , H01L21/324 , H01L21/67306 , Y10T29/49826 , Y10T29/49885 , Y10T29/4997
摘要： A wafer supporting jig having a supporting surface for supporting a wafer to be treated while the wafer to be treated is mounted thereon at least during heat treatment. The skewness Rof the supporting surface for supporting the wafer to be treated is 0
摘要翻译：至少在热处理期间，具有用于支撑待处理晶片的支撑表面的晶片支撑夹具被安装在其上。用于支撑待处理晶片的支撑表面的偏斜度Rof为0

6. 发明公开

KR1020100014966A 종형 열처리용 보트와, 반도체 웨이퍼의 열처리 방법 有权
标题翻译：垂直热处理炉和半导体波浪热处理方法
公开(公告)号：KR1020100014966A
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：KR1020097018865
申请日：2008-02-28
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 고바야시,타케시
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/31 , H01L21/22 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67309
摘要： Provided is a vertical heat-treating boat comprising at least four supporting portions for supporting each object substrate horizontally, and support aiding members removably mounted individually at the four supporting portions for placing the object substrate thereon. The vertical heat-treating boat is characterized in that the flatness obtained from all the faces of the individual support aiding members for placing the object substrate thereon is adjusted either by adjusting the thicknesses of the support aiding members in accordance with the shapes of the four or more supporting portions or by interposing spacers between the supporting portions and the support aiding members. Thus, there is provided not only the vertical heat-treating boat but also a semiconductor wafer heat-treating method, in which the flatness for the support of the object substrate can be easily improved, when the object substrate such as a semiconductor wafer is heat-treated by a vertical heat-treating furnace, thereby to prevent the occurrence of a slip dislocation effectively.
摘要翻译：本发明提供一种垂直热处理舟，其包括用于水平地支撑每个物体衬底的至少四个支撑部分，以及可拆卸地安装在四个支撑部分处的用于将物体衬底放置在其上的支撑构件。垂直热处理船的特征在于，通过根据四个或四个或更多个的形状来调整支撑辅助构件的厚度，来调节从用于将物体基板放置在其上的单个支撑辅助构件的所有面的平整度更多的支撑部分或通过在支撑部分和支撑辅助构件之间插入间隔件。因此，不仅提供了垂直热处理舟，而且还提供了半导体晶片热处理方法，其中当诸如半导体晶片的对象基板为热时，可以容易地改善用于对象基板的支撑的平坦度通过立式热处理炉进行处理，从而有效地防止滑移位错的发生。

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