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1. 发明公开

KR1020120123105A 멀티레이어 플레이트들 내의 불균일 변형들에 대한 평가 시스템 및 방법 无效
标题翻译：评估多层板不均匀变形的系统和方法
公开(公告)号：KR1020120123105A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020127022108
申请日：2011-01-24
申请人： 소이텍
发明人： 브로카르마르셀 , 카스테스아르노 , 마리니에르로랑
IPC分类号： G01B17/06 , G01B21/32 , G03F7/20 , G01N29/06
CPC分类号： G01B17/06 , G01B21/32 , G01N29/0681 , G01N2291/2697 , G03F7/70616 , G03F7/70633
摘要： 본 발명은 제1 플레이트(110) 내의 불균일(inhomogeneous) 변형들에 대한 평가(assess) 방법에 관한 것으로, 제1 플레이트는 분자 본딩에 의해 제2 플레이트(120)에 접착된다. 이러한 방법은 복수의 측정 지점들을 기록하는 단계로서, 상기 측정 지점들의 각각은 상기 제1 플레이트의 표면의 레벨을 국부적으로 나타내는 기록 단계; 복수의 측정 지점들을 지나가는 제1 플레이트의 표면 프로파일을 결정하는 단계; 상기 표면 프로파일의 대표적인(typical) 크기를 정의하기 위하여, 상기 제1 플레이트의 상기 표면 프로파일을 처리하는 단계; 및 상기 대표적인 크기에 따라 상기 제1 플레이트 내의 불균일 변형들의 레벨을 평가하는 단계를 포함한다. 나아가, 본 발명은 그러한 불균일 변형들에 대한 평가 장치(147)에 관한 것이다.
摘要翻译：一种用于评估通过分子粘附到第二晶片的第一晶片中的不均匀变形的方法和装置。该评估方法包括以下步骤：沿着预定义的方向和超过预定长度进行多个测量点的至少一次读取，对应于第一晶片的表面轮廓的读数，计算来自第一晶片的测量点的二阶导数表面轮廓和根据二阶导数评估第一晶片中的不均匀变形的水平。

2. 发明公开

KR1020160058045A 층들의 전달 방법 审中-实审
标题翻译：传送层的过程
公开(公告)号：KR1020160058045A
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020150158909
申请日：2015-11-12
申请人： 소이텍
发明人： 브로카르마르셀
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/18 , H01L27/12 , H01L21/78 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/02002 , H01L21/185 , H01L21/7806 , H01L2221/68313 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363
摘要： 본발명은임시기판(5)을사용하여, 특정한표면토폴로지를갖는제1 측(1)을포함하는활성층(2)을최종기판(4)으로전달하기위한방법에관한것으로서, 상기방법은, 상기활성층(2)의상기제1 측(1)을상기임시기판(5)의일 측에결합시키는제1 단계; 상기활성층(2)의제2 측(6)을상기최종기판(4)에결합시키는제2 단계; 및상기활성층(2)과상기임시기판(5)을분리시키는제3 단계;를포함하며, 상기방법은, 상기임시기판(5)의표면토폴로지가상기결합시키는제1 단계에서상기활성층(2)의상기제1 측(1)의표면토폴로지를캡슐화하도록, 상기임시기판(5)의상기측은상기활성층(2)의상기제1 측(1)의표면토폴로지에상보적인표면토폴로지를갖는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及通过使用临时衬底（5）将包括具有特定表面拓扑结构的第一侧面（1）的有源层（2）转移到最终衬底（4）的方法。该方法包括：将有源层（2）的第一侧（1）耦合到临时衬底（5）的一侧的第一步骤; 将有源层（2）的第二侧（6）耦合到最终衬底（4）的第二步骤; 以及从所述临时衬底（5）分离所述有源层（2）的第三步骤，其中所述临时衬底（5）的所述侧面在所述有源层的所述第一侧（1）的表面拓扑上具有互补的表面拓扑，用于在第一耦合步骤中临时衬底（5）的表面拓扑结构封装有源层（2）的第一侧的表面拓扑。

3. 发明公开

KR1020150006901A 멀티레이어 플레이트들 내의 불균일 변형들에 대한 평가 시스템 및 방법 无效
标题翻译：用于评估多层板中非均质变形的系统和方法
公开(公告)号：KR1020150006901A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：KR1020147036799
申请日：2011-01-24
申请人： 소이텍
发明人： 브로카르마르셀 , 카스테스아르노 , 마리니에르로랑
IPC分类号： G01B17/06 , G01B21/32 , G03F7/20 , G01N29/06 , H01L21/66
CPC分类号： G01B17/06 , G01B21/32 , G01N29/0681 , G01N2291/2697 , G03F7/70616 , G03F7/70633 , G01N29/06 , G03F7/20 , Y10S73/01
摘要： 본 발명은 제1 플레이트(110) 내의 불균일(inhomogeneous) 변형들에 대한 평가(assess) 방법에 관한 것으로, 제1 플레이트는 분자 본딩에 의해 제2 플레이트(120)에 접착된다. 이러한 방법은 복수의 측정 지점들을 기록하는 단계로서, 상기 측정 지점들의 각각은 상기 제1 플레이트의 표면의 레벨을 국부적으로 나타내는 기록 단계; 복수의 측정 지점들을 지나가는 제1 플레이트의 표면 프로파일을 결정하는 단계; 상기 표면 프로파일의 대표적인(typical) 크기를 정의하기 위하여, 상기 제1 플레이트의 상기 표면 프로파일을 처리하는 단계; 및 상기 대표적인 크기에 따라 상기 제1 플레이트 내의 불균일 변형들의 레벨을 평가하는 단계를 포함한다. 나아가, 본 발명은 그러한 불균일 변형들에 대한 평가 장치(147)에 관한 것이다.
摘要翻译：一种用于评估通过分子粘附到第二晶片的第一晶片中的不均匀变形的方法和装置。该评估方法包括以下步骤：沿着预定义的方向和超过预定长度进行多个测量点的至少一次读取，对应于第一晶片的表面轮廓的读数，计算来自第一晶片的测量点的二阶导数表面轮廓和根据二阶导数评估第一晶片中的不均匀变形的水平。

4. 发明授权

KR102231571B1 회로 층을 전달하기 위한 방법 有权
公开(公告)号：KR102231571B1
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020157035798
申请日：2014-06-16
申请人： 소이텍
发明人： 브로카르마르셀 , 마리니에르로랑
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/78 , H01L21/683
摘要： 본발명은매립회로층(2)을전달하기위한프로세스에관한것이다. 이프로세스는이하의단계들을포함한다는점에서주목할만하다.: - 식각정지영역(7, 7')을내부적으로포함하고전면으로지칭되는그것의면들(12) 중하나위로회로층(2)이덮이는도너기판(1)을마련하는단계, - 도너기판(1, 1')의전체원주상으로, 회로층(2)으로덮인그것의면 상에, 이기판의측방향에지(13)로부터일 거리에서연장되는주변트렌치(3) 또는주변라우팅(3')을생성하는단계로서, 이라우팅(3') 또는이 트렌치(3)는회로층(2)을완전히통과하도록하는깊이로생성되고도너기판(1, 1') 내로연장되는, 단계, - 회로층(2)의노출된면(21) 상에그리고라우팅된면(13') 상에또는트렌치(3)의벽들상에, 트렌치(3)를채우지않고, 제2 정지층으로지칭되는, 회로층(2)의식각에대해선택비를갖는정지물질의층(4)을퇴적하는단계, - 제2 정지층(4)에의해덮이는면 상에서수신기판(5)을도너기판(1, 1')으로본딩하는단계, - 매립된회로층(2)의수신기판(5)으로의전달이얻어지도록, 식각정지영역(7, 7')에도달할때까지그것의배면(11)을화학적으로식각함으로써도너기판(1)을박형화하는단계.

5. 发明公开

KR1020160021784A 회로 층을 전달하기 위한 방법 审中-实审
标题翻译：传输电路层的方法
公开(公告)号：KR1020160021784A
公开(公告)日：2016-02-26
申请号：KR1020157035798
申请日：2014-06-16
申请人： 소이텍
发明人： 브로카르마르셀 , 마리니에르로랑
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/78 , H01L21/683 , H01L25/00
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L25/50 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L2221/68363 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명은매립회로층(2)을전달하기위한프로세스에관한것이다. 이프로세스는이하의단계들을포함한다는점에서주목할만하다.: - 식각정지영역(7, 7')을내부적으로포함하고전면으로지칭되는그것의면들(12) 중하나위로회로층(2)이덮이는도너기판(1)을마련하는단계, - 도너기판(1, 1')의전체원주상으로, 회로층(2)으로덮인그것의면 상에, 이기판의측방향에지(13)로부터일 거리에서연장되는주변트렌치(3) 또는주변라우팅(3')을생성하는단계로서, 이라우팅(3') 또는이 트렌치(3)는회로층(2)을완전히통과하도록하는깊이로생성되고도너기판(1, 1') 내로연장되는, 단계, - 회로층(2)의노출된면(21) 상에그리고라우팅된면(13') 상에또는트렌치(3)의벽들상에, 트렌치(3)를채우지않고, 제2 정지층으로지칭되는, 회로층(2)의식각에대해선택비를갖는정지물질의층(4)을퇴적하는단계, - 제2 정지층(4)에의해덮이는면 상에서수신기판(5)을도너기판(1, 1')으로본딩하는단계, - 매립된회로층(2)의수신기판(5)으로의전달이얻어지도록, 식각정지영역(7, 7')에도달할때까지그것의배면(11)을화학적으로식각함으로써도너기판(1)을박형화하는단계.
摘要翻译：用于传送掩埋电路层的工艺包括取得包含内部蚀刻停止区的施主衬底，并在其前侧覆盖有电路层，在施主衬底的整个圆周上产生外围沟槽或外围路由，布线或沟槽在深度上产生，使得它们完全通过电路层并延伸到施主衬底中，在电路层上和在沟道侧或沟槽的壁上沉积有选择性的蚀刻停止材料层关于电路层的蚀刻，而不填充沟槽，将接收器衬底接合到施主衬底，并且通过蚀刻其背面直到到达蚀刻停止区来稀释施主衬底，以获得掩埋电路层的传输到接收器基板。

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