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1. 发明公开

KR1019950006734A 광학장치 失效
公开(公告)号：KR1019950006734A
公开(公告)日：1995-03-21
申请号：KR1019940020726
申请日：1994-08-23
申请人： 소니 주식회사
发明人： 도이마사도 , 나루이히로노부 , 마쓰다오사무 , 사하라겐지
IPC分类号： G11B7/08
摘要： 본 발명의 광학장치 구조는 전체적으로 단순화되고 소형화될 수 있다. 또한, 광학장치의 제조가 단순화될 수 있고, 광학장치의 신뢰도가 향상될 수 있다. 광학장치는 그 출력을 증가시킬 수 있고, 발광광원은 저전력으로 작동할 수 있고, 광센서장치로의 반사귀환광의 양, 즉 광감지된 광의 양을 증가시킴으로써 전력소모를 감소시킬 수 있다. 광학장치는 발광부(1)와, 방사부(2)와, 수렴수단(3)과, 광센서부(4)를 포함한다. 발광부(1)로부터 방출된 광은 수렴수단(3)에 의해 방사부(2)상에 수렴 및 방사된다. 방사부(2)로부터 반사된 반사귀환광 L
R 이 수렴되고, 광센서부(4)는 방사부(2)로부터의 반사귀환광에 관한 수렴수단(3)의 동일초점 근방에 배치된다. 발광부(1)로부터 방출된 광은 동일축의 경로를 통과하고, 방출된 광이 방사부(2)에 의해 반사되기 전후에 광축을 나타내는 일점쇄선 a으로 나타낸 바와 같이 광센서부(4)에 의해 광감지된다.

2. 实用新型

KR2019920002914Y1 반도체 레이저장치 失效
标题翻译：半导体激光系统
公开(公告)号：KR2019920002914Y1
公开(公告)日：1992-05-08
申请号：KR2019860002759
申请日：1986-03-10
申请人： 소니 주식회사
发明人： 마쓰다오사무
IPC分类号： H01S3/096
CPC分类号： H01S5/02248 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01S5/0202 , H01S5/0683 , H01L2924/00014
摘要： 내용 없음.

3. 发明授权

KR100313298B1 광학장치 失效
公开(公告)号：KR100313298B1
公开(公告)日：2001-12-28
申请号：KR1019940020726
申请日：1994-08-23
申请人： 소니 주식회사
发明人： 도이마사도 , 나루이히로노부 , 마쓰다오사무 , 사하라겐지
IPC分类号： G11B7/08
摘要： 본 발명의 광학장치 구조는 전체적으로 단순화되고 소형화될 수 있다. 또한, 광학장치의 제조가 단순화될 수 있고, 광학장치의 신뢰도가 향상될 수 있다. 광학장치는 그 출력을 증가시킬 수 있고, 발광광원을 저전력으로 작동할 수 있고, 광센서장치로의 반사귀환광의 양, 즉 광감지된 광의 양을 증가시킴으로써 전력소모를 감소시킬 수 있다. 광학장치는 발광부(1)와, 방사부(2)와, 수렴수단(3)과, 광센서부(4)를 포함한다. 발광부(1)로부터 방출된 광은 수렴수단(3)에 의해 방사부(2)상에 수렴 및 방사된다. 방사부(2)로부터 반사된 반사귀환광 L
R 이 수렴되고, 광센서부(4)는 방사부(2)로부터의 반사귀환광에 관한 수렴수단(3)의 동일초점 근방에 배치된다. 발광부(1)로부터 방출된 광은 동일축의 경로를 통과하고, 방출된 광이 방사부(2)에 의해 반사되기 전후에 광축을 나타내는 일점쇄선 a 으로 나타낸 바와 같이 광센서부 (4)에 의해 광감지된다.

4. 发明公开

KR1019950034132A 광학장치 无效
公开(公告)号：KR1019950034132A
公开(公告)日：1995-12-26
申请号：KR1019950010231
申请日：1995-04-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사하라겐지 , 나루이히로노부 , 도이마사또 , 마쓰다오사무
IPC分类号： G11B7/123 , G11B11/105
摘要： 광자기신호를 검출하는 광학장치의 구성의 간결화, 소형화를 도모한다.
광자기신호를 검출하는 광학장치에 있어서, 발광부(4)와 수광부(5)가 공통의 기판상에 근접배치되고, 발광부(4)로부터의 출사광의 광자기매체(34)로부터의 귀환광을 수광부(5)에 의하여 공초점(共焦点) 근방에서 수광검출하는 광학소자(101)를 구비하고, 광학소자(101)상의 수광부(5)에 귀환량의 광축에 대하여 경사진 수광면을 형성하여 이 수광부 표면에 편광선택투과기능을 갖게 하며, 광자기매체(34)로부터의 귀환광을 광학소자(101)상의 수광부(5)에서 수광검출하도록 구성한다.

5. 发明公开

KR1019950034131A 광학 장치 无效
公开(公告)号：KR1019950034131A
公开(公告)日：1995-12-26
申请号：KR1019950004554
申请日：1995-03-07
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사하라겐지 , 나루이히로노부 , 도이마사또 , 마쓰다오사무
IPC分类号： G11B11/105 , G11B7/123
摘要： 광자기신호를 검출하는 광학장치의 구성의 간결화, 소형화를 도모한다.
광자기신호를 검출하는 광학장치에 있어서, 발광부와 수광부가 공통의 기판상에 근접 배치되고, 발광부로부터의 출사광의 광자기매체(36)로부터의 귀환광을 수광부에 의해 공초점(共焦点) 근방에서 수광검출하는 광학소자(1)와, 다른 수광소자(32)를 구비하고, 광자기매체(36)로부터의 귀환광을 분할하여, 한쪽의 귀환광을 광학소자(1)의 수광부(32)에서 수광하고, 다른쪽의 귀환광을 다른 수광소자(32)에서 수광검출하도록 구성한다.

6. 发明授权

KR100246054B1 최적공진기를 가진 반도체레이저 및 이를 이용한 광학장치 失效
标题翻译：具有最佳谐振器的半导体激光器
公开(公告)号：KR100246054B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019930027723
申请日：1993-12-15
申请人： 소니 주식회사
发明人： 나루이히로노부 , 도이마사도 , 사하라겐지 , 마쓰다오사무
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/065 , H01S5/10 , H01S5/1039 , H01S5/227
摘要： 본 발명은 반도체레이저 및 반도체레이저를 이용한 광학기구에 관한 것으로서, 반도체레이저는 활성층과, 상기 활성층을 사이에 개재시키고, 에너지갭이 상기 활성층의 에너지갭보다 큰 제1 및 제2클래드층과, 상기 활성층의 양측에 접하여 형성된 전류차단층과, 상기 제1클래드층에 전기접속되는 제1전극과, 상기 제2클래드층에 전기 접속되는 제2전극으로 이루어지고, 상기 활성층은 이 활성층이 상기 제1클래드층, 상기 제2클래드층 및 상기 전류차단층내에서 2차원으로 한정되는 구조를 가지고, 상기 활성층의 공진기의 최소한 한끝면의 반사율은 5% 이하이고, 상기 활성층의 공진기에서의 손실을 100cm
-3 이상인 것을 특징으로 한다.

7. 发明公开

KR1019960032348A 광학 소자 无效
公开(公告)号：KR1019960032348A
公开(公告)日：1996-09-17
申请号：KR1019960004246
申请日：1996-02-23
申请人： 소니 주식회사
发明人： 마쓰다오사무
IPC分类号： G11B7/08
摘要： 광학픽업 등에 적용하는 광학소자의 구조의 간단화, 소형화를 도모한다.
발광부와 복수의 수광부와 홀로그램소자와 편광자(偏光子)를 가지는 광학계에 있어서, 발광부로부터 출사(出射)하여, 피조사부(被照射部)에서 반사된 귀환광을, 홀로그램 소자를 통과하여 회절분리하고, 분리된 회절광을 편광자에서 편광분리하고, 편광자를 투과한 한쪽의 편광성분을 복수의 수광부중, 제1의 수광부에서 검출하고, 편광자에서 반사한 다른 쪽의 편광성분을 제2의 수광부에서 검출하고, 제1과 제2의 수광부에서의 광강도의 차분(差分)에 의하여 광자기신호를 검출하도록 구성한다.

8. 发明公开

KR1019940017020A 최적공진기를 가진 반도체레이저 및 이를 이용한 광학장치 失效
标题翻译：具有最佳谐振器的半导体激光器和使用其的光学装置
公开(公告)号：KR1019940017020A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019930027723
申请日：1993-12-15
申请人： 소니 주식회사
发明人： 나루이히로노부 , 도이마사도 , 사하라겐지 , 마쓰다오사무
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 본 발명은 반도체레이저 및 반도체레이저를 이용한 광학기구에 관한 것으로서, 반도체레이저는 활성층과, 상기 활성층을 사이에 개재시키고, 에너지갭이 상기 활성층의 에너지갭보다 큰 제1 및 제 2 클래드층과, 상기 활성층의 양측에 접하여 형성된 전류차단층과, 상기 제 1 클래드층에 전기접속되는 제 1 전극과, 상기 제 2 클래드층에 전기접속되는 제 2 전극으로 이루어지고, 상기 활성층은 이 활성층이 상기 제 1 클래드층, 상기 제 2 클래드층 및 상기 전류차단층내에서 2차원으로 한정되는 구조를 가지고, 상기 활성층의 공진기의 최소한 한끝면의 반사율은 5% 이하이고, 상기 활성층의 공진기에서의 손실을 100cm
-3 이상인것을 특징으로 한다.

9. 发明授权

KR100339249B1 광학장치 失效
公开(公告)号：KR100339249B1
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：KR1019950703586
申请日：1994-12-22
申请人： 소니 주식회사
发明人： 도이마사도 , 나루이히로노부 , 사하라겐지 , 마쓰다오사무
IPC分类号： G11B7/127 , G11B7/131
摘要： 고, 발광부(1)로부터의 발광 광 L의 피조사부(被照射部)로부터의 귀환 광 L
R 을 수광부(4)로 수광하여 검출하는 광학 소자(21)를 가지고, 수광부(4)의 수광면에 대한 상기 귀환 광의 입사각 α을 0°

10. 发明公开

KR1019960026719A 반도체 발광 소자의 패키지 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体发光元件的封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1019960026719A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019950062478
申请日：1995-12-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 네모토가즈히코 , 마쓰다오사무 , 고바야시도시마사 , 도이마사토
IPC分类号： H01L23/50

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