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1. 发明公开

KR1019990077668A 반도체 장치, 그의 제조 방법 및반도체 장치를 제조하기 위한 기판 有权
标题翻译：半导体器件，其制造方法以及用于制造半导体器件的衬底
公开(公告)号：KR1019990077668A
公开(公告)日：1999-10-25
申请号：KR1019990007473
申请日：1999-03-06
申请人： 소니 주식회사
发明人： 고바야시도시마사 , 도조쯔요시
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 본 발명은 기판 상에 적층된 반도체층에 벽개면의 에지를 형성시, 기판이 비벽개성이고, 벽개하기 어렵거나 반도체층과는 벽개 방위가 다를 경우에도 정밀한 제어하에서 양호한 벽개면이 안정되게 반도체층에 형성될 수 있도록 보장하는 반도체 장치, 그의 제조 방법 및 반도체 장치를 제조하기 위한 기판을 제공한다. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 만들어진 반도체층(2)이 사파이어 기판(1) 상에 레이저 구조를 형성하기 위해 적층된다. 반도체층(2) 중 공동 에지(3)가 형성되는 부분에 있는 릿지 스트라이프부(11)와 메사부(12) 이외의 선택적 위치에서 즉, 메사부(12)와 대향하는 위치에서, 스트라이프 형상의 벽개 보조홈(4)이 반도체층(2)의 (11-20)-배향면에 평행한 방향으로 연장하도록 형성되고, 반도체층(2)과 사파이어 기판(1)이 벽개 보조홈(4)으로부터 벽개되어, 반도체층(2)에 벽개면으로 만들어진 공동 에지(3)를 형성하게 된다.

2. 发明公开

KR1020000035672A 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020000035672A
公开(公告)日：2000-06-26
申请号：KR1019990052597
申请日：1999-11-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마구찌다까시 , 고바야시도시마사 , 기지마사또루 , 고바야시다까시 , 아사쯔마쯔네노리 , 아사노다께하루 , 히노도모노리
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/2081 , H01S5/209 , H01S5/2206 , H01S5/2231
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the device are provided for enlarging the lifecycle of the semiconductor light emitting device using nitride chemicals of third thru fifth families. CONSTITUTION: A semiconductor light emitting device using nitride chemicals of third thru fifth families includes first and second clad layers(5,7), an activation layer(6), a stripe(8), and a burial layer(9). The first clad layer(5) is of a first conduction type. The activation layer(6) is formed on the first clad layer(5). The second clad layer(7) of a second conduction type is formed on the activation layer(6). The stripe is formed on the second clad layer(7). The burial layer(9) buries an opposite side of the stripe(8). The burial layer(9) is formed by removing the burial layer(9) selectively on the stripe(8) by etching the burial layer(9) using a mask on the stripe(8) as an etching stopper, after developing the burial layer(9) on the second clad layer(7) non-selectively with the mask existing on the stripe(8).
摘要翻译：目的：提供半导体发光器件和该器件的制造方法，用于使用第三至第五族的氮化物化学品扩大半导体发光器件的寿命。构成：使用第三至第五族的氮化物的半导体发光器件包括第一和第二覆盖层（5,7），激活层（6），条纹（8）和埋藏层（9）。第一包层（5）是第一导电类型。活化层（6）形成在第一包层（5）上。在激活层（6）上形成第二导电类型的第二覆层（7）。条纹形成在第二包覆层（7）上。埋置层（9）埋在条纹（8）的相对侧。通过在显影埋藏层之后，使用在条纹（8）上的掩模作为蚀刻阻挡层蚀刻埋藏层（9），通过在条纹（8）上选择性地去除掩埋层（9）而形成埋藏层（9）（9）在所述条纹（8）上存在的掩模非选择性地在所述第二包层（7）上。

3. 发明公开

KR1019960026719A 반도체 발광 소자의 패키지 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体发光元件的封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1019960026719A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019950062478
申请日：1995-12-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 네모토가즈히코 , 마쓰다오사무 , 고바야시도시마사 , 도이마사토
IPC分类号： H01L23/50

4. 发明公开

KR1019940027075A 오믹 전극 및 그 형성 방법 无效
标题翻译：欧姆电极及其形成方法
公开(公告)号：KR1019940027075A
公开(公告)日：1994-12-10
申请号：KR1019940008478
申请日：1994-04-22
申请人： 소니 주식회사
发明人： 고바야시도시마사
IPC分类号： H01L21/28

5. 发明授权

KR100872730B1 질화물계 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：氮化物基半导体激光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR100872730B1
公开(公告)日：2008-12-08
申请号：KR1020027014763
申请日：2002-02-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마구치다카시 , 고바야시다카시 , 고바야시도시마사 , 기지마사토루 , 도미오카사토시 , 안사이신이치 , 도조츠요시
IPC分类号： H01S5/32
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3072 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要： 질화물계 반도체 레이저 소자(10)는 제 1 콘택트층(14), 제 1 클래드층(16), 활성층(20), 제 2 클래드층(24), 제 2 콘택트층(26) 및 제 2 전극(30)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 제 2 클래드층(24)은 하층(24A) 및 상층(24B)으로 구성되며, 제 1 클래드층(14), 활성층(20) 및 제 2 클래드층의 하층(24A)은 메사(mesa) 구조를 갖고, 제 2 클래드층의 상층(24B) 및 제 2 콘택트층(26)은 릿지(ridge) 구조를 가지며, 메사 구조의 상부면에 대응하는 제 2 클래드층의 하층(24A) 부분의 위에는 제 2 클래드층의 상층(24B)의 양측면의 각각의 적어도 일부분을 피복한 절연층(40)이 형성되어 있고, 또한, 절연층(40)의 상부면으로부터 제 2 전극(30)의 상부면에 걸쳐 메사 구조의 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 금속층(42)이 형성되어 있다.
질활물계 반도체 레이저 소자, 콘택트층, 클래드층, 절연층, 금속층

6. 发明授权

KR100624598B1 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100624598B1
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1019990052597
申请日：1999-11-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마구찌다까시 , 고바야시도시마사 , 기지마사또루 , 고바야시다까시 , 아사쯔마쯔네노리 , 아사노다께하루 , 히노도모노리
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/2081 , H01S5/209 , H01S5/2206 , H01S5/2231
摘要： GaN계 반도체 레이저는 p형 AlGaN 클래드층 상에 형성된 리지 스트라이프부(ridge stripe portion)의 대향측을 매립하는 AlGaN 매립층을 포함한다. SiO
2 막을 에칭 마스크로서 사용하여 p형 AlGaN 클래드층의 상부 및 p형 GaN 콘택트층을 리지 스트라이프 형상으로 패터닝하고나서, 리지 스트라이프부 상에 SiO
2 막이 존재하는 상태에서 AlGaN 매립층을 기판 전면에 비선택적으로 성장시켜 리지 스트라이프부의 양측을 매립한 후, SiO
2 막을 에칭 정지층으로서 사용하여 에칭하여 상기 리지 스트라이프부로부터 AlGaN 매립층을 선택적으로 제거함으로써, AlGaN 매립층을 형성한다. 이에 의해, GaN계 반도체 레이저는 횡 모드를 안정화시킬 수 있고, 고 출력을 확보할 수 있으며, 수명을 연장시킬 수 있게 된다.
반도체 발광 소자, GaN계 반도체 레이저, 매립층, 리지 스트라이프부, 횡 모드

7. 发明公开

KR1020030001470A 질화물계 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译： 질화물계반반체저저및법법법
公开(公告)号：KR1020030001470A
公开(公告)日：2003-01-06
申请号：KR1020027014763
申请日：2002-02-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마구치다카시 , 고바야시다카시 , 고바야시도시마사 , 기지마사토루 , 도미오카사토시 , 안사이신이치 , 도조츠요시
IPC分类号： H01S5/32
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3072 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要： 질화물계 반도체 레이저 소자(10)는 제 1 콘택트층(14), 제 1 클래드층(16), 활성층(20), 제 2 클래드층(24), 제 2 콘택트층(26) 및 제 2 전극(30)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 제 2 클래드층(24)은 하층(24A) 및 상층(24B)으로 구성되며, 제 1 클래드층(14), 활성층(20) 및 제 2 클래드층의 하층(24A)은 메사(mesa) 구조를 갖고, 제 2 클래드층의 상층(24B) 및 제 2 콘택트층(26)은 릿지(ridge) 구조를 가지며, 메사 구조의 정상면에 상당하는 제 2 클래드층의 하층(24A) 부분의 위에는 제 2 클래드층의 상층(24B)의 양측면의 각각의 적어도 일부분을 피복한 절연층(40)이 형성되어 있고, 또한, 절연층(40)의 정상면으로부터 제 2 전극(30)의 정상면에 걸쳐 메사 구조의 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 금속층(42)이 형성되어 있다.
摘要翻译：氮化物基半导体激光器件10具有堆叠结构，其包括连续堆叠的第一接触层14，第一包覆层16，活性层20，第二包覆层24，第二接触层26和第二电极30 第二包层24包括下层24A和上层24B，第二包层的第一包层14，有源层20和下层24A具有台面结构，第二包层的上层24B 第二接触层26具有脊结构，覆盖第二包层的上层24B的两个侧表面中的每一个的至少一部分的绝缘层40形成在第二包层的下层24A的部分上其中这些部分对应于台面结构的顶表面，并且进一步地，具有与台面结构基本相同的宽度的金属层42形成在绝缘层1a的顶表面上 40和第二电极30的顶面，使得金属层42从一个顶面延续到另一个顶面。

8. 发明公开

KR1020070057681A 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070057681A
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：KR1020060120440
申请日：2006-12-01
申请人： 소니 주식회사
发明人： 와따나베요시아끼 , 히노도모노리 , 고바야시도시마사 , 나루이히로노부
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L21/244 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/44
摘要： A semiconductor light emitting device and its manufacturing method are provided to improve the reflectivity and to enhance electrical contact characteristics by using a laminated structure composed of a semiconductor layer, a base layer and a light reflective layer. A semiconductor light emitting device includes a semiconductor layer, a light reflective layer and a base layer. The semiconductor layer is formed by laminating sequentially a first conductive layer, an active layer(25) and a second conductive layer. The light reflective layer(31) is formed by adding predetermined materials to Ag. The base layer(30) is formed between the semiconductor layer and the light reflective layer. The base layer is made of a transitional metal containing Ag. The thickness of the base layer is in a range of 1 to 10 nm.
摘要翻译：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过使用由半导体层，基底层和光反射层构成的层叠结构来提高反射率和提高电接触特性。半导体发光器件包括半导体层，光反射层和基底层。半导体层通过依次层叠第一导电层，有源层（25）和第二导电层而形成。光反射层（31）通过向Ag添加预定的材料而形成。基底层（30）形成在半导体层和光反射层之间。基层由含Ag的过渡金属制成。基层的厚度为1〜10nm的范围。

9. 发明公开

KR1020070057672A 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070057672A
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：KR1020060119461
申请日：2006-11-30
申请人： 소니 주식회사
发明人： 와따나베요시아끼 , 히노도모노리 , 고바야시도시마사 , 나루이히로노부
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： A semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to acquire high reflectivity and enhanced contact characteristics from a predetermined portion between a light reflective layer and a semiconductor layer. A first conductive layer, an active layer(25) and a second conductive layer are sequentially laminated on a transparent substrate(10). While the transparent substrate is heated in a first temperature range, a light reflective layer(30) is formed by depositing Ag and aiming materials on the second conductive layer. A heating process is performed on the resultant structure in a second temperature range, wherein the second temperature range is larger than the first temperature range.
摘要翻译：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以从光反射层和半导体层之间的预定部分获得高反射率和增强的接触特性。第一导电层，有源层（25）和第二导电层依次层压在透明基板（10）上。当在第一温度范围内加热透明基板时，通过在第二导电层上沉积Ag和瞄准材料形成光反射层（30）。在第二温度范围内对所得结构进行加热处理，其中第二温度范围大于第一温度范围。

10. 发明授权

KR100681987B1 반도체 장치, 그의 제조 방법 및반도체 장치를 제조하기 위한 기판 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底
公开(公告)号：KR100681987B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1019990007473
申请日：1999-03-06
申请人： 소니 주식회사
发明人： 고바야시도시마사 , 도조쯔요시
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 본 발명은 기판 상에 적층된 반도체층에 벽개면의 단면을 형성시, 기판이 비벽개성이고, 하기 어렵거나 반도체층과는 벽개 방위가 다를 경우에도 정밀한 제어하에서 양호한 벽개면이 안정되게 반도체층에 형성될 수 있도록 보장하는 반도체 장치, 그의 제조 방법 및 반도체 장치를 제조하기 위한 기판을 제공한다. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 만들어진 반도체층(2)이 사파이어 기판(1) 상에 레이저 구조를 형성하기 위해 적층된다. 반도체층(2) 중 공진기 단면(3)이 형성되는 부분에 있는 릿지 스트라이프부(11)와 메사부(12) 이외의 선택적 위치에서 즉, 메사부(12)와 대향하는 위치에서, 스트라이프 형상의 벽개 보조홈(4)이 반도체층(2)의 (11-20)면에 평행한 방향으로 연장하도록 형성되고, 반도체층(2)과 사파이어 기판(1)이 벽개 보조홈(4)으로부터 벽개되어, 반도체층(2)에 벽개면으로 만들어진 공진기 단면(3)을 형성하게 된다.
사파이어 기판, 공진기 단면, 벽개 보조홈, 릿지 스트라이프부, 메사부

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