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1. 发明授权

KR100624598B1 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100624598B1
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1019990052597
申请日：1999-11-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마구찌다까시 , 고바야시도시마사 , 기지마사또루 , 고바야시다까시 , 아사쯔마쯔네노리 , 아사노다께하루 , 히노도모노리
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/2081 , H01S5/209 , H01S5/2206 , H01S5/2231
摘要： GaN계 반도체 레이저는 p형 AlGaN 클래드층 상에 형성된 리지 스트라이프부(ridge stripe portion)의 대향측을 매립하는 AlGaN 매립층을 포함한다. SiO
2 막을 에칭 마스크로서 사용하여 p형 AlGaN 클래드층의 상부 및 p형 GaN 콘택트층을 리지 스트라이프 형상으로 패터닝하고나서, 리지 스트라이프부 상에 SiO
2 막이 존재하는 상태에서 AlGaN 매립층을 기판 전면에 비선택적으로 성장시켜 리지 스트라이프부의 양측을 매립한 후, SiO
2 막을 에칭 정지층으로서 사용하여 에칭하여 상기 리지 스트라이프부로부터 AlGaN 매립층을 선택적으로 제거함으로써, AlGaN 매립층을 형성한다. 이에 의해, GaN계 반도체 레이저는 횡 모드를 안정화시킬 수 있고, 고 출력을 확보할 수 있으며, 수명을 연장시킬 수 있게 된다.
반도체 발광 소자, GaN계 반도체 레이저, 매립층, 리지 스트라이프부, 횡 모드

2. 发明公开

KR1019980042282A 반도체 발광소자 및 그 제조방법, 및 광 기록 및/또는 광 재생장치 无效
标题翻译：半导体发光器件，制造半导体发光器件的方法以及光学记录和/或光学再现器件
公开(公告)号：KR1019980042282A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019970059240
申请日：1997-11-11
申请人： 소니 주식회사
发明人： 다니구찌사또시 , 고바야시다까시 , 나까노가즈시 , 이시바시아끼라 , 히노도모노리 , 나까야마노리까즈
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 특성이 양호하고, 신뢰성이 높고, 또 긴 수명의 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법, 및 그와 같은 반도체 발광 소자를 발광 소자로서 사용한 광 기록 및/또는 재생 장치를 제공한다.
Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체를 이용한 반도체 발광 소자에서, 적어도 활성층(7)에 물결을 존재시켜, p형 콘택트층(11, 12, 13)을 평탄하게 한다. 물결 높이의 표준 편차는 예를 들면 1∼3㎚ 정도이다. 또한, 반도체 발광 소자의 제조에서, 클래드층(5, 9), 광 도파층(6, 8), 활성층(7), p형 콘택트층(11, 12, 13) 등을 성장시킬 때의 Ⅱ족 원소의 분자선의 강도에 대한 Ⅵ족 원소의 분자선의 강도의 비를 성장시킬 층에 따라 변환시켜 최적화한다.

3. 发明公开

KR1020000035672A 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020000035672A
公开(公告)日：2000-06-26
申请号：KR1019990052597
申请日：1999-11-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마구찌다까시 , 고바야시도시마사 , 기지마사또루 , 고바야시다까시 , 아사쯔마쯔네노리 , 아사노다께하루 , 히노도모노리
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/2081 , H01S5/209 , H01S5/2206 , H01S5/2231
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the device are provided for enlarging the lifecycle of the semiconductor light emitting device using nitride chemicals of third thru fifth families. CONSTITUTION: A semiconductor light emitting device using nitride chemicals of third thru fifth families includes first and second clad layers(5,7), an activation layer(6), a stripe(8), and a burial layer(9). The first clad layer(5) is of a first conduction type. The activation layer(6) is formed on the first clad layer(5). The second clad layer(7) of a second conduction type is formed on the activation layer(6). The stripe is formed on the second clad layer(7). The burial layer(9) buries an opposite side of the stripe(8). The burial layer(9) is formed by removing the burial layer(9) selectively on the stripe(8) by etching the burial layer(9) using a mask on the stripe(8) as an etching stopper, after developing the burial layer(9) on the second clad layer(7) non-selectively with the mask existing on the stripe(8).
摘要翻译：目的：提供半导体发光器件和该器件的制造方法，用于使用第三至第五族的氮化物化学品扩大半导体发光器件的寿命。构成：使用第三至第五族的氮化物的半导体发光器件包括第一和第二覆盖层（5,7），激活层（6），条纹（8）和埋藏层（9）。第一包层（5）是第一导电类型。活化层（6）形成在第一包层（5）上。在激活层（6）上形成第二导电类型的第二覆层（7）。条纹形成在第二包覆层（7）上。埋置层（9）埋在条纹（8）的相对侧。通过在显影埋藏层之后，使用在条纹（8）上的掩模作为蚀刻阻挡层蚀刻埋藏层（9），通过在条纹（8）上选择性地去除掩埋层（9）而形成埋藏层（9）（9）在所述条纹（8）上存在的掩模非选择性地在所述第二包层（7）上。

4. 发明授权

KR100639747B1 반도체 레이저, 반도체 장치 및 이들의 제조 방법 失效
标题翻译：半导体激光器，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100639747B1
公开(公告)日：2006-10-31
申请号：KR1019990052589
申请日：1999-11-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 아사노다께하루 , 아사쯔마쯔네노리 , 히노도모노리 , 도미야시게따까 , 야마구찌다까시 , 고바야시다까시
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2231 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01S5/2205 , H01S5/2206 , H01S5/32316 , H01S5/32341
摘要： 고 출력 전력 동안 고차 모드 발진을 방지하여 횡모드를 안정적으로 제어할 수 있고 열 방산 능력이 우수한, 질화물 III-V 족 화합물 반도체로 구성되고 리지 형태의 스트라이프를 가진 반도체 레이저에 있어서, 상기 리지의 대향 측면들은 적어도 일부가 다결정과 같은 비-단결정인 질화물 III-V 족화합물 반도체로 구성된 AlGaN 매립층과 같은 매립 반도체 층에 의해서 매립된다. 매립 반도체 층은 520℃ 내지 760℃ 범위의 성장 온도에서 성장된다.
반도체 레이저, 성장 온도, 화합물 반도체, 질화물 III-V 족 화합물 반도체, 리지, 리지의 대향 측면

5. 发明公开

KR1020000035669A 반도체 레이저, 반도체 장치 및 이들의 제조 방법 失效
标题翻译：半导体激光器，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020000035669A
公开(公告)日：2000-06-26
申请号：KR1019990052589
申请日：1999-11-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 아사노다께하루 , 아사쯔마쯔네노리 , 히노도모노리 , 도미야시게따까 , 야마구찌다까시 , 고바야시다까시
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2231 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01S5/2205 , H01S5/2206 , H01S5/32316 , H01S5/32341
摘要： PURPOSE: A semiconductor laser and a method for manufacturing the same are provided to stably control a transverse mode and prevent a high order mode oscillation upon a high output power. CONSTITUTION: A semiconductor laser is made of nitride III-V compound semiconductor sand has a ridge-shaped stripe. Opposite sides of the ridge are buried by a buried semiconductor layer such as AlGaN buried layer made of a nitride III-V compound semiconductor at least of which is a non-single crystal such as polycrystal. The buried semiconductor layer is grown under a growth temperature in the range from 520°C to 760°C. And the difference in refractive index between the ridge portion and the buried semiconductor layer is readily controlled to prevent high order mode oscillation. Since the entirety of the ridge be buried with good smoothness, heat dissipation from the ridge portion is improved, deterioration of the active layer is prevented.
摘要翻译：目的：提供一种半导体激光器及其制造方法，以稳定地控制横向模式并防止高输出功率下的高阶振荡。构成：半导体激光器由氮化物III-V化合物半导体砂制成，具有脊状条纹。脊的相对侧被诸如由氮化物III-V化合物半导体制成的AlGaN掩埋层的掩埋半导体层掩埋，其中至少一个是诸如多晶的非单晶。埋置的半导体层在520℃至760℃的生长温度下生长。并且容易控制脊部与掩埋半导体层之间的折射率差异，以防止高阶振荡。由于脊的整体以良好的平滑度被掩埋，所以从脊部散热得到改善，有效层的劣化被防止。

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