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1. 发明公开

KR1020160118025A 나노 복합체를 이용한 변형률 감지센서 및 이의 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用纳米复合材料的应变传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160118025A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150046254
申请日：2015-04-01
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 이내응 , 황병웅 , 트란쾅트룽
IPC分类号： G01B7/16 , B82B3/00
CPC分类号： G01L1/22 , B82Y30/00 , G01L1/2287
摘要： 나노복합체를이용한변형률감지센서가개시된다. 나노복합체를이용한변형률감지센서는기판; 상기기판상에배치되고, 금속나노와이어들, 제1 폴리머물질및 제2 폴리머물질로이루어진나노복합체층; 및상기나노복합체층상에배치되고제3 폴리머물질로이루어진보호층을포함하고, 상기금속나노와이어들은상기나노복합체층내부에서랜덤하게배치되어있다.
摘要翻译：提供了一种应变传感器及其制造方法。应变传感器包括衬底，设置在衬底上的纳米复合层和设置在纳米复合层上的保护层。纳米复合层包括金属纳米线，第一聚合物材料和第二聚合物材料。保护层包括第三聚合物材料。金属纳米线随机排列在纳米复合层中。

2. 发明授权

KR101974579B1 압력 센서 및 압력 센싱 방법 有权
公开(公告)号：KR101974579B1
公开(公告)日：2019-08-26
申请号：KR1020120098486
申请日：2012-09-05
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 전상훈 , 박종진 , 뉘엔탄티엔 , 배지현 , 변경은 , 이내응 , 김도일 , 트란쾅트룽
IPC分类号： G01L9/06 , H01L29/84

3. 发明授权

KR101881195B1 나노 복합체를 이용한 변형률 감지센서 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101881195B1
公开(公告)日：2018-07-23
申请号：KR1020150046254
申请日：2015-04-01
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 이내응 , 황병웅 , 트란쾅트룽
IPC分类号： G01B7/16 , B82B3/00
CPC分类号： G01L1/22 , B82Y30/00 , G01L1/2287
摘要： 나노복합체를이용한변형률감지센서가개시된다. 나노복합체를이용한변형률감지센서는기판; 상기기판상에배치되고, 금속나노와이어들, 제1 폴리머물질및 제2 폴리머물질로이루어진나노복합체층; 및상기나노복합체층상에배치되고제3 폴리머물질로이루어진보호층을포함하고, 상기금속나노와이어들은상기나노복합체층내부에서랜덤하게배치되어있다.

4. 发明授权

KR101581634B1 전계효과 트랜지스터를 이용한 자외선 센서 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：使用场效应晶体管的超紫外线传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101581634B1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020150053893
申请日：2015-04-16
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 이내응 , 당빈쾅 , 트란쾅트룽 , 황병웅
IPC分类号： H01L27/14 , H01L29/66 , H01L29/16
摘要： 전계효과트랜지스터를이용한자외선센서가개시된다. 전계효과트랜지스터를이용한자외선센서는기판; 상기기판상에배치된게이트전극; 상기게이트전극상에배치된제1 절연층; 상기제1 절연층상에배치되고전자가도핑된 2차원물질; 상기 2차원물질상에배치되고상기 2차원물질과전기적으로연결되어있는소스(source) 전극; 상기 2차원물질상에배치되고상기소스(source) 전극과이격된상태로상기 2차원물질과전기적으로연결되어있는드레인(drain) 전극; 상기소스전극상에배치된제2 절연층; 상기드레인전극상에배치된제3 절연층; 및상기 2차원물질로부터수직한방향을따라상기 2차원물질상에배치된 1차원구조물들을포함한다.
摘要翻译：公开了使用场效应晶体管的紫外线传感器。使用场效应晶体管的紫外线传感器包括：基板; 布置在所述基板上的栅电极; 布置在栅电极上的第一绝缘层; 布置在第一绝缘层上并被电子掺杂的二维材料; 源电极，其布置在二维材料上并与二维材料电连接; 排列电极，其布置在所述二维材料上，并与所述二维材料电连接，同时与所述源电极分离; 布置在源电极上的两个绝缘层; 布置在所述漏电极上的第三绝缘层; 以及在垂直于二维材料的方向上布置在二维材料上的一维结构。

5. 发明授权

KR102198543B1 신축성 하이브리드 섬유 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102198543B1
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：KR1020190037797
申请日：2019-04-01
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 이내응 , 트란쾅트룽 , 판탄토이 , 배찬울
IPC分类号： D06M11/83 , D06M10/02 , D01D5/06 , D02J1/22 , A61B5/145
摘要： 본발명은신축성하이브리드섬유및 이의제조방법에관한것이다. 특히본 발명에서는금속나노입자가표면에증착된그래핀옥사이드및 폴리우레탄복합하이브리드섬유및 이의제조방법에관한것이다. 본발명으로개발된신축성나노주름하이브리드섬유는효소를대체할만한높은반응도를가지고있으며, 동시에신축성을갖는다.

6. 发明公开

KR1020160118159A 나노 복합체를 이용한 변형률 감지센서 및 이의 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用纳米复合材料的应变传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160118159A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020160064559
申请日：2016-05-26
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 이내응 , 황병웅 , 트란쾅트룽
IPC分类号： G01B7/16 , B82B3/00
CPC分类号： G01B7/18 , B82B3/008
摘要： 나노복합체를이용한변형률감지센서가개시된다. 나노복합체를이용한변형률감지센서는기판; 상기기판상에배치되고, 금속나노와이어들, 제1 폴리머물질및 제2 폴리머물질로이루어진나노복합체층; 및상기나노복합체층상에배치되고제3 폴리머물질로이루어진보호층을포함하고, 상기금속나노와이어들은상기나노복합체층내부에서랜덤하게배치되어있다.

7. 发明授权

KR101552461B1 압력과 자기장을 측정할 수 있는 전계효과 트랜지스터형 센서 有权
标题翻译：用于测量压力和磁场的场效应晶体管类型传感器
公开(公告)号：KR101552461B1
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：KR1020150065252
申请日：2015-05-11
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 이내응 , 사킵시디키 , 뉘엔민트릿 , 트란쾅트룽 , 김도일
IPC分类号： H01L29/10 , H01L27/04 , H01L27/20 , H01L41/047
摘要： 압력과 자기장을 측정할 수 있는 전계효과 트랜지스터형 센서가 개시된다. 압력과 자기장을 측정할 수 있는 전계효과 트랜지스터형 센서는 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 피복하고, 상기 게이트 전극을 절연시키며, 압전물질과 강자성물질을 포함하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 채널층; 및 서로 이격된 상태로 상기 채널층과 각각 전기적으로 연결된 소스 전극과 드레인 전극을 포함한다.
摘要翻译：公开了用于测量压力和磁场的场效应晶体管型传感器。用于测量压力和磁场的场效应晶体管型传感器包括基板，形成在基板上的栅电极，涂覆栅电极的栅极绝缘层，绝缘栅极，并且包括压电材料和铁磁材料，形成在栅绝缘层上的沟道层，以及源电极和漏电极，它们彼此分离并电连接到沟道层。

8. 发明公开

KR1020140032093A 압력 센서 및 압력 센싱 방법 审中-实审
标题翻译：压力传感器及使用该压力传感器的压力方法
公开(公告)号：KR1020140032093A
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020120098486
申请日：2012-09-05
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 전상훈 , 박종진 , 뉘엔탄티엔 , 배지현 , 변경은 , 이내응 , 김도일 , 트란쾅트룽
IPC分类号： G01L9/06 , H01L29/84
CPC分类号： G01L1/16 , H01L29/84
摘要： Disclosed are a pressure sensor and a method for sensing pressure. The disclosed pressure sensor includes: a substrate; a sensor thin film transistor formed on the substrate with a gate insulating layer in which the gate insulating layer includes an organic matrix where piezoelectric inorganic nanoparticles are dispersed; a power supplying source which applies an alternating current to the gate of the sensor thin film transistor; and a pressure sensing unit which senses pressure by obtaining a residual polarization value using a drain current detected from the sensor thin film transistor. [Reference numerals] (100) Pressure sensing unit; (70) Power unit
摘要翻译：公开了一种用于感测压力的压力传感器和方法。所公开的压力传感器包括：基板; 形成在基板上的传感器薄膜晶体管，栅极绝缘层，栅绝缘层包括其中分散有压电无机纳米颗粒的有机基体; 向所述传感器薄膜晶体管的栅极施加交流电的供电源; 以及压力感测单元，其通过使用从传感器薄膜晶体管检测到的漏极电流获得残留极化值来感测压力。（附图标记）（100）压力感测单元; （70）动力单元

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