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1. 发明公开

KR1020140003027A 박막트랜지스터 및 이를 위한 산화아연계 스퍼터링 타겟 有权
标题翻译：薄膜晶体管和氧化锌基溅射靶
公开(公告)号：KR1020140003027A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：KR1020120070390
申请日：2012-06-29
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 이윤규 , 김도현 , 김동조 , 박주옥 , 손인성 , 윤상원 , 이건효 , 이용진 , 전우석
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： H01L29/78693 , C23C14/0036 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L29/45
摘要： The present invention discloses a thin film transistor of a crystalline thin film. The transistor includes a metal electrode and a zinc oxide based blocking layer for preventing the diffusion of a material from the metal electrode. The zinc oxide based blocking layer is doped with 1-50 wt% of indium oxide in regards to zinc oxide. The present invention provides a zinc oxide based sputtering target for a thin film transistor blocking layer deposition that is doped with 1-50 wt% of indium oxide in regards to zinc oxide.
摘要翻译：本发明公开了一种结晶薄膜的薄膜晶体管。晶体管包括用于防止材料从金属电极扩散的金属电极和氧化锌基阻挡层。相对于氧化锌，氧化锌基阻挡层掺杂有1-50重量％的氧化铟。本发明提供一种用于薄膜晶体管阻挡层沉积的基于氧化锌的溅射靶，该氧化锌相对于氧化锌掺杂有1-50重量％的氧化铟。

2. 发明公开

KR1020140106813A 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터 有权
标题翻译：基于ZNO的溅射靶，其制备方法和具有相同掩蔽层的薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020140106813A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020130020890
申请日：2013-02-27
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 김동조 , 박주옥 , 손인성 , 윤상원 , 이건효 , 이용진 , 이윤규 , 김도현 , 전우석
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/453
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/3414
摘要： The present invention relates to a zinc oxide-based sputtering target, a method for manufacturing the zinc oxide-based sputtering target, and a thin film transistor with a shielding layer deposited by the method and, more specifically, to a zinc oxide-based sputtering target, a method for manufacturing the zinc oxide-based sputtering target, and a thin film transistor with a shielding layer deposited by the method capable of performing DC sputtering and increasing contacting and etching performances of the shielding layer deposited by the DC sputtering. The zinc oxide-based sputtering target comprises a sintered body which is made of zinc oxide doped with indium(III) oxide of 1-50 wt%; and a backing plate which is coupled to a rear surface of the sintered body to support the sintered body.
摘要翻译：本发明涉及一种氧化锌系溅射靶，该氧化锌系溅射靶的制造方法以及具有通过该方法沉积的屏蔽层的薄膜晶体管，更具体地，涉及一种氧化锌系溅射靶目标，氧化锌系溅射靶的制造方法以及通过能够进行直流溅射的方法沉积的屏蔽层的薄膜晶体管，并且增加通过DC溅射沉积的屏蔽层的接触和蚀刻性能。氧化锌系溅射靶包括由氧化锌掺杂为1-50重量％的氧化铟（III）制成的烧结体; 以及与烧结体的后表面连接以支撑烧结体的背板。

3. 发明授权

KR101389911B1 박막트랜지스터 및 이를 위한 산화아연계 스퍼터링 타겟 有权
标题翻译：薄膜晶体管和氧化锌基溅射靶相同
公开(公告)号：KR101389911B1
公开(公告)日：2014-04-29
申请号：KR1020120070390
申请日：2012-06-29
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 이윤규 , 김도현 , 김동조 , 박주옥 , 손인성 , 윤상원 , 이건효 , 이용진 , 전우석
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： H01L29/78693 , C23C14/0036 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414
摘要： 본 발명은, 금속 전극과, 상기 금속 전극으로부터 물질이 확산되는 것을 차단하는 산화아연계 차단막을 포함하고, 상기 산화아연계 차단막은, 산화아연에 전체 중량 대비 1~50wt%의 산화인듐이 도핑되어 이루어지고, 결정질 박막인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 제공한다. 또한, 본 발명은 산화아연에 전체 중량 대비 1~50wt%의 산화인듐이 도핑된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 차단막 증착용 산화아연계 스퍼터링타겟을 제공한다.

4. 发明公开

KR1020140006700A 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터 无效
标题翻译：基于ZNO的溅射靶，其制备方法和具有相同掩蔽层的薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020140006700A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020120155995
申请日：2012-12-28
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 김동조 , 김도현 , 전우석 , 박주옥 , 손인성 , 윤상원 , 이건효 , 이용진 , 이윤규
IPC分类号： C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/34 , H01L21/02554 , H01L21/02631
摘要： The present invention relates to a ZnO based sputtering target, a manufacturing method, and a thin-film transistor having a barrier deposited through the same and, more specifically, to a ZnO based sputtering target, a manufacturing method, and a thin-film transistor having a barrier deposited through the same, capable of DC sputtering and improving contact properties and etching characteristics. The ZnO based sputtering target comprises: a sintered body composed of zinc oxide doped with 5-40 wt% of gallium oxide; and a backing plate joined to the rear surface of the sintered body to support the sintered body.
摘要翻译：本发明涉及一种ZnO系溅射靶，制造方法以及具有通过其形成的阻挡层的薄膜晶体管，更具体地，涉及ZnO系溅射靶，制造方法和薄膜晶体管具有通过其形成的阻挡层，能够进行DC溅射并改善接触性能和蚀刻特性。 ZnO系溅射靶包括：由掺杂有5-40重量％的氧化镓的氧化锌组成的烧结体; 以及与烧结体的后表面接合以支撑烧结体的背板。

5. 发明授权

KR101512819B1 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터 有权
标题翻译：氧化锌类溅射靶，其制造方法，以及该薄膜晶体管具有与所述沉积的阻挡膜
公开(公告)号：KR101512819B1
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：KR1020130020890
申请日：2013-02-27
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 김동조 , 박주옥 , 손인성 , 윤상원 , 이건효 , 이용진 , 이윤규 , 김도현 , 전우석
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/453
摘要： 본 발명은 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 DC 스퍼터링이 가능하고, 이를 통해 증착되는 차단막의 접촉성 및 에칭 특성을 향상시킬 수 있는 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 산화인듐이 1~50wt% 도핑되어 있는 산화아연으로 이루어진 소결체; 및 상기 소결체의 후면에 접합되어 상기 소결체를 지지하는 백킹 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터를 제공한다.
摘要翻译：本发明是锌的溅射靶，其制造方法，以及可能的更具体地涉及DC溅射涉及一种具有在其上沉积的阻挡膜的薄膜晶体管，并能改善屏障接触电阻和通过该氧化物沉积的蚀刻特性并且具有通过溅射靶沉积的阻挡膜的薄膜晶体管。

6. 发明授权

KR101990964B1 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101990964B1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：KR1020120023610
申请日：2012-03-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주 , 김준걸 , 김도현 , 이우근
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1362

7. 发明授权

KR101934977B1 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101934977B1
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：KR1020110077021
申请日：2011-08-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김도현 , 강윤호 , 이동훈 , 박상호 , 유세환 , 김철규 , 이용수 , 조성행 , 장종섭 , 김동조 , 이정규
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L51/50

8. 发明授权

KR101909704B1 표시 기판 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101909704B1
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：KR1020110013919
申请日：2011-02-17
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김기원 , 이제훈 , 조성행 , 이우근 , 윤갑수 , 김도현 , 최승하
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1288
摘要： 제품신뢰성및 생산성을향상시킨표시기판및 이의제조방법이개시된다. 표시기판은베이스기판상에일 방향으로연장된데이터라인, 상기데이터라인과연결된입력전극및 상기입력전극과이격된출력전극사이의이격영역에서, 상기입력전극및 상기출력전극상에접촉하여배치된채널패턴, 상기채널패턴과이격되어상기베이스기판상에형성되고, 상기출력전극을노출시키는콘택홀이형성된절연패턴및 상기절연패턴상에형성되어상기콘택홀을통해서상기출력전극과콘택하는화소전극을포함한다. 이에따라, 산화물반도체층의손상을최소화하고제조공정을단순화할수 있다.

9. 发明授权

KR101711870B1 박막트랜지스터, 그 제조방법 및 박막트랜지스터를 이용한 표시기판 有权
标题翻译：薄膜晶体管制造方法及其使用薄膜晶体管的显示基板
公开(公告)号：KR101711870B1
公开(公告)日：2017-03-06
申请号：KR1020090129888
申请日：2009-12-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김도현 , 정기훈 , 이동훈 , 윤갑수 , 최재호 , 양성훈 , 윤필상 , 서승미
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78633
摘要： 본발명은, 산화물반도체층에외부광이유입되는것을차단하여반도체특성이열화되는것을방지할수 있는박막트랜지스터와그 제조방법및 상기박막트랜지스터를스위칭소자로이용하여표시품질이향상된표시기판에관한것으로서, 본발명에따른박막트랜지스터는산화물반도체층; 상기산화물반도체층의채널영역과중첩되도록상기산화물반도체층위에형성된보호층; 상기산화물반도체층과상기보호층사이에형성된불투명층; 상기산화물반도체층의일측에접촉된소스전극; 상기채널영역을사이에두고상기소스전극과마주보도록상기산화물반도체층의다른측에접촉된드레인전극; 상기산화물반도체층에전계를인가하는게이트전극; 및상기게이트전극과상기산화물반도체층사이에형성된게이트절연층을포함하여구성된다.
摘要翻译：本发明公开了一种薄膜晶体管（TFT），TFT的制造方法和使用该TFT的显示基板，其可以通过阻挡外部光进入沟道区域来防止包含在TFT中的氧化物半导体的特性劣化的氧化物半导体。 TFT包括氧化物半导体层; 与所述氧化物半导体层的沟道区域重叠的保护层; 设置在所述氧化物半导体层和所述保护层之间的不透明层; 与氧化物半导体层的第一面接触的源电极; 漏电极，与所述氧化物半导体层的第二侧接触，并跨过所述沟道区面对所述源电极; 用于向氧化物半导体层施加电场的栅电极; 以及设置在栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层。

10. 发明授权

KR101707039B1 표시 기판 有权
标题翻译：显示基板
公开(公告)号：KR101707039B1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：KR1020160033611
申请日：2016-03-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김기원 , 윤갑수 , 김도현 , 이현정
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/768 , G02F1/1368
摘要： 표시기판이제공된다. 본발명의일 실시예에따른표시기판은절연기판상에형성된게이트배선, 게이트배선상에형성되며산화물반도체를포함하는산화물반도체패턴, 및산화물반도체패턴상에게이트배선과교차되도록형성된데이터배선을포함하며, 산화물반도체패턴은제1 산화물및 제3 원소를포함하며, 제3 원소는수직방향으로농도구배를가진다.
摘要翻译：提供了具有可靠性和安全性的显示基板。根据本发明的实施例的显示基板包括形成在绝缘基板上的栅极线，形成在栅极线上并包括氧化物半导体的氧化物半导体图案，以及与栅极线相交的数据线氧化物半导体图案。氧化物半导体图案包括第一氧化物和第三元素。第三元素在垂直方向上具有浓度梯度。

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