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1. 发明授权

KR101427585B1 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管，显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101427585B1
公开(公告)日：2014-08-08
申请号：KR1020080001369
申请日：2008-01-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 송준호 , 김주한 , 김형준 , 조성행 , 정기훈 , 심승환
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78669 , G09G3/3233 , G09G2300/0439 , G09G2300/0842 , H01L27/1229 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L27/3262 , H01L29/66765 , H01L29/78678 , H01L29/78696
摘要： 본 발명은 제1 제어 전극, 상기 제1 제어 전극 위에 형성되어 있는 제1 반도체, 그리고 상기 제1 반도체 위에서 서로 마주하는 제1 입력 전극 및 제1 출력 전극을 포함하는 제1 박막 트랜지스터, 그리고 제2 제어 전극, 상기 제2 제어 전극 위에 형성되어 있는 제2 반도체, 상기 제2 반도체 위에서 서로 마주하는 제2 입력 전극 및 제2 출력 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 반도체는 다결정 규소를 포함하는 제1 하부 반도체, 그리고 상기 제1 하부 반도체 위에 형성되어 있으며 비정질 규소를 포함하는 제1 상부 반도체를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
박막 트랜지스터, 표시부, 구동부, 다결정 반도체, 레이저, 배면 노광

2. 发明公开

KR1020130126240A 박막 트랜지스터 표시판 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列
公开(公告)号：KR1020130126240A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020120050177
申请日：2012-05-11
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 김도현 , 최영주 , 이동훈 , 조성행
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要： A thin film transistor array panel is provided. A thin film transistor array panel according to one embodiment of the present invention is positioned on a substrate and, more specifically, is positioned on: a gate line which includes an electrode; a semiconductor layer which is formed with an oxide semiconductor positioned on the substrate; and the substrate. The thin film transistor array panel includes a data wiring layer including: a data line which intersects the gate line; a source electrode which is connected to the data line; and a drain electrode which faces the source electrode, wherein the data wiring layer includes a barrier layer and a main wiring layer which is positioned on the barrier layer, the main wiring layer includes copper or copper alloy, and the barrier layer includes a metallic oxide.
摘要翻译：提供薄膜晶体管阵列面板。根据本发明的一个实施例的薄膜晶体管阵列面板位于基板上，更具体而言，位于：包括电极的栅极线; 形成有位于所述基板上的氧化物半导体的半导体层; 和基板。薄膜晶体管阵列面板包括：数据布线层，包括：与栅极线相交的数据线; 连接到数据线的源电极; 以及面对所述源电极的漏电极，其中所述数据布线层包括阻挡层和位于所述阻挡层上的主布线层，所述主布线层包括铜或铜合金，并且所述阻挡层包括金属氧化物。

3. 发明公开

KR1020120097152A 배선, 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판과 이들을 제조하는 방법들 审中-实审
标题翻译：导线，薄膜晶体管，薄膜晶体管板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120097152A
公开(公告)日：2012-09-03
申请号：KR1020110016549
申请日：2011-02-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 조성행 , 김경섭 , 조동연
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/7869 , H01L27/124
摘要： PURPOSE: Wiring, a thin film transistor, a thin film transistor display board, and methods for manufacturing the same are provided to provide a thin film transistor display board having excellent reliability by applying a copper wire for a display device having high definition and large size. CONSTITUTION: A gate insulating layer(140) is formed on a gate electrode. A linear semiconductor(154) is formed on the gate insulating layer. A drain electrode(175) and a source electrode(173) are formed to be spaced on the linear semiconductor. A first metal diffusion barrier layer(178) prevents the diffusion of metal atoms. A second metal diffusion barrier layer(179) is formed on the first metal diffusion barrier layer.
摘要翻译：目的：提供布线，薄膜晶体管，薄膜晶体管显示板及其制造方法，以通过对具有高清晰度和大尺寸的显示装置应用铜线来提供具有优异可靠性的薄膜晶体管显示板。构成：在栅电极上形成栅极绝缘层（140）。在栅极绝缘层上形成线状半导体（154）。漏电极（175）和源电极（173）形成为在线性半导体上间隔开。第一金属扩散阻挡层（178）防止金属原子的扩散。在第一金属扩散阻挡层上形成第二金属扩散阻挡层（179）。

4. 发明公开

KR1020110106618A 박막 트랜지스터의 제조 방법 无效
公开(公告)号：KR1020110106618A
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：KR1020100025766
申请日：2010-03-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최용모 , 김형준 , 조성행
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/66765
摘要： 박막 트랜지스터의 제조 방법이 제공된단. 박막 트랜지스터의 제조 방법은 기판의 일면 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하고, 기판, 소스 전극 및 드레인 전극 상에 제1 반도체층을 형성하고, 제1 반도체층 상에 제2 반도체층을 형성하고, 기판의 타면에서 레이저를 조사하여 제1 및 제2 반도체층에 채널 영역을 형성하는 것을 포함한다.

5. 发明公开

KR1020110087909A 표시기판 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110087909A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：KR1020100007562
申请日：2010-01-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김형준 , 조성행 , 최용모
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L27/12 , G02F1/1362
CPC分类号： G11C19/28 , G02F1/1362 , G02F2202/104 , G11C19/184 , G02F1/1368 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , H01L27/1222
摘要： PURPOSE: A display substrate and a method for manufacturing the same are provided to improve the driving property of the display substrate. CONSTITUTION: A display substrate comprises a base substrate(101) which includes a peripheral area covering the display area, a first insulation layer(120) which is formed on the base substrate, a pixel part which includes a pixel electrode which is formed with a transparent conduction material, a first channel layer which includes a polycrystalline silicon layer on the base substrate, and a first source electrode and a first drain electrode which are separately formed on the first channel.
摘要翻译：目的：提供显示基板及其制造方法，以提高显示基板的驱动性能。构成：显示基板包括：基板（101），其包括覆盖显示区域的周边区域;形成在基板上的第一绝缘层（120）;像素部分，其包括形成有像素电极透明导电材料，在基底基板上包括多晶硅层的第一沟道层，以及分别形成在第一沟道上的第一源电极和第一漏电极。

6. 发明授权

KR101671952B1 표시 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101671952B1
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020100071391
申请日：2010-07-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 이동훈 , 조성행 , 이우근 , 류혜영 , 최영주
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 표시기판은게이트라인, 데이터라인, 게이트절연층, 박막트랜지스터및 화소전극을포함한다. 게이트라인은베이스기판위에제1 방향으로연장된다. 데이터라인은제1 방향과교차하는제2 방향으로연장된다. 게이트절연층은게이트라인및 게이트전극위에형성된다. 박막트랜지스터는게이트라인과전기적으로연결된게이트전극, 인듐을포함하는산화물을포함하는제1 반도체패턴및 인듐-프리산화물을포함하는제2 반도체패턴을포함하는산화물반도체패턴, 및산화물반도체패턴위에서로이격배치된소스및 드레인전극들을포함한다. 화소전극은드레인전극과전기적으로연결된다. 이에따라, 산화물반도체패턴에포함된원소가석출되는것을방지할수 있으므로, 박막트랜지스터의전기적특성을향상시킬수 있다.
摘要翻译：显示基板包括在基底基板上沿第一方向延伸的栅极线，在基底基板上的数据线，并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸，栅极线上的栅极绝缘层，薄膜晶体管和像素电极。薄膜晶体管包括栅电极，电极连接栅极线，氧化物半导体图案以及氧化物半导体图案上的源电极和漏电极并彼此间隔开。氧化物半导体图案包括包括氧化铟的第一半导体图案和包含无铟氧化物的第二半导体图案。像素电极与漏电极电连接。

7. 发明公开

KR1020120094575A 표시 기판 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示基板和制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020120094575A
公开(公告)日：2012-08-27
申请号：KR1020110013919
申请日：2011-02-17
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김기원 , 이제훈 , 조성행 , 이우근 , 윤갑수 , 김도현 , 최승하
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/41733
摘要： PURPOSE: A display substrate and a manufacturing method thereof are provided to increase reliability and production of a thin film transistor with an oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: An insulation pattern(IP) is separated from a channel pattern. The insulation pattern is formed on a base substrate. A contact hole is formed in the insulation pattern. An output electrode is exposed through the contact hole. A pixel electrode(PE) is formed on the insulation pattern. The pixel electrode contacts the output electrode through the contact hole.
摘要翻译：目的：提供显示基板及其制造方法，以提高具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的可靠性和生产。构成：绝缘图案（IP）与通道图案分离。绝缘图案形成在基底基板上。在绝缘图案中形成接触孔。输出电极通过接触孔露出。在绝缘图案上形成像素电极（PE）。像素电极通过接触孔接触输出电极。

8. 发明公开

KR1020120009993A 표시 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120009993A
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：KR1020100071391
申请日：2010-07-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 이동훈 , 조성행 , 이우근 , 류혜영 , 최영주
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/45 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A display substrate and a manufacturing method thereof are provided to prevent an ion included in an oxide semiconductor to be reduced and deposited by forming an oxide semiconductor pattern into a double-layered structure. CONSTITUTION: A gate line is extended to a first direction. A data line is extended to a second direction crossing with the first direction. A gate isolation layer(120) is formed in order to cover the data line and a gate electrode of a thin film transistor(TR). The gate electrode is electrically connected to the gate line. The gate isolation layer is formed into a double-layered structure consisting of a first gate isolation layer(122) and a second gate insulating layer(124). The thin film transistor comprises an oxide semiconductor pattern(136), a source electrode(142), and a drain electrode(144).
摘要翻译：目的：提供显示基板及其制造方法，以通过将氧化物半导体图案形成为双层结构来防止氧化物半导体中包含的离子被还原和沉积。构成：栅极线延伸到第一个方向。数据线延伸到与第一方向交叉的第二方向。为了覆盖数据线和薄膜晶体管（TR）的栅电极，形成栅极隔离层（120）。栅电极与栅极线电连接。栅极隔离层形成为由第一栅极隔离层（122）和第二栅极绝缘层（124）构成的双层结构。薄膜晶体管包括氧化物半导体图案（136），源电极（142）和漏电极（144）。

9. 发明公开

KR1020110087056A 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 그를 포함하는 표시 장치 无效
标题翻译：晶体管和晶体管显示器件的TFT晶体管和方法
公开(公告)号：KR1020110087056A
公开(公告)日：2011-08-02
申请号：KR1020100006506
申请日：2010-01-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조성행 , 정창오 , 최용모
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/133
CPC分类号： H01L29/458 , G02F1/1368
摘要： PURPOSE: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a display device including the same are provided to not deposit a metal diffusion barrier additionally in wiring formation, thereby enabling a user to easily perform an etching process. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a first ohmic layer, a second ohmic layer, a source electrode and drain electrode, and a metal silicide layer. The second ohmic layer is formed on the first ohmic layer. The source electrode and drain electrode are arranged on the second ohmic layer. The second ohmic layer includes the metal silicide layer. The first ohmic layer includes a nonmetallic layer. The nonmetallic layer includes an amorphous silicon layer.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的显示装置，用于在布线形成中不会沉积金属扩散阻挡层，从而使用户能够容易地进行蚀刻处理。构成：薄膜晶体管包括第一欧姆层，第二欧姆层，源电极和漏电极以及金属硅化物层。第二欧姆层形成在第一欧姆层上。源电极和漏极布置在第二欧姆层上。第二欧姆层包括金属硅化物层。第一欧姆层包括非金属层。非金属层包括非晶硅层。

10. 发明授权

KR101934977B1 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101934977B1
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：KR1020110077021
申请日：2011-08-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김도현 , 강윤호 , 이동훈 , 박상호 , 유세환 , 김철규 , 이용수 , 조성행 , 장종섭 , 김동조 , 이정규
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L51/50

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