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1. 发明公开

KR1020140003027A 박막트랜지스터 및 이를 위한 산화아연계 스퍼터링 타겟 有权
标题翻译：薄膜晶体管和氧化锌基溅射靶
公开(公告)号：KR1020140003027A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：KR1020120070390
申请日：2012-06-29
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 이윤규 , 김도현 , 김동조 , 박주옥 , 손인성 , 윤상원 , 이건효 , 이용진 , 전우석
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： H01L29/78693 , C23C14/0036 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L29/45
摘要： The present invention discloses a thin film transistor of a crystalline thin film. The transistor includes a metal electrode and a zinc oxide based blocking layer for preventing the diffusion of a material from the metal electrode. The zinc oxide based blocking layer is doped with 1-50 wt% of indium oxide in regards to zinc oxide. The present invention provides a zinc oxide based sputtering target for a thin film transistor blocking layer deposition that is doped with 1-50 wt% of indium oxide in regards to zinc oxide.
摘要翻译：本发明公开了一种结晶薄膜的薄膜晶体管。晶体管包括用于防止材料从金属电极扩散的金属电极和氧化锌基阻挡层。相对于氧化锌，氧化锌基阻挡层掺杂有1-50重量％的氧化铟。本发明提供一种用于薄膜晶体管阻挡层沉积的基于氧化锌的溅射靶，该氧化锌相对于氧化锌掺杂有1-50重量％的氧化铟。

2. 发明公开

KR1020140106813A 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터 有权
标题翻译：基于ZNO的溅射靶，其制备方法和具有相同掩蔽层的薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020140106813A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020130020890
申请日：2013-02-27
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 김동조 , 박주옥 , 손인성 , 윤상원 , 이건효 , 이용진 , 이윤규 , 김도현 , 전우석
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/453
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/3414
摘要： The present invention relates to a zinc oxide-based sputtering target, a method for manufacturing the zinc oxide-based sputtering target, and a thin film transistor with a shielding layer deposited by the method and, more specifically, to a zinc oxide-based sputtering target, a method for manufacturing the zinc oxide-based sputtering target, and a thin film transistor with a shielding layer deposited by the method capable of performing DC sputtering and increasing contacting and etching performances of the shielding layer deposited by the DC sputtering. The zinc oxide-based sputtering target comprises a sintered body which is made of zinc oxide doped with indium(III) oxide of 1-50 wt%; and a backing plate which is coupled to a rear surface of the sintered body to support the sintered body.
摘要翻译：本发明涉及一种氧化锌系溅射靶，该氧化锌系溅射靶的制造方法以及具有通过该方法沉积的屏蔽层的薄膜晶体管，更具体地，涉及一种氧化锌系溅射靶目标，氧化锌系溅射靶的制造方法以及通过能够进行直流溅射的方法沉积的屏蔽层的薄膜晶体管，并且增加通过DC溅射沉积的屏蔽层的接触和蚀刻性能。氧化锌系溅射靶包括由氧化锌掺杂为1-50重量％的氧化铟（III）制成的烧结体; 以及与烧结体的后表面连接以支撑烧结体的背板。

3. 发明授权

KR101389911B1 박막트랜지스터 및 이를 위한 산화아연계 스퍼터링 타겟 有权
标题翻译：薄膜晶体管和氧化锌基溅射靶相同
公开(公告)号：KR101389911B1
公开(公告)日：2014-04-29
申请号：KR1020120070390
申请日：2012-06-29
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 이윤규 , 김도현 , 김동조 , 박주옥 , 손인성 , 윤상원 , 이건효 , 이용진 , 전우석
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： H01L29/78693 , C23C14/0036 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414
摘要： 본 발명은, 금속 전극과, 상기 금속 전극으로부터 물질이 확산되는 것을 차단하는 산화아연계 차단막을 포함하고, 상기 산화아연계 차단막은, 산화아연에 전체 중량 대비 1~50wt%의 산화인듐이 도핑되어 이루어지고, 결정질 박막인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 제공한다. 또한, 본 발명은 산화아연에 전체 중량 대비 1~50wt%의 산화인듐이 도핑된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 차단막 증착용 산화아연계 스퍼터링타겟을 제공한다.

4. 发明公开

KR1020140006700A 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터 无效
标题翻译：基于ZNO的溅射靶，其制备方法和具有相同掩蔽层的薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020140006700A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020120155995
申请日：2012-12-28
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 김동조 , 김도현 , 전우석 , 박주옥 , 손인성 , 윤상원 , 이건효 , 이용진 , 이윤규
IPC分类号： C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/34 , H01L21/02554 , H01L21/02631
摘要： The present invention relates to a ZnO based sputtering target, a manufacturing method, and a thin-film transistor having a barrier deposited through the same and, more specifically, to a ZnO based sputtering target, a manufacturing method, and a thin-film transistor having a barrier deposited through the same, capable of DC sputtering and improving contact properties and etching characteristics. The ZnO based sputtering target comprises: a sintered body composed of zinc oxide doped with 5-40 wt% of gallium oxide; and a backing plate joined to the rear surface of the sintered body to support the sintered body.
摘要翻译：本发明涉及一种ZnO系溅射靶，制造方法以及具有通过其形成的阻挡层的薄膜晶体管，更具体地，涉及ZnO系溅射靶，制造方法和薄膜晶体管具有通过其形成的阻挡层，能够进行DC溅射并改善接触性能和蚀刻特性。 ZnO系溅射靶包括：由掺杂有5-40重量％的氧化镓的氧化锌组成的烧结体; 以及与烧结体的后表面接合以支撑烧结体的背板。

5. 发明授权

KR101512819B1 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터 有权
标题翻译：氧化锌类溅射靶，其制造方法，以及该薄膜晶体管具有与所述沉积的阻挡膜
公开(公告)号：KR101512819B1
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：KR1020130020890
申请日：2013-02-27
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재우 , 김동조 , 박주옥 , 손인성 , 윤상원 , 이건효 , 이용진 , 이윤규 , 김도현 , 전우석
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/453
摘要： 본 발명은 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 DC 스퍼터링이 가능하고, 이를 통해 증착되는 차단막의 접촉성 및 에칭 특성을 향상시킬 수 있는 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 산화인듐이 1~50wt% 도핑되어 있는 산화아연으로 이루어진 소결체; 및 상기 소결체의 후면에 접합되어 상기 소결체를 지지하는 백킹 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터를 제공한다.
摘要翻译：本发明是锌的溅射靶，其制造方法，以及可能的更具体地涉及DC溅射涉及一种具有在其上沉积的阻挡膜的薄膜晶体管，并能改善屏障接触电阻和通过该氧化物沉积的蚀刻特性并且具有通过溅射靶沉积的阻挡膜的薄膜晶体管。

6. 发明公开

KR1020150025004A 스퍼터링 타겟 제조방법 无效
标题翻译：制造喷射目标的方法
公开(公告)号：KR1020150025004A
公开(公告)日：2015-03-10
申请号：KR1020130102088
申请日：2013-08-28
申请人： 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사
发明人： 윤상원 , 이윤규 , 김동조 , 이용진 , 박주옥
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/12
摘要： 본 발명은 스퍼터링 타겟 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 증착 효율을 향상시킬 수 있는 스퍼터링 타겟 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 산화인듐(In
2 O
3 ) 분말, 산화갈륨(Ga
2 O
3 ) 분말 및 산화아연(ZnO) 분말을 각각 분산시키는 분말 분산단계; 분산시킨 상기 산화인듐 분말, 산화갈륨 분말 및 산화아연 분말을 혼합하여 슬러리로 만드는 슬러리화단계; 상기 슬러리를 과립분말로 만드는 과립화단계; 상기 과립분말을 성형체로 만드는 성형단계; 및 상기 성형체를 소결하여 소결체로 만드는 소결단계를 포함하되, 상기 소결단계에서는 1200~1400℃로 상기 성형체를 소결하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造溅射靶的方法，更具体地说，涉及一种能够提高沉积效率的溅射靶的制造方法。提供一种制造溅射靶的方法，其包括以下步骤：分别散射铟（III）氧化物（In2O3）粉末，氧化镓（Ga2O3）粉末和氧化锌（ZnO）粉末）; 混合分散的In2O3粉末，Ga2O3粉末和ZnO粉末形成浆料; 将浆料成粒成粉末; 将成粒体形成成形体; 并烧结成形体以形成烧结体，其中成型体在1200-1400℃的温度范围内烧结。

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