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    • 3. 发明公开
    • 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
    • 薄膜晶体管板及其制造方法
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    • 2015-06-08
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    • 2013-11-28
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    • 최영주김준걸정승호조강문
    • H01L29/786H01L21/336G02F1/1368
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    • 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터표시판은절연기판, 절연기판위에배치되어있으며, 게이트전극을포함하는게이트선, 절연기판위에배치되어있으며, 게이트선과분리되어있고, 확장부를포함하는기준전극선, 절연기판, 게이트선및 기준전극선위에배치되어있는제1 게이트절연막, 제1 게이트절연막위에배치되어있으며, 게이트전극과중첩하는반도체층, 반도체층및 제1 게이트절연막위에배치되어있으며, 반도체층을노출하는반도체개구부를포함하는제2 게이트절연막, 제2 게이트절연막및 반도체층위에배치되어있으며, 소스전극을포함하는데이터선및 소스전극과마주하는드레인전극, 데이터선, 드레인전극및 제2 게이트절연막위에배치되어있는제1 보호막, 제1 보호막위에배치되어있는제2 보호막, 제2 보호막위에배치되어있는제1 전기장생성전극, 제1 전기장생성전극위에배치되어있는제3 보호막, 제1 보호막, 제2 보호막및 제3 보호막에배치되어있고, 드레인전극의일부를드러내는제1 접촉구멍, 그리고제3 보호막위에배치되어있으며, 제1 접촉구멍을통하여드레인전극과연결되어있는제2 전기장생성전극을포함하고, 반도체층은산화물반도체층및 산화물반도체층위에배치되어있으며, 서로분리되어있는제1 보조층및 제2 보조층을포함하고, 드레인전극의가장자리는제1 보조층의가장자리의안쪽에배치되어있고, 소스전극의가장자리는제2 보조층의가장자리의안쪽에배치되어있다.
    • 根据本发明实施例的薄膜晶体管显示面板包括:绝缘基板; 设置在所述绝缘基板上并具有栅电极的栅极线; 设置在所述绝缘基板上的参考电极线,与所述栅极线分离,并具有延伸单元; 设置在所述绝缘基板,所述栅极线和所述参考电极线上的第一栅极绝缘膜; 半导体层,设置在所述第一栅极绝缘膜上并与所述栅电极重叠; 设置在所述半导体层上的第二栅极绝缘膜和所述第一栅极绝缘膜,并且设置有半导体开口部分以暴露所述半导体层; 设置在所述第二栅极绝缘膜上的漏电极和所述半导体层,以面向包括源电极和所述源电极的数据线; 设置在数据线上的第一保护膜,漏电极和第二栅绝缘膜; 设置在第一保护膜上的第二保护膜; 设置在所述第二保护膜上的第一电场产生电极; 设置在第一电场产生电极上的第三保护膜; 设置在所述第一保护膜上的第一接触孔,所述第二保护膜和所述第三保护膜,以暴露所述漏电极的一部分; 以及第二电场产生电极,设置在第三保护膜上并通过第一接触孔连接到漏电极。 半导体层设置在氧化物半导体层和氧化物半导体层上,并且包括彼此分离的第一辅助层和第二辅助层。 漏电极的边缘设置在第一辅助层的边缘的内侧,源电极的边缘设置在第二辅助层的边缘的内侧。