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1. 发明授权

KR101652826B1 반도체 소자 및 그 구동 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其驱动方法
公开(公告)号：KR101652826B1
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：KR1020100001878
申请日：2010-01-08
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 오정훈 , 유경창 , 박병국 , 오경석 , 백인규
IPC分类号： G11C16/00 , G11C16/30 , G11C11/21
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/102 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 본발명은저항성메모리재료막을이용한반도체소자및 그구동방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른반도체소자는, 기판상에적어도하나의메모리셀들을포함하는반도체소자이며, 상기적어도하나의메모리셀들은, 인가되는전압에따라각각저저항상태또는고저항상태로가역적으로스위칭되며, 서로직렬연결된단극가변저항및 양극가변저항을포함한다.

2. 发明公开

KR1020110081623A 반도체 소자 및 그 구동 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020110081623A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001878
申请日：2010-01-08
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 오정훈 , 유경창 , 박병국 , 오경석 , 백인규
IPC分类号： G11C16/00 , G11C16/30 , G11C11/21
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/102 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： PURPOSE: A semiconductor devices and a method of driving the same are provided to implement high integration by preventing the interference between nonvolatile memory cells. CONSTITUTION: In a semiconductor devices and a method of driving the same, a unit cell structure(1) comprises electrode layers(M1,M2), a bipolar resistance memory material film(RM1), and a unipolar resistance memory material film(RM2) The bipolar resistance memory material film and the unipolar resistance memory material film are formed between electrode layers which are opposite to each other. The bipolar resistance memory material film and the unipolar resistance memory material film are electrically serially connected. The electrode layers include resistance memory material films which are connected to conductive lines respectively.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其驱动方法，以通过防止非易失性存储单元之间的干扰来实现高集成度。构成：在半导体器件及其驱动方法中，单元电池结构（1）包括电极层（M1，M2），双极性电阻记忆材料膜（RM1）和单极电阻存储材料膜（RM2）双极性电阻记忆材料膜和单极电阻记忆材料膜形成在彼此相对的电极层之间。双极性电阻记忆材料膜和单极性电阻记忆材料膜电连接。电极层包括分别连接到导线的电阻记忆材料膜。

3. 发明授权

KR102070089B1 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치 有权
公开(公告)号：KR102070089B1
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：KR1020130126501
申请日：2013-10-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박명보 , 오경석 , 송호영
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62 , H01L33/48

4. 发明授权

KR102006734B1 음성 신호의 처리 방법 및 무선 통신 단말 有权
公开(公告)号：KR102006734B1
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：KR1020120104861
申请日：2012-09-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 방경호 , 김양수 , 오경석 , 김준태 , 윤근혁 , 최철민
IPC分类号： G10L21/02 , H03G5/00 , H04B1/40

5. 发明授权

KR102002782B1 팽창성 부재를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102002782B1
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：KR1020120099927
申请日：2012-09-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김신혜 , 라상호 , 이정규 , 줄카나인 , 오경석 , 강상범 , 이승재 , 이정찬
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/78

6. 发明公开

KR1020170142098A 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020170142098A
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：KR1020170022012
申请日：2017-02-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 키틀조지에이. , 오경석 , 김성민
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/225
CPC分类号： H01L21/76205 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L21/76224
摘要： 반도체장치의제조방법이제공된다. 반도체장치의제조방법은, 반도체구조체내의캐비티내에, 제1 물질을포함하는제1 층을형성하고, 상기반도체구조체에대해, 상기반도체구조체를제1 시간간격동안적어도 100도의온도로처리하는것을포함하는제1 열처리공정을수행하고, 상기제1 층을에치백(etch back)하여, 감소된두께를갖는감소된제1 층을형성하고, 상기캐비티내에, 제2 물질을포함하는제2 층을형성하고, 상기반도체구조체에대해, 상기반도체구조체를제2 시간간격동안적어도 100도의온도로처리하는것을포함하는제2 열처리공정을수행하여, 상기감소된제1 층과상기제2 층을, 균일한구성성분과밀도를갖는단일층으로형성하는것을포함한다.
摘要翻译：提供了一种制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在半导体结构的空腔中形成包括第一材料的第一层，并且在半导体结构的至少100度的温度下将半导体结构处理第一时间间隔第一层被回蚀以形成具有减小的厚度的减小的第一层，并且在该空腔中形成包括第二材料的第二层，并且执行用于半导体结构的第二热处理工艺，包括在至少100度的温度下处理半导体结构达第二时间间隔以形成被还原的第一层和第二层，为了形成具有一个组分密度的单层等。

7. 发明公开

KR1020170000997A 반도체 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170000997A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020150090290
申请日：2015-06-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 곽대영 , 오경석 , 이승재 , 현상진
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L21/31 , H01L21/823431 , H01L27/0886
摘要： 반도체장치및 이의제조방법이제공된다. 상기반도체장치는제1 핀형패턴을정의하는제1 깊이의제1 트렌치, 상기제1 트렌치에바로인접하여형성되고, 제1 깊이보다깊은제2 깊이의제2 트렌치, 상기제1 트렌치의일부를채우는제1 필드절연막및 상기제2 트렌치의일부를채우고, 상기제1 필드절연막과접하는제2 필드절연막을포함하고, 상기제2 필드절연막은제1 영역과, 상기제1 핀형패턴으로부터상기제1 영역보다멀리배치되는제2 영역을포함하고, 상기제2 트렌치의바닥으로부터상기제2 영역의상면까지의높이는상기제2 트렌치의바닥으로부터상기제1 영역의상면까지의높이보다높다.
摘要翻译：如下提供半导体器件。第一鳍型图案设置在基板上。第一场绝缘膜与第一鳍型图案的侧壁相邻。第二场绝缘膜与第一场绝缘膜的侧壁相邻。第一场绝缘膜介于第一鳍型和第二场绝缘膜之间。第二场绝缘膜包括第一区域和第二区域。第一区域更靠近第一场绝缘膜的侧壁。从第二场绝缘膜的底部到第二区域的上表面的高度大于从第二场绝缘膜的底部到第一区域的上表面的高度。

8. 发明公开

KR1020160109819A 전자 장치, 전자 장치의 현악기 연주 인식 방법 및 전자 장치의 현악기 연주 피드백 방법 无效
标题翻译：电子设备，播放仪器的感应方法和播放乐器的反馈方法
公开(公告)号：KR1020160109819A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150034929
申请日：2015-03-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전대영 , 김연수 , 김영민 , 박정민 , 오경석
IPC分类号： G10H3/12 , G10H1/00
CPC分类号： G10H3/181 , G10H1/0016 , G10H1/32 , G10H3/125 , G10H3/146 , G10H2210/091 , G10H2220/121 , G10H2220/165 , G10H2220/365 , G10H2220/395 , G10H2220/401 , G10H2220/415 , G10H2220/441 , G10H2220/455 , G10H2220/525 , G10H2230/015 , G10H1/0033
摘要： 본발명의다양한실시예에따른전자장치는, 현악기에대한활(bow)의움직임을감지하는이미지센서, 현악기에서발생하는진동을감지하는진동감지센서및 활의움직임및 진동을이용하여현악기에대한사용자의운지위치를판단하는제어모듈을포함할수 있다. 또한, 다른실시예도가능하다.
摘要翻译：根据本发明的各种实施例，电子设备可以包括用于感测弦乐器弓的运动的图像传感器，用于感测弦乐器中产生的振动的振动传感器; 以及控制模块，用于通过使用振动来确定琴弦乐器的用户的指法位置。此外，其他实施例也是可能的。

9. 发明公开

KR1020120070956A 터치스크린 및 그 제조방법 有权
标题翻译：触摸屏及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120070956A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020100132507
申请日：2010-12-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김진한 , 이영섭 , 정석홍 , 이명섭 , 문대승 , 오경석 , 우정훈 , 이동철 , 임종현 , 장성일 , 조용구 , 고형준 , 김경훈 , 김정은 , 김현범 , 노대빈 , 박재영 , 백은진 , 이충희 , 정성호 , 조재욱
IPC分类号： G06F3/044 , G06F3/041
CPC分类号： G06F3/044 , G02F1/13338 , G06F3/0412 , G06F2203/04103
摘要： PURPOSE: A touch screen and a manufacturing method thereof are provided to increase the sensitivity of a touch screen by shortening response time through optimization of electrode area. CONSTITUTION: An upper transparent conductive layer(12) is formed in a lower side of an upper substrate and includes upper transparent conductive patterns. First and second unit transparent conductive patterns are arranged in a lower side of the upper substrate. The upper transparent conductive patterns are arranged at second interval. The upper electrode is formed in the upper transparent conductive layer.
摘要翻译：目的：提供触摸屏及其制造方法，以通过优化电极面积缩短响应时间来提高触摸屏的灵敏度。构成：上部透明导电层（12）形成在上部基板的下侧，并且包括上部透明导电图案。第一和第二单元透明导电图案布置在上基板的下侧。上部透明导电图案以第二间隔布置。上部电极形成在上部透明导电层中。

10. 发明授权

KR100576359B1 비대칭으로 마주보는 소오스 및 드레인 영역들이 배치된 트랜지스터를 갖는 반도체 장치들 및 그 제조 방법들 失效
标题翻译：具有非对称性的源和漏区的晶体管的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100576359B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020030087772
申请日：2003-12-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허기재 , 오경석 , 박주성 , 신중현
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66659 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10873 , H01L27/10888 , H01L29/7835
摘要： 비대칭으로 마주보는 소오스 및 드레인 영역들이 배치된 트랜지스터를 갖는 반도체 장치들 및 그 제조 방법들은 서로 비대칭을 이루는 확산 소오스 영역 및 드레인 영역을 사용하여 트랜지스터를 형성해서 인접한 커패시터의 특성을 향상시킨다. 이를 위해서, 상기 장치들 및 그 제조방법들은 채널 이온영역을 갖는 반도체 기판의 활성영역 상에 게이트 패턴을 형성하고, 그 패턴을 덮는 패드 층간절연막을 형성하는 것을 포함한다. 상기 패드 층간절연막을 관통해서 게이트 패턴의 양 측부들에 소오스 및 드레인 패드들이 배치되는데, 상기 소오스 및 드레인 패드들은 그들의 불순물들을 반도체 기판으로 확산시켜서 확산 소오스 및 확산 드레인 영역들을 형성한다. 상기 소오스 및 드레인 패드들을 갖는 반도체 기판 상에 패턴 및 매립 층간절연막들을 차례로 덮고, 그 층간절연막들을 관통해서 드레인 패드를 노출시키는 매립 콘택홀이 형성된다. 상기 매립 콘택홀을 통해서 드레인 패드에 이온주입 공정을 실시하고, 상기 매립 콘택홀을 채우는 드레인 패턴 및 그 패턴을 덮는 확산 층간절연막을 형성한다. 이때에, 상기 드레인 패턴 및 확산 층간절연막을 형성하는 동안 드레인 패드에 주입된 이온들은 확산 드레인 영역으로 확산되어서 드레인 영역을 형성한다. 이로써, 상기 확산 소오스 및 드레인 영역들을 갖는 반도체 장치들은 그 영역들을 사용해서 커패시터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
확산 소오스 영역, 소오스 영역, 확산 드레인 영역, 드레인 영역, 커패시터, 채널영역.

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