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热词
    • 1. 发明公开
    • 이미지 센서 및 이의 제조 방법
    • 图像传感器及其制作方法
    • KR1020160017686A
    • 2016-02-17
    • KR1020140098251
    • 2014-07-31
    • 삼성전자주식회사
    • 노현필이동철이석하박찬신승호
    • H01L27/146
    • H01L27/14614H01L27/14603H01L27/14616H01L27/14621H01L27/14623H01L27/14627H01L27/1463H01L27/14689
    • 본발명의실시예에따른이미지센서는기판, 상기기판내에배치된광전변환소자, 상기기판내에상기광전변환소자와이격된제 1 저장영역, 상기제 1 저장영역상에배치된게이트, 상기게이트를덮는차광막, 및상기게이트와상기차광막사이에개재되고, 상기기판의상부면으로연장되는유전막, 상기기판상에상기차광막을덮는층간절연구조체, 및상기층간절연구조체상에상기광전변환소자과서로중첩되도록위치하는마이크로렌즈를포함하되, 상기게이트의측벽에인접하는상기차광막의측벽은상기유전막의상부면으로부터수직으로연장되는제 1 두께를갖고, 상기차광막의상기제 1 두께는상기게이트상에위치하는상기차광막의제 2 두께보다두껍다.
    • 根据本发明的实施例的图像传感器包括:基板; 布置在基板中的光电转换装置; 与基板中的光电转换元件分离的第一存储区域; 布置在第一存储区域上的门; 覆盖门的遮光层; 介电层,介于所述栅极和所述遮光层之间,并从所述基板的上表面延伸; 覆盖基板上的遮光层的层间电介质结构; 以及位于与层间电介质结构上的光电转换装置重叠的微透镜。 与遮光板的侧壁相邻的遮光层的侧壁具有从电介质层的上表面垂直延伸的第一厚度。 遮光层的第一厚度比位于栅极上的遮光层的第二厚度厚。
    • 2. 发明授权
    • 디지탈 비디오 디스크 데이타의 디인터리브 장치
    • 用于删除数字视频数据的设备
    • KR100200715B1
    • 1999-06-15
    • KR1019960025933
    • 1996-06-29
    • 삼성전자주식회사
    • 이동철
    • G11B20/10
    • 본 발명은 디스크의 데이타 복조 장치에 관한것으로서 특히, 디지탈 비디오디스크 데이타의 디인터리브(Deinterleave)를 실현하는 장치에 관한 것이다.
      본 발명의 목적을 위하여 심볼 클럭에 따라서 1에서부터 91까지 카운트하는 심볼 카운터부, 디프레임 동기에 의해 카운터 인에이블되어 1에서 2까지 카운트하는 제1프레임 카운터부, 제1프레임 카운터부의 카운트 값-1)*91+심볼 카운터부의 카운트값의 계산에 의해 1에서 182까지 카운트 되는 칼럼 값을 생성하는 칼럼 값 생성부, 디프레임 동기에 의해 카운터 인에이블되어 1에서 26까지 카운트하는 제2프레임 카운터부, 디섹터 동기에 의해 카운터 인에이블되어 1에서 16까지 카운트하는 섹터 카운터부, 섹터 카운터부의 카운터 값 - 1)*12+(제2프레임 카운터부의 카운터 값+1)/2의 계산에 의해 1에서 192의 로우 값을 생성하는 제1로우 값 생성부, 섹터 카운터부의 카운터 값 -1)+(제2프레임 카운터부의 카운터 값+1)/2+180 의 계산에 의해 193에서 208의 로우 값을 생성하� �� 제2로우값 생성부를 포함한다.
      본발명에 의하면 디지탈 비디오 디스크 재생시에 인터리브로 기록된 데이타를 포맷에 맞게 디인터리브 시켜 에러 정정과 데이타 전송이 용이한 이점이 있다.
    • 7. 发明公开
    • 디지탈 알지비 인코더를 이용한 영상 처리 시스템
    • 使用数字代数编码器的图像处理系统
    • KR1019960033148A
    • 1996-09-17
    • KR1019950003869
    • 1995-02-27
    • 삼성전자주식회사
    • 이동철
    • H04N9/64
    • 이 발명은 디지탈 알지비 인코더를 이용한 영상 처리시스템에 관한 것으로, 디지탈 영상신호를 처리하여 디지탈 영상신호 알, 지, 비를 출력하는 디지탈 영상신호 처리수단과, 상기 디지탈 영상신호 처리수단으로부터 입력되는 신호를 디지탈 신호 처리에 의하여 합성 영상신호로 출력하는 디지탈 알지비 부호화수단과, 상기디지탈 알지비 부호화수단으로부터 입력되는 디지탈 신호를 아날로그 신호로 변환하여 출력하는 디지탈-아날로그 변환수단으로 이루어져 있으며, 영상신호를 처리하는 데에 있어서, 디지탈 신호로 처리된 화상데이타를 다시 아날로그 신호로 변화하지 않고 디지탈 신호 그대로 처리함으로써, 신호 처리에 따르는 결과값의 신뢰성을 높이고, 신호 처리 중 회로의 안정성을 높여주며, 소요되는 부품의 수를 줄일 수있어 전체적인 로를 간단하게 하고, 그에 따라 소요되는 비용을 줄일 수 있는 디지탈 알지비 인코더를 이용한 영상 처리 시스템에 관한 것이다.
    • 8. 发明公开
    • 냉장고
    • 冰箱
    • KR1020120114831A
    • 2012-10-17
    • KR1020110032615
    • 2011-04-08
    • 삼성전자주식회사
    • 이동철조규현고신일선무열
    • F25D23/02F25D19/00
    • F25D23/006F25D11/003F25D2323/0011F25D2400/32F25D2400/38
    • PURPOSE: A refrigerator is provided to maintain the horizontal position of a main body evenly even though repetitive impact caused by the opening and closing of the door of a refrigerator by using support portions. CONSTITUTION: A refrigerator comprises a main body(10), a pair of doors, a machine room(27), three main support parts(50), and one or more auxiliary support parts(60). The machine room opens the lower portion of the main body. A main body bottom plate(31) and a machine room lower cover(33) are formed in the bottom of the main body. The three main support parts are installed in the both front side portions and the rear center portion of the main body bottom plate and supports the main body. One or more auxiliary support parts prevent the waste movement of the main body.
    • 目的:提供一种冰箱,以便即使通过使用支撑部分由冰箱的门的打开和关闭引起的重复冲击也能均匀地保持主体的水平位置。 构成:冰箱包括主体(10),一对门,机房(27),三个主支撑部分(50)和一个或多个辅助支撑部分(60)。 机房打开主体的下部。 主体底板(31)和机房下盖(33)形成在主体的底部。 三个主要支撑部分安装在主体底板的前两侧和后中部,并支撑主体。 一个或多个辅助支撑部件防止主体的废物移动。
    • 10. 发明公开
    • 비휘발성 기억 장치의 제조 방법, 비휘발 기억 장치, 및비휘발 기억 장치를 포함하는 시스템
    • 制造非易失性存储器件的方法,非易失性存储器件和包括其的系统
    • KR1020090000472A
    • 2009-01-07
    • KR1020070064555
    • 2007-06-28
    • 삼성전자주식회사
    • 조준규이동철정선혜
    • H01L21/8247H01L27/115B82Y10/00
    • H01L27/11568B82Y10/00H01L21/02362H01L21/28141H01L21/28273H01L21/28282
    • A method for manufacturing a non-volatile memory device, a non-volatile memory device and a system including the non-volatile memory device are provided to suppress a leakage current due to a shallow tap of a tunnel dielectric layer by reducing the shallow trap and the defect of the tunnel dielectric layer. A tunnel insulating layer(104) is formed on an active region(103) of a semiconductor substrate(100). A thermal process is performed under a gas atmosphere including the deuterium in at least one of the steps of forming the charge storing layer, the blocking dielectric layer, and the gate conductive layer. A charge trapping layer(106) is formed on the tunnel insulating layer. A blocking insulating layer(108) is formed on a charge storing layer. A gate conductive layer(109) is formed on the blocking insulating layer. The charge storing layer is a floating gate layer or the charge trap layer.
    • 提供一种用于制造非易失性存储器件,非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的系统的方法,以通过减少浅陷阱来抑制隧道介电层的浅抽头引起的漏电流,并且 隧道介质层的缺陷。 隧道绝缘层(104)形成在半导体衬底(100)的有源区(103)上。 在形成电荷存储层,阻挡介电层和栅极导电层的至少一个步骤中,在包括氘的气体气氛下进行热处理。 电荷俘获层(106)形成在隧道绝缘层上。 在电荷存储层上形成阻挡绝缘层(108)。 在阻挡绝缘层上形成栅极导电层(109)。 电荷存储层是浮栅层或电荷陷阱层。