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1. 发明公开

KR1020020085995A 명도 보정 및 선택적 결함 검출 방법 및 이를 기록한 기록매체 有权
标题翻译：灰度补偿方法及其记录的记录介质的选择性缺陷检测方法
公开(公告)号：KR1020020085995A
公开(公告)日：2002-11-18
申请号：KR1020010025578
申请日：2001-05-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전충삼 , 전상문 , 김형진 , 이동춘 , 최상봉 , 류성곤
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06T5/008 , G06T7/90 , G06T2207/20021 , G06T2207/30148
摘要： PURPOSE: A method of grey level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded thereof are provided to compensate different brightness of each parts of a wafer, detect selective defects for different patterns, and form a recoding medium for recording a method for correcting the brightness and a method for detecting the selective defects. CONSTITUTION: A surface of a wafer including an X region having the first brightness and a Y region having the second brightness is divided into a plurality of pixels having a predetermined size. Gray level values for each pixel are defined. A mean value and standard deviation of the gray level values of each region are obtained according to the X region and the Y region. The mean value and the standard deviation of the gray level values for the X region is identical with the mean value and the standard deviation of the gray level values for the Y region by performing a correction process for correcting the gray level values for all pixels of the X region.
摘要翻译：目的：为了补偿晶片每个部分的不同亮度，检测不同图案的选择性缺陷，并形成用于记录方法的记录介质，提供对其图案和记录介质进行灰度补偿和选择性晶圆缺陷检查的方法用于校正亮度和用于检测选择性缺陷的方法。构成：包括具有第一亮度的X区域和具有第二亮度的Y区域的晶片的表面被划分为具有预定尺寸的多个像素。定义每个像素的灰度值。根据X区域和Y区域，获得每个区域的灰度值的平均值和标准偏差。 X区域的灰度值的平均值和标准偏差与Y区域的灰度值的平均值和标准偏差相同，通过执行用于校正所有像素的灰度值的校正处理 X区域。

2. 发明公开

KR1020000015404A 에프아이비를이용한분석을병행하는반도체소자의제조방법및그제조장치 失效
标题翻译：使用聚焦离子束和其制造装置进行分析的半导体器件并联制造方法
公开(公告)号：KR1020000015404A
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019980035282
申请日：1998-08-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김형진 , 함상규 , 이석열 , 최상봉
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: The method improves the productivity according to the fabrication of a semiconductor device by minimizing the loss of a wafer because of using the wafer used in the analysis of a film image in the post process continuously. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: grasping the image of a section of an area revealed by a milling, after milling a film using a focused ion beam(32); and filling a material which can be selected according to the film into the milled area. The fabrication apparatus comprises: an analysis tool capable of grasping the image of the section of the area revealed by the milling; and a nozzle capable of filling the material into the milled area. The method improves the reliability according to the fabrication of the semiconductor device.
摘要翻译：目的：该方法通过在后续处理中使用用于分析胶片图像的晶片来最小化晶片的损耗，从而提高了根据半导体器件制造的生产率。构成：该方法包括以下步骤：在使用聚焦离子束（32）研磨膜之后，通过研磨来获取通过研磨显示的区域的一部分的图像; 并将可根据膜选择的材料填充到研磨区域中。该制造装置包括：分析工具，其能够抓取通过铣削显露的区域的部分的图像; 以及能够将材料填充到铣削区域中的喷嘴。该方法根据半导体器件的制造提高了可靠性。

3. 发明公开

KR1020000005632A 반도체장치의 콘택 불량 검사장치 및 방법 失效
标题翻译：接触失效检查半导体器件的器件及其方法
公开(公告)号：KR1020000005632A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019990015506
申请日：1999-04-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전충삼 , 김정곤 , 전상문 , 최상봉
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/307 , H01J37/28
摘要： PURPOSE: A contact failure check device of semiconductor device and method thereof is provided to accurately decide contact failure by digitalized number without eye check or microscope check. CONSTITUTION: The contact failure check device of semiconductor device and method thereof comprises: a step reading SEM(scanning electron microscope image data about one area or more within a semiconductor wafer; a step identifying image data about the semiconductor wafer feature within the data about the area; a step computing the first parameter related to the feature from the image data about the feature; a step comparing the first parameter with allowable values about the first parameter; and a step classifying the features according the comparing step.
摘要翻译：目的：提供半导体器件的接触故障检查装置及其方法，以便通过数字化的数字来准确地确定接触故障，而无需眼睛检查或显微镜检查。构成：半导体器件的接触故障检查装置及其方法包括：步骤读取SEM（扫描电子显微镜图像数据，关于半导体晶片内的一个或多个区域）;在关于半导体晶片的数据内的关于半导体晶片特征的图像数据的步骤区域;步骤，根据关于特征的图像数据计算与特征相关的第一参数;步骤，将第一参数与关于第一参数的允许值进行比较;以及根据比较步骤对特征进行分类的步骤。

4. 发明授权

KR100166322B1 초순수용 비저항측정장치의 검증저항설정기 失效
标题翻译：超声波电阻测量装置的验证电阻设定器
公开(公告)号：KR100166322B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960009293
申请日：1996-03-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박철우 , 최상봉 , 박경득 , 현기철
IPC分类号： G01R27/00
摘要： 초순수의 비저항 값을 측정하기 위하여 이용되는 비저항측정장치에 연결되어 다양한 기준저항값을 제공하는 초순수용 비저항측정장치의 검증저항설정기에 관한 것이다.
본 발명은, 순수의 비저항 값을 측정하는 비저항측정기의 하이 단자와 그라운드 단자에 접속되는 제1및 제2단자가 구성되고, 상기 제2단자에 연결된 쇼트(Short)라인과 분기되어 서로 다른 값의 복수 개의 저항이 연결되어 기준저항군을 이루며, 상기 쇼트라인 및 복수 개의 저항을 택일적으로 상기 제1단자와 연결하는 스위칭수단이 구성됨으로써, 상기 스위칭수단의 절환에 따라 기준저항 값이 다르게 설정되도록 이루어진다.
따라서, 초순수의 비저항 값을 측정하기 위한 기준저항 설정이 간단하고 정확히 이루어질 수 있어서 초순수의 비저항을 측정하는 작업에 작업성이 극대화되는 효과가 있다.

5. 发明公开

KR1019970077407A 반도체 장치의 선폭 측정 방법 无效
标题翻译：测量半导体器件线宽的方法
公开(公告)号：KR1019970077407A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960014858
申请日：1996-05-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박동진 , 이병암 , 최상봉 , 문상영
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 본 발명은 반도체 장치의 각 제조 공정에서 형성되는 패턴의 선폭 측정을 보조선을 이용하여 보다 정확히 이루어질 수 있도록 한 반도체 장치의 선폭 측정 방법에 관한 것으로서, 선폭 측정 위치의 기준이 되는 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 모양에 선폭의 측정 위치를 찾기 위한 보조선들을 표시해 주는 단계; 상기 보조선들 사이의 적당한 위치를 측정 위치로 인식시키는 단계; 및, 상기 측정 위치에 측정 커서를 일치시키고 선폭을 측정하는 단계를 구비하여 이루어지며, 이 방법에 의하면 종래 작업자가 임의적으로 측정 위치를 확정하여 선폭을 측정하는 방법에 비해 오류를 줄일 수 있게 된다.

6. 发明公开

KR1019970066582A 초순수용 비저항측정장치의 검증저항설정기 失效
公开(公告)号：KR1019970066582A
公开(公告)日：1997-10-13
申请号：KR1019960009293
申请日：1996-03-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박철우 , 최상봉 , 박경득 , 현기철
IPC分类号： G01R27/00
摘要： 초순수의 비저항 값을 측정하기위하여 이용되는 저항측정장치에 연결되어 다양한 기준저항값을 제공하는 초순수용 비정항측정장치의 검증저항설정기에 관한 것이다.
본 발명은, 순수의 비저항 값을 측정하는 비저항측정기의 하이 단자와 그라운드 단자에 접속되는 제1 및 제2단자가 구성되고, 상기 제2단자에 연결된 쇼트(Short)라인과 분기되어 서로 다른 값의 복수 개의 저항이 연결되어 기준저항군을 이루며, 상기 쇼트라인 및 복수 개의 저항을 택일적으로 상기 제1단자와 연결하는 스위칭수단이 구성됨으로써, 상기 스위칭수단의 절환에 따라 기준저항 값이 다르게 설정되도록 이루어진다.
따라서, 초순수의 비저항 값을 측정하기 위한 기준저항 설정이 간단하고 정확히 이루어질 수 있어서 초순수의 비저항을 측정하는 작업에 작업성이 극대화되는 효과가 있다.

7. 发明授权

KR100438787B1 박막 두께 측정 방법 有权
标题翻译： 박막두께측정방법
公开(公告)号：KR100438787B1
公开(公告)日：2004-07-05
申请号：KR1020020026227
申请日：2002-05-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전충삼 , 전상문 , 현필식 , 조형석 , 최상봉
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01B11/0616
摘要： The thickness of a thin layer is measured in which a patterned lower layer is formed on a substrate, and an upper layer covering the lower layer is formed. The lower layer is modeled, and then the thickness of the upper layer is measured. When modeling the lower layer, the lower layer is set as a predetermined material layer, and then the material layer is fit into the lower layer using a harmonic oscillator model using an asorptivity, a refractive index, and a thickness of the material layer as parameters. Accordingly, the thickness of a thin layer formed in a cell area can be directly measured in real-time. Also, the thickness uniformity of the thin layer can be measured in each shot area or each chip area. Furthermore, the thickness of a portion of the thin layer formed in a chip at the edge of wafer can be measured. As a result, the method can be applied to improve processes and analyze problems of the processes.
摘要翻译：测量薄层的厚度，其中在衬底上形成图案化的下层，并形成覆盖下层的上层。建模下层，然后测量上层的厚度。在对下层进行建模时，将下层设置为预定材料层，然后使用以材料层的玻璃化度，折射率和厚度作为参数的谐振模型将材料层装配到下层中。因此，可以实时直接测量在单元区域中形成的薄层的厚度。而且，可以在每个拍摄区域或每个芯片区域中测量薄层的厚度均匀性。此外，可以测量在晶片边缘处形成在芯片中的薄层的一部分的厚度。因此，该方法可以应用于改进过程并分析过程的问题。

8. 发明公开

KR1020030088568A 박막 두께 측정 방법 有权
标题翻译：测量薄膜厚度的方法
公开(公告)号：KR1020030088568A
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：KR1020020026227
申请日：2002-05-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전충삼 , 전상문 , 현필식 , 조형석 , 최상봉
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01B11/0616
摘要： PURPOSE: A method for measuring the thickness of a thin film is provided to be capable of measuring the thickness of the thin film in real time without the damage of the thin film. CONSTITUTION: After sequentially forming a lower layer patterned to a predetermined shape and an upper layer for enclosing the lower layer at the upper portion of a semiconductor substrate, a modeling process is carried out at the lower layer(500). Then, a thickness measuring process is carried out at the upper layer(510). Preferably, a predetermined material layer setting process is carried out at the lower layer and then, a fitting process is carried out at the predetermined material layer as the lower layer by using a harmonic oscillator model.
摘要翻译：目的：提供用于测量薄膜厚度的方法，以便能够实时测量薄膜的厚度而不损坏薄膜。构成：在顺序地形成图案化为预定形状的下层和用于在半导体衬底的上部包围下层的上层之后，在下层（500）处进行建模处理。然后，在上层（510）进行厚度测量处理。优选地，在下层进行预定的材料层设定处理，然后，通过使用谐波振荡器模型，在作为下层的预定材料层进行拟合处理。

9. 发明授权

KR100347764B1 주사전자현미경 이미지를 이용한 반도체 웨이퍼 표면의 입자성장도 수치적 분석방법과 이를 위한 장치 失效
标题翻译：扫描使用数值分析方法及其装置的电子显微镜图像的半导体晶片表面的晶粒生长
公开(公告)号：KR100347764B1
公开(公告)日：2002-08-09
申请号：KR1020000061717
申请日：2000-10-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전충삼 , 전상문 , 최상봉 , 김계원 , 이상훈 , 양유신 , 김상민 , 이상길
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 주사형 전자현미경으로 촬영한 반도체 웨이퍼 표면의 이미지파일을 이용하여 반도체웨이퍼 표면에 성장된 입자의 성장도를 컴퓨터로 자동으로 계산하여 수치화 하는 방법과 이를 위한 장치를 개시한다. 이 방법은 컴퓨터를 이용하여 소프트웨어적으로 수행된다. 관찰하고자 하는 웨이퍼를 주사전자현미경에 로딩하고 웨이퍼 상의 관찰부위가 지정되어 있는 레서피를 열어 자동으로 관찰부위를 찾아간 다음, 웨이퍼 표면의 소정 부위의 전자현미경 사진을 촬영함과 동시에 지정된 데이터베이스에 저장한다. 모든 측정 부위에 대해 이와 같은 작업을 반복적으로 수행한 후, 자동수치화 프로그램을 실행한다. 자동 수치화는 우선, 분석화면 프레임에 메쉬를 적용하여 측정된 이미지 상에서 필요한 분석영역을 선택한 다음, 노이즈의 영향을 약화시키기 위해 메쉬로 지정된 영역의 각 픽셀마다 주변 픽셀들의 이미지데이터의 평균값을 이용한 스무딩처리를 수행한다. 또한, 측정된 이미지들간에 나타나는 밝기 차이를 없애기 위해 각 이미지별로 표준화처리를 행한다. 표준화된 이미지의 각 픽셀의 이미지데이터 값을 소정의 문턱값과 비교하여 밝기가 문턱값을 초과하는 픽셀의 수를 합산하고, 합산된 픽셀 수와 분석대상 이미지를 구성하는 총 픽셀 수간의 비율을 수치화하면 관찰대상이 되는 소정의 웨이퍼 표면에 대한 입자성장도를 구할 수 있다.

10. 发明授权

KR100297729B1 자기장을 이용한 반도체 소자의 패턴 불량 검출 장치 및 방법 失效
标题翻译：使用磁场检测半导体器件的图案误差的装置和方法
公开(公告)号：KR100297729B1
公开(公告)日：2001-09-29
申请号：KR1019990019782
申请日：1999-05-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전충삼 , 현필식 , 최상봉
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 본발명의반도체소자의패턴불량검출장치는, 패턴들이형성되어있는반도체웨이퍼의상기패턴들의불량여부를검출하기위한것으로서, 반도체웨이퍼와일정간격으로이격되도록배치되어그 반도체웨이퍼가위치한공간내에자기장을형성시키는자기장발생부, 및그 자기장에의해반도체웨이퍼의단면을흐르는에디전류에의한손실열을검출하여반도체웨이퍼의패턴형상을화상으로출력하는열 검출부를구비한다.

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