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热词
    • 3. 发明授权
    • 오버레이 계측설비를 이용한 패턴의 임계치수 측정방법
    • 使用覆盖测量装置测量图案的关键尺寸的方法
    • KR100834832B1
    • 2008-06-03
    • KR1020060119040
    • 2006-11-29
    • 삼성전자주식회사
    • 조정희강현태김장훈전기현
    • H01L21/02H01L21/027
    • H01L22/12G03F7/70625G03F7/70633
    • A method for measuring a critical dimension of a pattern by using an overlay measuring apparatus is provided to enhance reliability of a semiconductor memory device by measuring accurately an open size of a fuse box. A scanning range of a z-axis of an overlay measuring apparatus is determined by using pattern thickness information(106). A step pitch of the overlay measuring apparatus is inputted and X and Y coordinates of a reticle to the pattern are inputted(108,110). A size of the pattern is inputted into the overlay measuring apparatus and a position of a measuring target pattern of the patterns is inputted(112,114). Thickness information of a passivation layer is inputted(116). The size of the pattern is measured and a high quality condition is inputted(118). A top region size of the pattern is measured and a position of a z-axis focus at a fuse box top region is stored(120,122). A pattern size of a succeeding lot is measured by using stored information(124). The measured pattern size of the succeeding lot is compared with the high quality condition(128).
    • 提供了一种通过使用覆盖测量装置来测量图案的临界尺寸的方法,以通过精确地测量保险丝盒的开口尺寸来增强半导体存储器件的可靠性。 通过使用图案厚度信息(106)确定覆盖测量装置的z轴的扫描范围。 输入覆盖测量装置的步距,并输入掩模版的X和Y坐标(108,110)。 将图案的尺寸输入到重叠测量装置中,并且输入图案的测量对象图案的位置(112,114)。 输入钝化层的厚度信息(116)。 测量图案的尺寸并输入高质量条件(118)。 测量图案的顶部区域尺寸并存储在保险丝盒顶部区域处的z轴焦点的位置(120,122)。 通过使用存储的信息来测量后续批次的图案尺寸(124)。 将后续批次的测量图案尺寸与高质量条件(128)进行比较。
    • 8. 发明公开
    • 웨이퍼척
    • WAFER CHUCK
    • KR1020020045296A
    • 2002-06-19
    • KR1020000074699
    • 2000-12-08
    • 삼성전자주식회사
    • 김현철조정희
    • H01L21/68
    • PURPOSE: A wafer chuck is provided to reduce a vacuum error rate by improving a structure of a wafer vacuum absorbing portion. CONSTITUTION: A multitude of vacuum absorbing hole(123) is formed on an upper portion of a main body(100) in order to absorb a wafer(200). The main body(100) has a shape of a disc. A circulating flow path(120) is formed on a wafer loading portion of a surface of the main body(100). A connection hole is formed at a lower portion of a center of the circulating flow path(120). The connection hole is connected with an external vacuum system. The circulating flow path(120) is formed with a multitude of linear flow path(121) and three ring-shaped flow paths(122). The ring-shaped flow paths(122) have different diameters, respectively. The vacuum absorbing hole(123) is formed at a crossing portion between the linear flow path(121) and the ring-shaped flow paths(122).
    • 目的:提供晶片卡盘以通过改善晶片真空吸收部分的结构来降低真空误差率。 构成:为了吸收晶片(200),在主体(100)的上部形成有多个真空吸收孔(123)。 主体(100)具有盘的形状。 在主体(100)的表面的晶片装载部分上形成有循环流路(120)。 连接孔形成在循环流路(120)的中心的下部。 连接孔与外部真空系统连接。 循环流路(120)形成有多个线性流路(121)和三个环形流路(122)。 环形流路(122)分别具有不同的直径。 真空吸收孔123形成在线状流路121与环状流路122的交叉部。
    • 10. 发明授权
    • 영상 확대 장치 및 방법
    • 装置和放大图像的方法
    • KR101387267B1
    • 2014-04-18
    • KR1020070082028
    • 2007-08-14
    • 삼성전자주식회사
    • 조정희김길윤
    • H04N1/393H04N5/208H04N1/387
    • 본 발명은 영상을 확대하는 것에 관한 것으로, 특히 양선형 보간법(Bilinear interpolation)으로 임의의 영상을 확대하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에서, 영상 확대가 요청되면, 영상을 확대하며, 상기 확대된 영상의 화소들 중에서 보간해야 하는 화소들을 검색하고, 상기 검색된 화소들 각각에 대응되는 선형 가중치들을 계산하며, 비트연산을 위해 상기 계산된 선형 가중치들 각각을 2의 거듭제곱들을 나눈 값인 근사 선형 가중치들로 변환하고, 상기 변환된 근사 선형 가중치들을 각각을 근사 선형 보간식에 반영하여 근사 선형 보간식을 생성하며, 상기 생성된 근사 선형 보간식을 비트연산의 근사 선형 보간식으로 변환하고, 상기 비트연산을 처리하여 상기 검색된 화소들 각각에 대응되는 화소값들을 계산한 후, 상기 검색된 화소들을 보간함을 특징으로 한다.
      영상 처리, 양선형 보간법(Bilinear interpolation), 화소, 고속 양선형 보간법(High speed bilinear interpolation)