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    • 10. 发明授权
    • 반도체 메모리 소자 제조방법
    • 制造半导体存储器件的方法
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    • 박원모황민욱김현철
    • H01L27/108G11C5/04G11C5/06H01L21/768
    • H01L21/76885G11C5/04G11C5/06H01L27/10894H01L27/10897
    • 반도체메모리소자제조방법이제공된다. 본발명의실시예는셀 어레이영역및 상기셀 어레이영역에인접하는코어/페리영역으로구분되며, 상기셀 어레이영역내에서셀 어레이신호전달도전층이형성되어있는하부층을포함하는반도체기판을준비하는단계; 상기하부층의전면에절연층을형성하는단계; 상기코어/페리영역의상기절연층상에상기셀 어레이신호전달도전층과전기적으로접속되는코어/페리신호전달도전층을형성하는단계; 상기절연층및 상기코어/페리신호전달도전층상에캡핑절연막을형성하는단계; 상기셀 어레이영역의상기하부층이노출되도록상기캡핑절연막을식각하는단계; 및상기하부층및 상기코어/페리영역의전면에스토퍼층(stopper layer)을형성하는단계;를포함하는반도체메모리소자의제조방법을제공한다.
    • 提供了一种制造半导体存储器件的方法。 本发明的一个实施例提供了一种半导体衬底,该半导体衬底包括单元阵列区域和与单元阵列区域相邻的核心/渡轮区域,并且包括其中单元阵列信号传输导电层形成在单元阵列区域中的下层 步骤; 在下层的整个表面上形成绝缘层; 在核心/渡口区域的绝缘层上形成电连接到单元阵列信号传输导电层的核心/渡口信号传输导电层; 在绝缘层和芯/渡信号传输导电层上形成覆盖绝缘层; 蚀刻覆盖绝缘层以暴露单元阵列区域的下层; 并且在下层和核心/渡口区域的整个表面上形成阻挡层。