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1. 发明公开

KR1020160137240A 주변 환경 인식 방법 및 그 전자 장치 审中-实审
标题翻译：环境识别方法及其电子设备
公开(公告)号：KR1020160137240A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020150072094
申请日：2015-05-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동주 , 이지우 , 양철형 , 배한재 , 손봉섭
IPC分类号： H04M1/02 , H04M1/725 , H04R17/00
CPC分类号： G01S15/04 , G06F2203/04108
摘要： 다양한실시예에따르면, 제1초음파트랜스듀서를통해제1초음파신호를방출하는동작과, 상기방출된제1초음파신호에대한반사파의수신도달시간이임계범위이내인지확인하는동작과, 상기반사파의수신도달시간이임계범위이내일경우, 제2초음파트랜스듀서를활성화시키고제2초음파신호를방출하는동작과, 상기제2초음파신호에대한수신된반사파에의한반사계수를확인하는동작및 상기확인된반사계수에기반하여확인된객체(object)에대응하는기능을수행하는동작을포함하는방법및 그전자장치를제공할수 있다.
摘要翻译：提供电子设备。电子设备包括壳体，至少一个超声波发生器和可操作地设置在壳体上的至少一个超声波传感器，以及处理器，电连接到至少一个超声波发生器和至少一个超声波传感器并被配置为发射超声波使用所述至少一个超声波发生器从所述壳体的至少一个表面的波接收通过所述至少一个超声波传感器从至少一个物体反射的反射波，并至少基于至少一个来确定所述电子设备与所述物体之间的接近度在发射超声波的第一时间和接收反射波的第二时间之间的差异。

2. 发明公开

KR1020150054475A 전력을 제어하는 전자 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：电子设备及其控制方法
公开(公告)号：KR1020150054475A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130136948
申请日：2013-11-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동주 , 이지우
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/68
CPC分类号： H03F1/526 , G06F1/206 , H03F1/0288 , H03F1/30 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F3/04 , H03F3/211 , H03F3/24 , H03F3/72 , H03F2200/447 , H03F2200/468 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236 , H04M1/72569 , H04M2250/12 , H04M2250/22 , H04W52/0254 , Y02D70/00 , Y02D70/142 , Y02D70/144 , Y02D70/166
摘要： 본개시는전력을제어하는전자장치및 방법에관한것이다. 이러한본 발명은전자장치의전력제어방법에있어서, 제1 전력증폭기를이용해증폭된신호를송신하는과정과, 상기신호의증폭에대응하여상기제1 전력증폭기의발열온도를파악하는과정과, 상기발열온도와미리결정된임계값과의비교에대응하여제2 전력증폭기로스위칭을제어하는과정과, 상기스위칭이제어된제2 전력증폭기를이용해신호를증폭하여송신하는과정을포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于控制功率的电子设备和方法，其被提供以保持根据功率放大器的使用而产生的加热温度低，以消除用户的不满，并延长电子设备的使用寿命。通过以下步骤提供本发明的功率控制方法：通过使用第一功率放大器发送放大的信号; 识别对应于信号的放大的第一功率放大器的加热温度; 用对应于加热温度与先前确定的阈值之间的比较的第二功率放大器来控制切换; 并通过使用具有受控切换的第二功率放大器来放大和发送信号。

3. 发明公开

KR1020130005495A 질화물 반도체 발광소자 无效
标题翻译：氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020130005495A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110066925
申请日：2011-07-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심현욱 , 이동주 , 신동익 , 김영선 , 천주영 , 손유리
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/025 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40
摘要： PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting diode is provided to improve the crystallization of a contact layer by inserting at least one doped p-type nitride film having low concentration on a contact layer. CONSTITUTION: A light emitting structure includes a p-type nitride semiconductor layer(16) and an n-type nitride semiconductor layer(14). The light emitting structure includes an active layer(15) formed between the semiconductor layers. A p-type electrode is electrically connected to the p-type nitride semiconductor layer. An n-type electrode is electrically connected to the n-type nitride semiconductor layer. A contact layer(17) is positioned between the p-type nitride semiconductor layer and the p-type electrode.
摘要翻译：目的：提供氮化物半导体发光二极管，以通过在接触层上插入至少一种具有低浓度的掺杂p型氮化物膜来改善接触层的结晶。构成：发光结构包括p型氮化物半导体层（16）和n型氮化物半导体层（14）。发光结构包括形成在半导体层之间的有源层（15）。 p型电极与p型氮化物半导体层电连接。 n型电极与n型氮化物半导体层电连接。接触层（17）位于p型氮化物半导体层和p型电极之间。

4. 发明公开

KR1020120138014A 반도체 발광소자의 제조방법 有权
标题翻译：半导体发光器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020120138014A
公开(公告)日：2012-12-24
申请号：KR1020110057254
申请日：2011-06-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종현 , 이동주 , 김영선
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/44
摘要： PURPOSE: A manufacturing method for a semiconductor light emitting device is provided to reduce deterioration of a light emitting structure by separating a growth substrate using a wet-chemically etching process. CONSTITUTION: A sacrificial layer(120) having a plurality of nanostructures is formed on a growth substrate. A protective layer(130) is formed in order to cover the sacrificial layer. A light emitting structure(140) is formed on the protective layer. The protective layer is etched in order to expose the nanostructures. The light emitting structure is separated from the growth substrate by etching the exposed nanostructures.
摘要翻译：目的：提供一种用于半导体发光器件的制造方法，以通过使用湿化学蚀刻工艺分离生长衬底来减少发光结构的劣化。构成：在生长衬底上形成具有多个纳米结构的牺牲层（120）。为了覆盖牺牲层，形成保护层（130）。发光结构（140）形成在保护层上。蚀刻保护层以暴露纳米结构。通过蚀刻暴露的纳米结构将发光结构与生长衬底分离。

5. 发明公开

KR1020120044545A 반도체 발광 소자 无效
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020120044545A
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020100105868
申请日：2010-10-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심현욱 , 이동주 , 김성태
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/42
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to obtain high light transmittance and electric properties by using a graphene layer with high electric conductivity and a transparent electrode layer. CONSTITUTION: A semiconductor light emitting laminate is formed on a substrate(11) and includes an n type semiconductor layer(12), an active layer(14), and a p type semiconductor layer(15). An n side contact metal(19a) is formed on the upper side of the n type semiconductor layer. A p type contact metal(19b) is formed on the p type semiconductor layer. A high conductive transparent electrode is formed between the p type contact metal and the p type semiconductor layer. The high conductive transparent electrode includes a transparent electrode layer(17) and a graphene layer(18).
摘要翻译：目的：提供一种通过使用具有高导电性的石墨烯层和透明电极层来获得高透光率和电特性的半导体发光器件。构成：半导体发光层叠体形成在基板（11）上并且包括n型半导体层（12），有源层（14）和p型半导体层（15）。在n型半导体层的上侧形成有n侧接触金属（19a）。在p型半导体层上形成p型接触金属（19b）。在p型接触金属和p型半导体层之间形成高导电性透明电极。高导电性透明电极包括透明电极层（17）和石墨烯层（18）。

6. 发明公开

KR1020060075168A 금속 배선 부식 방지부를 갖는 액정 표시 장치 无效
标题翻译：液晶显示器件，具有防止金属线侵蚀的单元
公开(公告)号：KR1020060075168A
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020040113749
申请日：2004-12-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동주 , 박혜상
IPC分类号： G02F1/1345
CPC分类号： G02F1/13452 , G02F1/13458
摘要： 금속 배선 부식 방지부를 갖는 액정 표시 장치가 제공된다. 액정 표시 장치는, 다수의 박막 트랜지스터가 매트릭스 배열로 배치된 박막 트랜지스터 기판과 박막 트랜지스터 기판과 대향하여 형성된 컬러 필터 기판 사이에 액정이 봉입된 액정 패널과, 액정 패널의 소정 측부에 배치되며 박막 트랜지스터를 구동하기 위한 다수의 금속 배선 패턴들이 형성된 적어도 하나의 인쇄 회로 기판과, 일단이 인쇄 회로 기판에 부착되어 인쇄 회로 기판에서 구동 신호를 인가받아 액정 패널에 전기적 신호를 제공하도록 다수의 금속 배선 패턴들과 전기적으로 연결되는 다수의 금속 배선이 형성된 유연부재와, 액정 패널 또는 인쇄 회로 기판 상에 형성된 금속 배선 패턴들과 전기적으로 연결되며 금속 배선 패턴보다 이온화 경향이 큰 금속 물질로 이루어진 더미 패턴을 포함하여 이루어진다.
액정 표시 장치, TCP, FPC, 부식, 희생 양극

7. 发明公开

KR1020040057423A 액정표시장치 无效
标题翻译：液晶显示器
公开(公告)号：KR1020040057423A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020020084164
申请日：2002-12-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이응상 , 마원석 , 이동주
IPC分类号： G02F1/133
摘要： PURPOSE: An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to reduce a power consumption and use a display region efficiently. CONSTITUTION: The LCD comprises a display region(Ds) for displaying an image and a peripheral region(Pr) adjacent to the display region(Ds). At the display region(Ds), a plurality of pixels are formed as a matrix type. Each pixel comprises a gate line(GL) extended toward the first direction, a data line(DL) extended toward the second line and crossed with the first direction, a TFT(110) connected to the gate line(GL) and the data line(DL). A pixel electrode(120) is combined with the TFT(110). The display region(DS) is divided into the first and second display regions(Ds1,Ds2) which are operated alternately. A gate driving unit(130) for applying a gate driving signal to 2n gate lines(GL1-GL2n) and a source driving unit(140) for applying an image signal to 2m data lines(DL1-DL2m) are arranged to the peripheral region(Pr).
摘要翻译：目的：提供LCD（液晶显示器）以有效降低功耗并使用显示区域。构成：LCD包括用于显示图像的显示区域（Ds）和与显示区域（Ds）相邻的外围区域（Pr）。在显示区域（Ds），形成多个像素作为矩阵型。每个像素包括朝向第一方向延伸的栅极线（GL），朝向第二线延伸并与第一方向交叉的数据线（DL），连接到栅极线（GL）和数据线（DL）。像素电极（120）与TFT（110）组合。显示区域（DS）被划分为交替操作的第一和第二显示区域（Ds1，Ds2）。将用于向2n个数据线（DL1-DL2m）施加图像信号的2n个栅极线（GL1-GL2n）和源极驱动单元（140）施加栅极驱动信号的栅极驱动单元（130）布置在周边区域（PR）。

8. 发明授权

KR100238131B1 타인 사용 방지기능을 구비한 휴대형 단말장치 失效
标题翻译：用于防止其他人使用的终端
公开(公告)号：KR100238131B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970067479
申请日：1997-12-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동주
IPC分类号： H04B1/38
摘要： 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
타인 사용 방지기능을 구비하는 휴대형 단말장치에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
타인의 사용을 효율적으로 방지할 수 있는 휴대형 단말장치를 제공한다.
다. 발명의 해결방법의 요지
사용자의 지문을 스캔하여 지문 화상에 대응하는 화상신호를 발생하는 지문 감지부와, 등록된 사용자의 지문 패턴정보를 저장하는 메모리와, 지문 인식모드가 온상태인 경우 지문 감지부로부터 입력하는 화상신호의 패턴정보와 메모리에 저장된 패턴정보를 비교하여 일치하지 않을 경우에는 휴대형 단말장치의 전원을 오프시키는 제어부를 구비한다.
라. 발명의 중요한 용도
휴대형 전화기나 휴대형 정보단말기와 같은 휴대형 단말장치에 이용한다.

9. 发明授权

KR100211669B1 반도체장치 제조용 크린룸의 팬 필터 유니트 구동감시장치 및 구동 제어시스템 失效
标题翻译：风扇过滤器驱动监控设备和控制系统的清洁用于半导体器件制造
公开(公告)号：KR100211669B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019960052412
申请日：1996-11-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황정성 , 최재흥 , 안요한 , 이동주
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01H1/0201 , F24F3/161 , F24F11/39 , G05B23/027 , G05B23/0272 , G06F11/326
摘要： A monitoring device and a driving control system for a fan filter unit in a semiconductor clean room for monitoring the operating state of the fan filter unit. The monitoring device includes a switching section in each fan filter unit which alternately applies electrical power to one of a plurality of terminals. The switching section is responsive to a force from an air stream introduced therein via rotation of a fan in the fan filter unit. A display section in each fan filter unit is connected to the plurality of terminals which provide different signals, indicative of an on or off state of the fan, according to which of the plurality of terminals is electrically connected to the electrical power.

10. 发明授权

KR100203746B1 반도체 기판 상에 분자성 오염물질의 증착장치 및 방법 失效
标题翻译：用于沉积分子污染材料的装置
公开(公告)号：KR100203746B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950067537
申请日：1995-12-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황정성 , 이동주 , 유남희 , 문상영
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4401 , C23C16/448 , C23C16/45512 , C30B31/06 , C30B33/00
摘要： 본 발명은 반도체소자의 제조공정중 제조공간이나 공정진행과정에서 발생할 수 있는 분자상 오염물질을 웨이표의 표면에 증착하기 위한 오염물질의 증착장치에 관한 것이다.
이를 위해서 증착장치는 반도체 웨이퍼가 오염물질과 반응하도록 하는 반응챔버와, 오염물질인 소스가스를 제공하는 가스발생수단과, 수증기를 생성하고 일정 온도로 제어하는 습기발생수단과, 상기 가스발생수단에서 발생된 소스가스와 습기발생수단으로부터 발생되는 일정 온도의 습기를 혼합하여 주는 믹싱수단과, 상기 믹싱수단에서 혼합된 가스를 챔버내에 공급하는 가스분사수단과, 상기 반응챔버내 공정조건 및 미 반응가스의 배기를 위한 배기부 및, 반응챔버내 잔존하는 오염물질을 제거하는 크리닝수단으로 구성하여, 공정상에 발생하는 불량원인의 규명 및 오염제어량, 공정영향 한계치(Limitation)의 설정에 응용함으로써 보다 체계적인 오염의 관리를 할 수 있도록 하였다.

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